System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高强度氧化锆生瓷的制备方法及氧化锆生瓷技术_技高网

一种高强度氧化锆生瓷的制备方法及氧化锆生瓷技术

技术编号:40001566 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-09 03:45
本发明专利技术公开了一种高强度氧化锆生瓷的制备方法及氧化锆生瓷,该制备方法包括,按重量份计,将有机溶剂和5份‑10份的分散剂依次加入球磨机,令分散剂在有机溶剂中进行球磨,使分散剂分散均匀,其中有机溶剂选用5份‑10份的乙醇,3份‑8份的鱼油和10份‑25份的甲苯;将49份‑58份的氧化锆粉加入球磨机,进行球磨;将2份‑5份的增塑剂和10份‑25份的胶粘剂加入球磨机,进行球磨;将球磨完成后的浆料倒出进行真空脱泡;将真空脱泡后的浆料放入流延机上进行流延,调节流延刀高度,得到不同厚度的高强度的氧化锆生瓷。本发明专利技术可流延出氧化锆生瓷厚度50‑200um,且经烧结后测试强度大于600MPa。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种高强度氧化锆生瓷的制备方法及氧化锆生瓷,属于氧传感器材料。


技术介绍

1、随着各种电子器件集成时代的到来,电子整机对电路小型化、高密度、多功能性、高可靠性、高速度及大功率化提出了更高的要求,因为共烧多层陶瓷基板能够满足电子整机对电路的诸多要求,所以在近几年获得了广泛的应用。共烧多层陶瓷基板可分为高温共烧多层陶瓷(htcc)基板和低温共烧多层陶瓷(ltcc)基板两种。高温共烧陶瓷的典型应用为氧气传感器,氧气传感器是车用电喷系统的核心零部件,为环保排放做出巨大贡献。

2、高温共烧陶瓷htcc(high temperature co-fired ceramic)制备的氧气传感器是基于氧化锆基材的产品。氧传感器应用于高温尾气环境中,使用环境恶劣,震动剧烈。因此,需要一款高强度的氧传感器,以应对恶劣的环境,氧传感器的强度由氧化锆生瓷的强度决定。氧化锆生瓷由热压法或是流延法制备而成,现有技术制备的氧化锆生瓷烧结后强度低,无法在恶劣环境下长时间使用,易破损断裂。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高强度氧化锆生瓷的制备方法及氧化锆生瓷,可根据设计需求流延出不同厚度的氧化锆生瓷且强度大。

2、为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:

3、本专利技术提供一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,包括以下步骤:

4、s1、按重量份计,将有机溶剂和5份-10份的分散剂依次加入球磨机,令分散剂在有机溶剂中进行球磨;所述有机溶剂选用5份-10份的乙醇,3份-8份的鱼油和10份-25份的甲苯;

5、s2、按重量份计,将49份-58份的氧化锆粉加入球磨机,进行球磨;

6、s3、按重量份计,将2份-5份的增塑剂和10份-25份的胶粘剂加入球磨机,进行球磨;

7、s4、将球磨完成后的浆料倒出进行真空脱泡;

8、s5、将真空脱泡后的浆料放入流延机上进行流延,得到高强度的氧化锆生瓷。

9、进一步的,所述步骤s1中,球磨速度为300-500r/min,球磨时间为10-16小时。

10、进一步的,所述步骤s2中,球磨时间为80-100小时。

11、进一步的,所述步骤s3中,球磨时间为60-80小时。

12、进一步的,所述步骤s4中,真空脱泡时,正转1500-1800转,正转时间为15-20分钟;再反转1500-1800转,反转时间15-20分钟。

13、进一步的,所述步骤s5中,流延过程中,流延速度为0.1-0.5m/min,温度设置为30-80℃,流延刀高度调节范围为100-800um。

14、进一步的,所述分散剂为聚丙烯酸胺或聚乙烯醇。

15、进一步的,所述增塑剂为磷酸酯或环氧化合物。

16、进一步的,所述胶粘剂为明胶或甲基纤维素。

17、本专利技术还提供一种高强度氧化锆生瓷,采用前述的高强度氧化锆生瓷的制备方法制备而成,所述高强度氧化锆生瓷按照重量份计,包括:5份-10份的乙醇,3份-8份的鱼油,5份-10份的分散剂,10份-25份的甲苯,49份-58份的氧化锆粉,2份-5份的增塑剂以及10份-25份的胶粘剂。

18、本专利技术的有益效果为:

19、本专利技术根据实际氧传感器制备需求,可流延出氧化锆生瓷厚度50-200um,以适应不同的设计需求;采用本专利技术方法制备的氧化锆烧结经测试强度大于600mpa。

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【技术保护点】

1.一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,球磨速度为300-500r/min,球磨时间为10-16小时。

3.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,球磨时间为80-100小时。

4.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,球磨时间为60-80小时。

5.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,真空脱泡时,正转1500-1800转,正转时间为15-20分钟;再反转1500-1800转,反转时间15-20分钟。

6.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,流延过程中,流延速度为0.1-0.5m/min,温度设置为30-80℃,流延刀高度调节范围为100-800um。

7.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述分散剂为聚丙烯酸胺或聚乙烯醇。

8.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述增塑剂为磷酸酯或环氧化合物。

9.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述胶粘剂为明胶或甲基纤维素。

10.一种高强度氧化锆生瓷,其特征在于,采用权利要求1至9任意一项所述的高强度氧化锆生瓷的制备方法制备而成,所述高强度氧化锆生瓷按照重量份计,包括:5份-10份的乙醇,3份-8份的鱼油,5份-10份的分散剂,10份-25份的甲苯,49份-58份的氧化锆粉,2份-5份的增塑剂以及10份-25份的胶粘剂。

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【技术特征摘要】

1.一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,球磨速度为300-500r/min,球磨时间为10-16小时。

3.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s2中,球磨时间为80-100小时。

4.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s3中,球磨时间为60-80小时。

5.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s4中,真空脱泡时,正转1500-1800转,正转时间为15-20分钟;再反转1500-1800转,反转时间15-20分钟。

6.根据权利要求1所述的一种高强度氧化锆生瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤s...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵毅李冉刘晓庆张田君杨得锐
申请(专利权)人:中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
类型:发明
国别省市:

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