【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体器件，具体涉及一种功率半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着产品应用的发展，对金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor，mosfet)器件的性能的要求越来越高，普通的沟槽型(trench)mosfet器件由于设计的局限性，会产生较大的电流密度，使芯片面积大幅减小，导致雪崩电流密度很大，使得trench mosfet器件的雪崩耐量(energy of avalancheswitching，eas)降低，导致mosfet器件出现温度升高、功能失效以及可靠性下降等问题，限制trench mosfet器件的发展和应用。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种功率半导体器件及其制作方法，通过本专利技术提供的功率半导体器件及其制作方法，能够极大地提高功率半导体器件的雪崩耐量，减少雪崩击穿的现象。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过如下的技术方案实现的。
3、本专利技术提出一种功率半导体器件，至少包括：
4、衬底，包括源区，所述源区包括沟槽牺牲区和元胞区，且所述沟槽牺牲区设置在所述源区的横向和纵向方向上，并贯穿所述源区；
5、外延层，设置在所述衬底上，且所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；
6、源区多晶硅，设置在所述元胞区的所述外延层内；
7、第一掺杂区，设置在所述源区的所述外延层内；
<...【技术保护点】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽牺牲区设置在所述源区的横向方向和纵向方向的中间位置。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口宽度大于所述第二接触孔的开口宽度。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口深度大于所述第二接触孔的开口深度。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口深度小于所述第一掺杂区的深度。
6.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二接触孔的开口深度大于所述第二掺杂区的深度。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述源区多晶硅在所述沟槽牺牲区内断开，所述沟槽牺牲区内未设置所述源区多晶硅。
8.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一接触孔和所述第二接触孔同步形成。
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【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽牺牲区设置在所述源区的横向方向和纵向方向的中间位置。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口宽度大于所述第二接触孔的开口宽度。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口深度大于所述第二接触孔的开口深度。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的开口深度小于所述第一掺杂区的深度。
6.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李学会，刘正，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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