System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有诱导气体混合的设备前端模块及其使用方法技术_技高网

具有诱导气体混合的设备前端模块及其使用方法技术

技术编号:39990953 阅读:20 留言:0更新日期:2024-01-09 02:16
本案揭示一种设备前端模块(EFEM),其具有壁、包括一个或多个装载口的第一壁、及形成在这些壁之间的EFEM腔室。该EFEM进一步包括位于该EFEM的顶部的上气室,并包括进入该EFEM腔室中的开口。管道提供返回气流路径,其实现从该EFEM腔室到该上气室的气体再循环,这些管道接近该一个或多个装载口。该一个或多个管道包括流动元件,这些流动元件被构造为致使该一个或多个装载端口的位置处的低压状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开内容涉及电子装置制造,且具体而言涉及具有诱导气体混合的设备前端模块(efem)及其使用方法。


技术介绍

1、半导体电子装置制造中的处理基板一般在多个工艺工具中实施,其中基板在工艺工具之间在基板载体中行进,基板载体诸如(例如)前开式标准舱(foup)。foup可对接于设备前端模块(efem)的装载口处(有时称为工厂接口(fi)),在该处一个或多个基板可被传送至装载锁定件、传送腔室及/或工艺腔室。于前期或后期基板暴露至水分或氧气可能在基板上造成侵蚀(例如蚀刻)、层间缺陷(例如膜应力及电阻性、物理气相沉积)及组件不均匀性(例如化学气相沉积钝化)。从efem环境去除水分及氧气减少及/或去除此类组件效能及产出率的挑战。

2、efem提供用于在foup及装载锁定件及/或腔室之间传送基板的非反应性环境。这是借由实际上尽量密封efem的内部空间并用气体(诸如氮气)充满该内部空间所达成,该气体一般与基板材料为非反应性的。该非反应性气体从efem推出任何反应性气体(诸如氧气),也从efem减少/去除水分。用于对接至一个或多个基板载体的一个或多个装载口可被沿着efem的前面布置。传统的efem的装载口为用氮气气体(n2)底部净化,以减少基板处理及传输期间在foup及efem内的相对湿度(rh)及氧气水平。用以实施底部净化的硬件及加压n2的使用是昂贵的,且增加efem的复杂性。需要用于以较低成本及复杂性来维持efem及foup内的非反应性环境的改良系统、设备及方法。


技术实现思路

1、按照至少一个实施方式,本文中公开一种设备前端模块(efem),包含:多个壁,该多个壁的第一壁包括一个或多个装载口;efem腔室,该efem腔室形成在该多个壁之间;位于该efem的顶部的上气室,且该上气室包括进入该efem腔室中的开口;及多个管道,该多个管道提供返回气流路径,该返回气流路径实现从该efem腔室到该上气室的气体的再循环,其中该多个管道接近该一个或多个装载口,其中该多个管道的一个或多个管道包含多个流动元件,该多个流动元件被构造为致使该一个或多个装载端口的位置处的低压状态。在一些实施方式中,该多个流动元件额外地或替代地被构造为诱导从foup到相邻流动元件中的气流,该气流进而诱导从efem进入foup中的流动。

2、按照至少一个实施方式本文中进一步所公开的是一种电子装置制造组件,包含:设备前端模块(efem),包含:多个壁,该多个壁的第一壁包括一个或多个装载口;efem腔室,该efem腔室形成在该多个壁之间;上气室,该上气室位于该efem的顶部处且包括进入该efem腔室中的开口;及多个管道,该多个管道提供返回气流路径,该返回气流路径实现从该efem腔室到该上气室的气体再循环,其中该多个管道接近该一个或多个装载口,其中该多个管道的一个或多个管道包含多个流动元件,该多个流动元件被构造为致使该一个或多个装载端口的位置处的低压状态;及一个或多个基板载体,该一个或多个基板载体经耦接至该一个或多个装载口。

3、在至少一个进一步实施方式中,本文中公开一种操作设备前端模块(efem)的方法,包含下列步骤:提供该efem,该efem包含与efem腔室流体连通的上气室,该efem腔室接口连接于一个或多个装载口;从该上气室将气体流动至该efem腔室;及通过定位于接近该一个或多个装载口的多个管道来再循环从该efem腔室到该上气室的至少一部分气体,其中该多个管道的一个或多个管道包含多个流动元件,该多个流动元件被构造为致使该一个或多个装载端口的位置处的低压状态。

