【技术实现步骤摘要】
本申请涉及开关电源，尤其涉及一种半桥驱动电路。
技术介绍
1、在全桥电路中，当输入电压高于输出电压时，需要电路工作在降压模式；电路在降压模式工作时，需要电路的左半桥工作在正常的脉冲宽度调制状态，右半桥的上管单元工作在导通状态，右半桥的下管单元工作在关闭状态。当输入电压小于输出电压时，需要电路工作在升压模式；电路在升压模式工作时，需要电路的右半桥工作在正常的脉冲宽度调制状态，左半桥的上管单元工作在导通状态，左半桥的下管单元工作在关闭状态。现有的全桥电路工作在降压模式或升压模式时，若下管单元长期处于关闭状态，则上管单元无法长时间工作在导通状态。
技术实现思路
1、本申请提供一种半桥驱动电路，解决了全桥电路工作在降压模式或升压模式时，上管单元无法长时间工作在导通状态的问题。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请实施例提供了一种半桥驱动电路，包括
4、半桥电路，包括上管单元和下管单元；
5、驱动电路，分别与所述上管单元和所述下管单元连接，用于驱动所述上管单元和所述下管单元交替导通产生方波信号；
6、自举电路，分别与所述上管单元连接、所述下管单元连接以及电源连接，用于在所述下管单元导通期间为所述上管单元充电，同时为所述下管单元供电；
7、充电控制电路，包括第一电容、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻，所述第一电容与所述自举电路连接，所述第一电容还分别与所述第一三极管和所述第二三极管连接，所述第
8、在一个实施例中，所述自举电路包括与所述电源依次串联的自举二极管和自举电容；
9、所述充电控制电路还包括：第一功率管、第二功率管、第一电容、三极管以及控制单元；
10、所述第一电容的正极与所述自举二极管的负极连接，所述自举二极管的负极还与所述自举电容的正极连接；
11、所述第二功率管与所述第一电容的负极连接，所述第二功率管用于在导通时通过所述电源为所述第一电容充电；
12、所述第一功率管通过所述三极管与所述第一电容的负极和所述自举电容的负极连接，用于控制所述三极管导通，以使所述第一电容为所述自举电容充电；
13、所述控制单元与所述第一功率管和所述第二功率管连接，用于周期性的控制所述第一功率管和所述第二功率管的导通，其中，所述第一功率管导通时，所述第二功率管关闭；所述第二功率管导通时，所述第一功率管关闭。
14、在一个实施例中，所述第一三极管为npn型三极管，所述第二三极管为pnp型三极管；
15、所述第一三极管的基极与所述控制单元连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的集电极还与所述自举电容连接；
16、所述第二三极管的基极与所述控制单元连接，所述第二三极管的发射极分别与所述上管单元的栅极和所述下管单元的漏极连接。
17、在一个实施例中，所述充电控制电路还包括：第三电阻、第四电阻、第六电阻和第七电阻；
18、所述第三电阻分别与所述第二电阻和所述第六电阻连接，所述第四电阻与所述第三电阻和所述第六电阻均连接，所述第四电阻还与所述第二三极管连接。
19、在一个实施例中，所述上管单元包括第三功率管，所述下管单元包括第四功率管；
20、所述第三功率管和所述第四功率管均为n沟道场效应管；
21、所述第三功率管的栅极与所述驱动电路连接，所述第三功率管的漏极接地，所述第三功率管的源极与所述第四功率管的漏极以及所述自举电容的负极连接；
22、所述第四功率管的栅极与所述驱动电路连接，所述第四功率管的源极接地。
23、在一个实施例中，所述上管单元还包括第三二极管、第五电阻、第八电阻、第二电容以及第三电容；
24、所述第三二极管的负极与所述驱动电路连接，所述第三二极管的正极与所述第三功率管的栅极连接；
25、所述第八电阻并联在所述第三二极管两端，所述第五电阻串联在所述第一二极管的正极与所述第三功率管的栅极之间；
26、所述第二电容与所述第三电容并联后串联在所述第三功率管的漏极。
27、在一个实施例中，所述下管单元包括第四二极管、第十电阻和第十一电阻；
28、所述第四二极管的负极与所述驱动电路连接，所述第四二极管的正极与所述第四功率管的栅极连接；
29、所述第十一电阻并联在所述第四二极管两端，所述第十电阻串联在所述第四二极管的正极与所述第四功率管的栅极之间。
30、在一个实施例中，所述驱动电路为半桥驱动芯片，包括高侧门极驱动输出端、高压侧浮动射极输出端以及低侧门极驱动输出端；
31、所述高侧门极驱动输出端与所述第三功率管的栅极连接，所述低侧门极驱动输出端与所述第四功率管的栅极连接，所述高压侧浮动射极输出端与所述第三功率管的源极以及所述第四功率管的漏极连接。
32、在一个实施例中，所述半桥驱动电路还包括第九电阻以及第五二极管；
33、所述第五二极管的正极接地，所述第五二极管的负极与所述高压侧浮动射极输出端连接；
34、所述第九电阻的一端与所述高压侧浮动射极输出端以及所述第五二极管的负极连接，所述第九电阻的另一端与所述自举电容的负极连接。
35、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
36、本专利技术实施例提供的半桥驱动电路，该半桥驱动电路包括：半桥电路，半桥电路包括上管单元和下管单元；驱动电路，分别与上管单元和下管单元连接，用于驱动上管单元和下管单元交替导通产生方波信号；自举电路，分别与上管单元连接、下管单元连接以及电源连接，用于在下管单元导通期间为上管单元充电，同时为下管单元供电；充电控制电路，包括第一电容、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻，第一电容与自举电路连接，第一电容还分别与第一三极管和第二三极管连接，第一电阻与第二电阻连接，第二三极管与半桥电路连接，充电控制电路，用于利用上管单元和下管单元的导通状态下，第一电容的第一电压变化，第一电阻和第二电阻的分压变化，以在下管单元关断状态下，使上管单元一直导通，这样解决了下管长关状态下，上管无法长时间保持导通的问题。极大地提高优化了上管的开关波形，提高了开关电源的转换效率，简化了软件控制算法。
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1.一种半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路包括：
2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述自举电路包括与所述电源依次串联的自举二极管和自举电容；
3.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一功率管的基极与所述控制单元连接，所述第一功率管的发射极接地，所述第一功率管的集电极与所述第二功率管的集电极连接，所述第二功率管的集电极还与所述自举电容连接；
4.根据权利要求3所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述充电控制电路还包括：第三电阻、第四电阻、第六电阻和第七电阻；
5.根据权利要求4所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述上管单元包括第三功率管，所述下管单元包括第四功率管；
6.根据权利要求5所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述上管单元还包括第三二极管、第五电阻、第八电阻、第二电容以及第三电容；
7.根据权利要求5所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述下管单元包括第四二极管、第十电阻和第十一电阻；
8.根据权利要求5所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述驱动电路为半桥驱动芯片
9.根据权利要求8所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路还包括第九电阻以及第五二极管；
...【技术特征摘要】
1.一种半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路包括：
2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述自举电路包括与所述电源依次串联的自举二极管和自举电容；
3.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一功率管的基极与所述控制单元连接，所述第一功率管的发射极接地，所述第一功率管的集电极与所述第二功率管的集电极连接，所述第二功率管的集电极还与所述自举电容连接；
4.根据权利要求3所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述充电控制电路还包括：第三电阻、第四电阻、第六电阻和第七电阻；
5.根据权利要求4所述的半桥驱动电路，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福全，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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