【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备，具体涉及一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备。
技术介绍
1、在半导体ic(集成电路)制程中，需采用化学气相沉积(cvd)法在晶圆表面沉积固态薄膜(film)。在成膜过程中，晶圆下端置于加热器(加热盘)顶部的凹槽内，为便于转移沉积完成的晶圆，需要通过顶针将晶圆向上顶离加热器。现有晶圆顶针，为实心的杆体。
2、经专利技术人研究发现，由于晶圆下端贴合在加热盘上端，在顶针顶推晶圆时，晶圆上端与下端之间存在气压差，顶针顶出的阻力较大，且容易导致晶圆相对于加热盘滑动，使得晶圆厚度不均匀，并且晶圆与加热盘摩擦将产生粉末，影响晶圆的质量。
技术实现思路
1、针对现有晶圆顶推装置在顶推晶圆时，晶圆容易与加热器产生相对滑动的技术问题；本专利技术提供了一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备，能够平衡晶圆上端和晶圆下端之间的气压，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
2、本专利技术通过下述技术方案实现：
3、第一方面，本专利技术提供了一种晶圆顶针，包括顶针本体，所述顶针本体设有均压通道，所述均压通道用于连通所述顶针本体上端与所述顶针本体所处的环境。
4、经专利技术人研究发现，由于现有技术中，为确保晶圆在沉积固态薄膜后，晶圆顶推受力的均匀性，在加热盘上均布有多个顶针，且多个顶针所围成的面积小于晶圆的面积，使得晶圆贴合在加热盘上时将顶针孔堵
5、而本专利技术提供的晶圆顶针，在顶针本体上设有均压通道，且均压通道能够连通顶针本体上端与顶针本体所处的环境，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，因此，能够平衡晶圆上端和晶圆下端之间的气压，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
6、在一可选的实施例方式中，所述均压通道包括竖向孔，所述竖向孔沿所述顶针本体长度方向贯穿所述顶针本体，从顶针本体上端往下贯穿顶针本体，不仅便于生产加工，相对于弯曲的孔道，排气阻力小，便于气体流通。
7、在一可选的实施例方式中，所述均压通道还包括侧向孔，所述侧向孔由所述顶针本体侧面延伸至所述竖向孔，以增加均压通道的气体流通能力，进一步避免晶圆在气压差下相对于加热台滑动。
8、在一可选的实施例方式中，所述侧向孔沿所述顶针本体长度方向交错设置，以避免因在顶针侧壁开孔而影响顶针的结构强度，确保顶针满足顶推晶圆的结构强度需求。
9、在一可选的实施例方式中，所述侧向孔在所述顶针本体轴向投影面内的间距相同，以便于侧向孔的加工。
10、在一可选的实施例方式中，所述竖向孔的孔径为3～5mm，在确保竖向孔有足够气体流通能力的同时，避免对顶针的结构强度造成影响。
11、在一可选的实施例方式中，所述顶针本体的材质为陶瓷，以确保顶针本体有足够的绝缘性能。
12、在一可选的实施例方式中，所述顶针本体为平头顶针，使得顶针本体上端与晶圆有足够的接触面积，确保晶圆在顶升过程中的稳定性。
13、第二方面，本专利技术提供了一种晶圆顶推装置，包括推板和用于驱动推板直线移动的直线驱动组件，于所述推板上竖向间隔设有多个上述的晶圆顶针，且所述推板与所述顶针本体之间设有与所述均压通道连通的气体流道。
14、本专利技术提供的晶圆顶推装置，采用上述的晶圆顶针，顶针本体的均压通与气体流道连通，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
15、第三方面，本专利技术提供了一种气相沉积设备，包括气相沉积室，所述气相沉积室内设有加热盘和上述晶圆顶推装置；所述加热盘设有多个顶针孔，所述顶针孔由所述加热盘上端面向下延伸；所述顶针本体可沿所述顶针孔长度方向移动，以通过顶针本体的上移将晶圆顶离所述加热盘。
16、本专利技术提供的气相沉积设备，采用上述的晶圆顶推装置，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
17、本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
18、1、本专利技术提供的晶圆顶针，在顶针本体上设有均压通道，且均压通道能够连通顶针本体上端与顶针本体所处的环境，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，因此，能够平衡晶圆上端和晶圆下端之间的气压，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
19、2、本专利技术提供的晶圆顶推装置，采用上述的晶圆顶针，顶针本体的均压通与气体流道连通，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
20、3、本专利技术提供的气相沉积设备，在气相沉积室内设置有上述的晶圆顶推装置，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。
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1.一种晶圆顶针，包括顶针本体(100)，其特征在于，所述顶针本体(100)设有均压通道(110)，所述均压通道(110)用于连通所述顶针本体(100)上端与所述顶针本体(100)所处的环境。
2.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)包括竖向孔(111)，所述竖向孔(111)沿所述顶针本体(100)长度方向贯穿所述顶针本体(100)。
3.根据权利要求2所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)还包括侧向孔(112)，所述侧向孔(112)由所述顶针本体(100)侧面延伸至所述竖向孔(111)。
4.根据权利要求3所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)沿所述顶针本体(100)长度方向交错设置。
5.根据权利要求4所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)在所述顶针本体(100)轴向投影面内的间距相同。
6.根据权利要求2所述的晶圆顶针，其特征在于，所述竖向孔(111)的孔径为3～5mm。
7.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述顶针本体(100)的材
8.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述顶针本体(100)为平头顶针。
9.一种晶圆顶推装置，包括推板(200)和用于驱动推板(200)直线移动的直线驱动组件(300)，其特征在于，于所述推板(200)上竖向间隔设有多个如权利要求1～8中任意一项所述的晶圆顶针，且所述推板(200)与所述顶针本体(100)之间设有与所述均压通道(110)连通的气体流道。
10.一种气相沉积设备，包括气相沉积室，其特征在于，所述气相沉积室内设有加热盘(400)和权利要求9所述晶圆顶推装置；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆顶针，包括顶针本体(100)，其特征在于，所述顶针本体(100)设有均压通道(110)，所述均压通道(110)用于连通所述顶针本体(100)上端与所述顶针本体(100)所处的环境。
2.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)包括竖向孔(111)，所述竖向孔(111)沿所述顶针本体(100)长度方向贯穿所述顶针本体(100)。
3.根据权利要求2所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)还包括侧向孔(112)，所述侧向孔(112)由所述顶针本体(100)侧面延伸至所述竖向孔(111)。
4.根据权利要求3所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)沿所述顶针本体(100)长度方向交错设置。
5.根据权利要求4所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐康元，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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