【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电元件，且特别涉及一种发光元件。
技术介绍
1、由于高分辨率的显示需求日益增加，作为显示像素的微型发光元件的尺寸不断地缩小。元件尺寸的微缩使得元件周长对发光面积的比值增加，造成发光元件的发光效率容易因为其侧壁表面在蚀刻工艺中产生的缺陷(defect)所造成的非辐射复合而显著地下降，即尺寸效应(micro-led size effect)。有鉴于此，一种能兼顾尺寸微缩与发光效率的发光元件结构仍有待开发。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光元件，其具有较佳的发光效率。
2、本专利技术的发光元件，包括主动层、第一半导体层、第一接触层及第一电流限制层。第一半导体层设置在主动层的第一侧。第一接触层设置在第一半导体层背离主动层的一侧。第一电流限制层设置在第一接触层与主动层之间，且设有第一非氧化区以及位在第一非氧化区周围的第一氧化区。第一电流限制层具有朝向主动层的第一表面及背离第一表面的第二表面。第一电流限制层的第一氧化区自第一表面延伸至第二表面，且第一氧化区的氧含量大于第一非氧化区的氧含量。
3、基于上述，在本专利技术的一实施例的发光元件中，主动层与第一接触层之间设有第一电流限制层。由于第一电流限制层在周围的第一氧化区的氧含量高于在远离周围的第一非氧化区的氧含量，电流路径可被局限在较远离元件侧壁的区域，进而抑制载子扩散至元件侧壁而发生非辐射复合的现象，有助于提升发光元件的发光效率。
【技术保护点】
1.一种发光元件，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该主动层与该第一半导体层之间设有该第一电流限制层。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一接触层与该第一半导体层之间设有另一该第一电流限制层。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一电流限制层与另一该第一电流限制层的材料包括Al(x)In(1-x)P或Al(x)Ga(1-x)As，其中1≥x>0。
5.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一电流限制层的铝含量高于该另一第一电流限制层的铝含量。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一接触层与该第一半导体层之间设有该第一电流限制层，该第一半导体层与该主动层之间设有另一该第一电流限制层，该第一电流限制层的该第一氧化区沿着该第一电流限制层的一侧壁的法线方向具有一第二宽度，该另一第一电流限制层的该第一氧化区沿着该另一第一电流限制层的一侧壁的法线方向具有一第三宽度，且该第三宽度大于该第二宽度。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层在该第一非氧化区的材料组成为Al(x)In(1-
8.如权利要求1所述的发光元件，还包括：
9.如权利要求8所述的发光元件，其中该主动层与该第二半导体层之间设有另一该第二电流限制层。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层的该第一氧化区与该第一非氧化区沿着一方向排列，该第一电流限制层与该第一氧化区沿着该方向分别具有一第一宽度与一第二宽度，该第二宽度对该第一宽度的比值介于0.01至0.3的范围内。
11.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层的膜厚介于30nm至50nm的范围内。
12.如权利要求1所述的发光元件，还包括：
13.如权利要求12所述的发光元件，还包括：
14.如权利要求1所述的发光元件，还包括：
15.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一氧化区沿着该主动层与该第一半导体层的一堆叠方向与部分该主动层相重叠。
16.如权利要求15所述的发光元件，其中该主动层、该第一半导体层及该第一电流限制层各自的一侧壁沿着该堆叠方向相互切齐。
17.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层在该第一氧化区内的氧含量比例大于10％。
18.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层在该第一氧化区内的电阻率大于在该第一非氧化区内的电阻率。
19.如权利要求18所述的发光元件，其中该第一电流限制层在该第一氧化区内的电阻率大于1014Ω·cm。
...【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该主动层与该第一半导体层之间设有该第一电流限制层。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一接触层与该第一半导体层之间设有另一该第一电流限制层。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一电流限制层与另一该第一电流限制层的材料包括al(x)in(1-x)p或al(x)ga(1-x)as，其中1≥x>0。
5.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一电流限制层的铝含量高于该另一第一电流限制层的铝含量。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一接触层与该第一半导体层之间设有该第一电流限制层，该第一半导体层与该主动层之间设有另一该第一电流限制层，该第一电流限制层的该第一氧化区沿着该第一电流限制层的一侧壁的法线方向具有一第二宽度，该另一第一电流限制层的该第一氧化区沿着该另一第一电流限制层的一侧壁的法线方向具有一第三宽度，且该第三宽度大于该第二宽度。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电流限制层在该第一非氧化区的材料组成为al(x)in(1-x)p或al(x)ga(1-x)as，且在该第一氧化区的材料组成为al(y)in(z)o(1-y-z)p或al(y)ga(z)o(1-y-z)as，其中1≥x>0，1>y>0，且1>z>0。
8.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴肇欣，俞志强，林家名，李佳安，林冠亨，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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