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【技术保护点】

1.一种设备前端模块(EFEM),包含:

2.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个管道沿所述第一壁延伸。

3.如权利要求2所述的设备前端模块,其中所述多个管道的至少一个管道被构造为在两个相邻装载口之间延伸。

4.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个装载端口被构造为接收一个或多个基板载体,及其中所述多个流动元件被构造为导致所述低压状态来促使所述一个或多个基板载体的第一环境与所述EFEM的第二环境的交互混合。

5.如权利要求4所述的设备前端模块,其中所述一个或多个基板载体的内部腔室对所述EFEM腔室开放,并且所述一个或多个基板载体被耦接至所述一个或多个装载口。

6.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件包含开口、孔口、洞、或前述的任二者或更多者的组合中的一者或多者。

7.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件的各者具有大约1mm到大约1cm的直径。

8.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件以行和列布置在所述一个或多个管道中或在所述一个或多个管道上,且所述多个流动元件被布置为接近所述一个或多个装载口。

9.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件被构造为诱导通过所述一个或多个管道的至少部分气流中的扰动。

10.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个管道的至少一个管道包含第一侧及相反的第二侧,所述第一侧具有接近第一装载口的第一组流动元件,所述第二侧具有接近第二装载口的第二组流动元件。

11.一种电子装置制造组件,包含:

12.如权利要求11所述的电子装置制造组件,其中所述一个或多个管道沿所述第一壁延伸。

13.如权利要求11所述的电子装置制造组件,其中所述多个管道的至少一个管道被构造为在两个相邻装载口之间延伸。

14.如权利要求11所述的电子装置制造组件,其中所述多个流动元件包含开口、孔口、洞、穿孔、或前述的任二者或更多者的组合中的一者或多者。

15.如权利要求11所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件以行和列布置在各管道中或在各管道上。

16.如权利要求11所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件的各者被布置为接近所述一个或多个装载口。

17.如权利要求11所述的设备前端模块,其中所述一个或多个管道的至少一个管道包含第一侧及相反的第二侧,所述第一侧具有接近第一装载口的第一组流动元件,所述第二侧具有接近第二装载口的第二组流动元件。

18.一种操作设备前端模块(EFEM)的方法,包含下列步骤:

19.如权利要求18所述的方法,进一步包含下列步骤:将至少一部分气体从所述管道流动至对接至所述一个或多个装载口的所述一个或多个基板载体中,其中所述流动元件诱导所述流动气体中的扰动及致使所述流动气体与所述一个或多个基板载体中的气体的混合。

20.如权利要求18所述的方法,进一步包含下列步骤:将至少一部分气体从所述管道流动至对接至所述一个或多个装载口的所述一个或多个基板载体中,其中所述一个或多个基板载体内的相对湿度及含氧量减少至与所述EFEM中再循环的所述气体内的相对湿度及含氧量大约相同的水平。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种设备前端模块(efem),包含:

2.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个管道沿所述第一壁延伸。

3.如权利要求2所述的设备前端模块,其中所述多个管道的至少一个管道被构造为在两个相邻装载口之间延伸。

4.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个装载端口被构造为接收一个或多个基板载体,及其中所述多个流动元件被构造为导致所述低压状态来促使所述一个或多个基板载体的第一环境与所述efem的第二环境的交互混合。

5.如权利要求4所述的设备前端模块,其中所述一个或多个基板载体的内部腔室对所述efem腔室开放,并且所述一个或多个基板载体被耦接至所述一个或多个装载口。

6.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件包含开口、孔口、洞、或前述的任二者或更多者的组合中的一者或多者。

7.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件的各者具有大约1mm到大约1cm的直径。

8.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件以行和列布置在所述一个或多个管道中或在所述一个或多个管道上,且所述多个流动元件被布置为接近所述一个或多个装载口。

9.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个流动元件被构造为诱导通过所述一个或多个管道的至少部分气流中的扰动。

10.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述一个或多个管道的至少一个管道包含第一侧及相反的第二侧,所述第一侧具有接近第一装载口的第一组流动元件,所述第二侧具有接近第二装载口的第二组流动元件。

11.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:保罗·本杰明·路透史蒂文·特雷·廷德尔
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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