【技术实现步骤摘要】
本申请有关于一种真空烘烤机构，特别是指一种具有缓冲处理的真空烘烤机构。
技术介绍
1、于现今的半导体制程设备中，半导体设备会在不同腔体间运送基板，以对基板进行蚀刻、镀膜、清洁、冷却等腔体作不同的处理。然而，在基板等待进入腔体前，基板可能会因大气环境下与空气接触而使空气中的水分吸附于基板表面，进而影响基板后续制程的良率。
2、为了解决水气或残留物形成于基板上而造成后续制程良率上的影响，一般会使用真空烤箱对基板进行真空烘烤后，才会运送至后续制程机台。真空烘烤的作法为将多个基板置入真空烤箱内部后，关闭闸门并抽去真空烤箱内的空气，接着再进行加热烘烤，以去除基板上的水气或者残留物。待烘烤完成，闸门开启并取出基板运送至后续制程机台进行制程作业。然而，这样的作法会有几个问题：
3、一、使真空烤箱达到真空状态所需要的抽气时间长，又必须在取出基板时要进行破真空处理，每一批次的基板进出都会重新这个循环，耗费时间很长，这将大幅降低真空烤箱的使用效率。
4、二、每一批次的基板进出都将需要重复的进行升温及降温的程序，升温及降温程序也会耗费相当时间，影响真空烤箱的使用效率。
5、三、由于后续制程会需要逐一对基板进行制程加工，完成真空烘烤后的多个基板将有可能于等待后续制程的时间内，使得水气重新附着于基板上，减损了真空烘烤的效果。
6、由上述说明可知，现有技术中真空烤箱的作法不论在效率上、烘烤效果上都不尽理想。因此，如何解决前述问题成为业者的一大课题。
技术实现思路
1、本申请的主要目的，在于改善过去的真空烤箱烘烤效率低及无法解决水气重新附着的问题。
2、前述目的并不妨碍其他目的的存在。若本领域技术人员自说明书、权利要求或附图等的记载可以导出的目的，也包括在本申请目的中。因此，本申请的目的不局限于前述列举的目的。
3、为达成上述目的，本申请提供一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其与一制程机构连接，以对多个基材进行烘烤，真空烘烤机构包括：一基材转运站、一第一缓冲腔体及一真空烘烤腔体。基材转运站与制程机构相邻，基材转运站包括一转运传输模组，转运传输模组用以取放这些基材；第一缓冲腔体相邻于基材转运站，第一缓冲腔体包括一第一缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第一传输模组以及一第一烘烤进出口，第一缓冲闸门相邻于基材转运站，这些基材通过第一缓冲闸门进出第一缓冲腔体，这些第一传输模组设置于第一缓冲闸门与第一烘烤进出口之间，用以接收或输出各基材进出第一缓冲闸门或第一烘烤进出口，而第一抽真空模组于第一缓冲闸门关上时进行抽真空；真空烘烤腔体连接第一缓冲腔体，真空烘烤腔体包括一与第一烘烤进出口连接的第一烘烤闸门及一烘烤模组，第一烘烤闸门控制真空烘烤腔体与第一缓冲腔体之间的连通，烘烤模组对这些基材进行真空烘烤。
4、于本申请一较佳实施例中，基材转运站还包括一与转运传输模组连接的垂直升降模组，垂直升降模组控制转运传输模组于基材转运站进行垂直方向的移动。
5、于本申请一较佳实施例中，第一缓冲闸门有多个，第一缓冲闸门有多个，这些第一缓冲闸门分别对应这些第一传输模组位置设置。
6、于本申请一较佳实施例中，第一缓冲腔体还包括一第一冷却模组，用以对这些基材进行冷却。
7、于本申请一较佳实施例中，第一缓冲腔体包括一第一氮气模组，第一氮气模组设置于第一缓冲闸门与第一烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。
8、于本申请一较佳实施例中，还包括一相邻于基材转运站并与真空烘烤腔体连接的第二缓冲腔体，第二缓冲腔体包括一第二缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第二传输模组、一第二烘烤进出口以及一第三抽真空模组，第二缓冲闸门相邻于基材转运站，这些基材通过第二缓冲闸门进出第二缓冲腔体，这些第二传输模组对应这些基材进出位置设置，用以接收或输出各基材进出第二缓冲闸门或第二烘烤进出口，而第三抽真空模组于第二缓冲闸门关上时进行抽真空。
9、于本申请一较佳实施例中，基材转运站、第一缓冲腔体、第二缓冲腔体及真空烘烤腔体为方形，第一缓冲腔体与第二缓冲腔体分别设于基材转运站相邻接的两侧面，并且第一缓冲腔体与第二缓冲腔体也分别连接于真空烘烤腔体相邻接的两侧面，以使基材转运站、第一缓冲腔体、第二缓冲腔体及真空烘烤腔体呈田字形组合。
10、于本申请一较佳实施例中，真空烘烤腔体还包括一与第二烘烤进出口连接的第二烘烤闸门，第二烘烤闸门控制真空烘烤腔体与第二缓冲腔体之间的连通。
11、于本申请一较佳实施例中，第二缓冲腔体还包括一第二冷却模组，用以对这些基材进行冷却。
12、于本申请一较佳实施例中，第二缓冲闸门有多个，这些第二缓冲闸门对应这些第二传输模组位置设置。
13、于本申请一较佳实施例中，第二缓冲腔体包括一第二氮气模组，第二氮气模组设置于第二缓冲闸门与第二烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。
14、依据上述技术特征，本申请包括以下特点：
15、一、通过第一缓冲腔体作为真空烘烤腔体的缓冲处理，避免真空烘烤腔体需直接与大气环境接触，而使得真空烘烤腔体进行下一批次基材烘烤之前又需要重新抽真空的问题，大幅度的降低真空烘烤腔体进行真空烘烤所需的准备时间，提高烘烤的效率。
16、二、第一缓冲腔体可作为这些基材烘烤后的降温等待区，避免真空烘烤腔体进行大幅度降温，而又需要在下一批次基材烘烤时，重新进行升温作业，借以减少真空烘烤腔体升降温作业所需的准备时间。
