【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件测试的，尤其是一种半导体器件的测试方法及系统。
技术介绍
1、半导体器件是使用半导体材料制造的电子元件，用于控制、放大、开关或测量电流和电压，它们是现代电子设备中的关键组成部分，并广泛应用于各个领域。
2、常见的半导体器件类型包括：二极管、可控硅、晶体管、集成电路、传感器、光电器件等；在半导体器件的生产过程中，通常会在性能参数之外预留一部分性能，也就是说，半导体器件可以标准的性能参数之外的工作场景中完成工作，这一设置的目的在于，确保半导体器件能够在标准的性能参数的工作场景中能够进行工作。
3、现有技术中，半导体测试装置通常为半导体生产商服务，用于在半导体器件的生产工序中分别对各个阶段的半导体器件进行测试，来判断制造过程中的半导体器件是否符合标准，而对于半导体器件的使用厂商而言，缺少对半导体器件的检测设备，对半导体器件的性能检测无法达到半导体生产商的深度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的测试方法及系统，旨在解决现有技术中半导体器件的使用厂商对半导体器件的检测深度较低的问题。
2、本专利技术是这样实现的，第一方面，本专利技术提供一种半导体器件的测试方法，包括：
3、获取半导体器件的型号信息，根据所述半导体器件的型号信息获取所述半导体器件的各项性能参数，并根据所述半导体器件的型号信息和各项性能参数生成所述半导体器件的半导体晶圆模型；所述半导体晶圆模型用于描述所述半导体器件中的半导体晶圆的状
4、根据所述半导体器件的各项性能参数确定所述半导体器件的极限工作场景，并根据所述极限工作场景构建第一测试电路，基于所述第一测试电路进行电路运行的测试，通过所述第一测试电路的测试结果获取所述半导体晶圆模型的第一模型参数；
5、在所述半导体器件的各项性能参数的基础上，进行若干等级的性能预留推算，以获取所述半导体器件对应各个等级的性能预留推算的预留工作场景，并根据各个所述预留工作场景构建第二测试电路，基于所述第二测试电路进行电路运行的测试，通过所述第二测试电路的测试结果获取所述半导体晶圆模型的第二模型参数；
6、将所述第一模型参数和所述第二模型参数代入所述半导体晶圆模型，以获取所述半导体晶圆模型的状态数据。
7、优选地，根据所述半导体器件的型号信息和各项性能参数生成所述半导体器件的半导体晶圆模型的步骤包括：
8、获取所述半导体器件的型号信息，根据所述半导体器件的型号信息在预设的数据库中调取对应的半导体晶圆规格数据并应用在所述半导体晶圆模型中；
9、根据所述半导体器件的各项性能参数生成半导体晶圆模型的性能标签，并将所述性能标签与所述半导体晶圆模型进行绑定。
10、优选地，根据所述半导体器件的各项性能参数确定所述半导体器件的极限工作场景，并根据所述极限工作场景构建第一测试电路，基于所述第一测试电路进行电路运行的测试，通过所述第一测试电路的测试结果获取所述半导体晶圆模型的第一模型参数的步骤包括：
11、根据所述半导体器件的各项性能参数确定所述半导体器件的极限性能参数，并根据所述极限性能参数构建所述半导体器件的极限工作场景；所述极限工作场景是所述半导体器件的性能参数保持在极限性能参数时进行工作的工作场景；
12、根据所述极限工作场景构建所述第一测试电路，并对所述第一测试电路进行电路运行的测试，以获取所述第一测试电路的运行状态数据；
13、按预设的标准对所述运行状态数据进行判断，以获取所述半导体器件在所述极限工作场景下的实际性能参数，将所述实际性能参数作为所述半导体晶圆模型的第一模型参数。
14、优选地，在所述半导体器件的各项性能参数的基础上，进行若干等级的性能预留推算，以获取所述半导体器件对应各个等级的性能预留推算的预留工作场景的步骤包括：
15、获取所述半导体器件的半导体晶圆规格数据，根据所述半导体晶圆规格数据获取对应的所述半导体器件的理论极限性能参数；
16、获取所述半导体器件的各项性能参数，并将所述理论极限性能参数与所述性能参数进行差值计算和分级，将各个分级的差值与所述性能参数相加，获得对应各个等级的性能预留推算的推算性能参数；
17、根据各个等级的性能预留推算的推算性能参数分别生成对应的所述预留工作场景。
18、优选地，将所述第一模型参数和所述第二模型参数代入所述半导体晶圆模型，以获取所述半导体晶圆模型的状态数据的步骤包括：
19、将所述第一模型参数代入所述半导体晶圆模型中的所述性能标签，通过所述第一模型参数与所述性能标签中的所述性能参数的比较，得到所述半导体晶圆模型的基础状态数据；