17、三、通过第一缓冲腔体的设置，避免这些基材从真空烘烤腔体取出后，这些基材需直接暴露于大气环境中等待后续制程的情形。如此一来，可降低这些基材暴露于大气环境中的等待时间，进而减少这些基材重新被水气吸附的情形，借以提高制程的良率与品质。
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1.一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其与一制程机构连接，以对多个基材进行烘烤，其特征在于，该真空烘烤机构包括：
2.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该基材转运站还包括一与该转运传输模组连接的垂直升降模组，该垂直升降模组控制该转运传输模组于该基材转运站进行垂直方向的移动。
3.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲闸门有多个，这些第一缓冲闸门分别对应这些第一传输模组位置设置。
4.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体还包括一第一冷却模组，用以对这些基材进行冷却。
5.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体包括一第一氮气模组，该第一氮气模组设置于该第一缓冲闸门与该第一烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。
6.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，还包括一相邻于该基材转运站并与该真空烘烤腔体连接的第二缓冲腔体，该第二缓冲腔体包括一第二缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第二
7.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该基材转运站、该第一缓冲腔体、该第二缓冲腔体及该真空烘烤腔体为方形，该第一缓冲腔体与该第二缓冲腔体分别设于该基材转运站相邻接的两侧面，并且该第一缓冲腔体与该第二缓冲腔体也分别连接于该真空烘烤腔体相邻接的两侧面，以使该基材转运站、该第一缓冲腔体、该第二缓冲腔体及该真空烘烤腔体呈田字形组合。
8.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该真空烘烤腔体还包括一与该第二烘烤进出口连接的第二烘烤闸门，该第二烘烤闸门控制该真空烘烤腔体与该第二缓冲腔体之间的连通。
9.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲腔体还包括一第二冷却模组，用以对这些基材进行冷却。
10.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲闸门有多个，这些第二缓冲闸门对应这些第二传输模组位置设置。
11.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲腔体包括一第二氮气模组，该第二氮气模组设置于该第二缓冲闸门与该第二烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。
...【技术特征摘要】
1.一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其与一制程机构连接，以对多个基材进行烘烤，其特征在于，该真空烘烤机构包括：
2.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该基材转运站还包括一与该转运传输模组连接的垂直升降模组，该垂直升降模组控制该转运传输模组于该基材转运站进行垂直方向的移动。
3.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲闸门有多个，这些第一缓冲闸门分别对应这些第一传输模组位置设置。
4.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体还包括一第一冷却模组，用以对这些基材进行冷却。
5.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体包括一第一氮气模组，该第一氮气模组设置于该第一缓冲闸门与该第一烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。
6.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，还包括一相邻于该基材转运站并与该真空烘烤腔体连接的第二缓冲腔体，该第二缓冲腔体包括一第二缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第二传输模组、一第二烘烤进出口以及一第三抽真空模组，该第二缓冲闸门相邻于该基材转运站，这些基材通过该第二缓冲闸门进出该第二缓冲腔体，这些第二传输模组对应这些基材进出位置设...
【专利技术属性】
技术研发人员：李原吉，刘品均，蔡明展，林岱蔚，郑耿旻，邱敬凯，杨正暐，曾进男，林栩，
申请(专利权)人：友威科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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