20、将对应各个等级的性能预留推算的第二模型参数分别代入至所述半导体晶圆模型中的所述性能标签，通过各个所述第二模型参数与所述性能标签中的性能参数的比较，得到所述半导体晶圆模型的附加状态数据，将所述附加状态数据与所述基础状态数据进行叠加，得到所述半导体晶圆的状态数据。
21、优选地，还包括：
22、对同一批次的所述半导体器件随机抽取若干代表测试件，并对各个所述代表测试件分别进行测试，获取各个所述代表测试件的半导体晶圆的状态数据；
23、根据各个所述代表测试件的状态数据生成该批次的所述半导体器件的质量分布图谱。
24、第二方面，本专利技术提供一种半导体器件的测试系统，包括存储器和处理器，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面任一项所述的一种半导体器件的测试方法。
25、优选地，还包括测试电路装置；
26、所述测试电路装置上设置有若干电子元件单元和若干电路开关单元，所述电路开关单元用于控制各个所述电子元件单元的连通与断开，以构建第一测试电路和第二测试电路；
27、所述测试电路装置上还设置有若干安装位，所述安装位用于设置半导体器件。
28、优选地，还包括：夹持机械臂和图像采集装置；所述夹持机械臂用于对半导体器件进行夹持移动，所述图像采集装置用于对半导体器件进行图像识别，以获取半导体器件的型号信息。
29、本专利技术提供了一种半导体器件的测试方法，具有以下有益效果：
30、本专利技术通过对半导体器件的识别，获取半导体器件的晶圆规格和性能参数，从而对半导体器件进行极限性能的第一轮测试和预留性能的第二轮测试，通过测试的结果获取半导体晶圆的状态数据，相对于对半导体器件进行简单的性呢个测试，能够对半导体器件进行更为深层次的性能认知，解决了现有技术中半导体器件的使用厂商对半导体器件的检测深度较低的问题。
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1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，根据所述半导体器件的型号信息和各项性能参数生成所述半导体器件的半导体晶圆模型的步骤包括：
3.如权利要求1所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，根据所述半导体器件的各项性能参数确定所述半导体器件的极限工作场景，并根据所述极限工作场景构建第一测试电路，基于所述第一测试电路进行电路运行的测试，通过所述第一测试电路的测试结果获取所述半导体晶圆模型的第一模型参数的步骤包括：
4.如权利要求2所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，在所述半导体器件的各项性能参数的基础上，进行若干等级的性能预留推算，以获取所述半导体器件对应各个等级的性能预留推算的预留工作场景的步骤包括：
5.如权利要求4所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，将所述第一模型参数和所述第二模型参数代入所述半导体晶圆模型，以获取所述半导体晶圆模型的状态数据的步骤包括：
6.如权利要求1所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，还包括：
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1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，根据所述半导体器件的型号信息和各项性能参数生成所述半导体器件的半导体晶圆模型的步骤包括：
3.如权利要求1所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，根据所述半导体器件的各项性能参数确定所述半导体器件的极限工作场景，并根据所述极限工作场景构建第一测试电路，基于所述第一测试电路进行电路运行的测试，通过所述第一测试电路的测试结果获取所述半导体晶圆模型的第一模型参数的步骤包括：
4.如权利要求2所述的一种半导体器件的测试方法，其特征在于，在所述半导体器件的各项性能参数的基础上，进行若干等级的性能预留推算，以获取所述半导体器件对应各个等级的性能预留推算的预留工作场景的步骤包括：
5.如权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张西刚，李杲宇，
申请(专利权)人：深圳市深鸿盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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