【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，具体地，涉及用于控制目标mos管的阈值电压变化的控制电路。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)集成电路设计中，mos管参数会随工艺(process)和温度(temperature)的不同产生偏差，此外电路供电电压(voltage)的偏差也会让电路变化，从而直接影响电路整体性能，因此减少工艺-电压-温度(pvt)对电路的影响至关重要。
2、工艺变化会影响本征掺杂浓度从而影响cmos的阈值电压，温度变化也会造成费米能级变化而造成阈值电压随温度变化。阈值电压细微的偏差不仅对模拟电路的电路性能影响较为明显，严重时甚至导致数字电路无法正常工作。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种用于控制目标mos管的阈值电压变化的控制电路。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种用于控制目标mos管的阈值电压变化的控制电路。该控制电路包括：参考阈值电压产生电路、温度偏差检测电路、背栅电压调整电路。其中，参考阈值电压产生电路包括参考mos管。参考阈值电压产生电路被配置为：根据参考mos管的阈值电压生成参考阈值电压。温度偏差检测电路包括对照mos管。对照mos管的尺寸与目标mos管的尺寸相同。对照mos管的阈值电压与目标mos管的阈值电压具有相同的温度特性。温度偏差检测电路被配置为：控制对照mos管处于与目标mos管相同的工作状态，并根据对照mos管的阈值电压
3、在本公开的一些实施例中，对照mos管和目标mos管是pmos晶体管。温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第一电压控制电路。其中，第一电流源耦接对照mos管的第二极。第一电流源被配置为向对照mos管提供第一恒定电流。第一电压控制电路被配置为：生成第一控制电压。第一控制电压等于对照阈值电压与目标mos管的源栅电压之和。对照mos管的控制极耦接对照mos管的第二极。对照mos管的第一极被提供第一控制电压。从对照mos管的第二极输出对照阈值电压。
4、在本公开的一些实施例中，对照mos管和目标mos管是nmos晶体管。温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第二电压控制电路。其中，第一电流源耦接对照mos管的第一极。第一电流源被配置为向对照mos管提供第一恒定电流。第二电压控制电路被配置为：生成第二控制电压。第二控制电压等于对照阈值电压与目标mos管的栅源电压之和。对照mos管的控制极耦接对照mos管的第二极。对照mos管的第二极被提供第二控制电压。从对照mos管的第一极输出对照阈值电压。
5、在本公开的一些实施例中，参考mos管是pmos晶体管。参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源。其中，第二电流源耦接参考mos管的第二极。第二电流源被配置为向参考mos管提供第二恒定电流。参考mos管的控制极耦接参考mos管的第二极。参考mos管的第一极耦接第一电压端。从参考mos管的控制极输出参考阈值电压。
6、在本公开的一些实施例中，参考mos管是nmos晶体管。参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源。其中，第二电流源耦接参考mos管的第二极。第二电流源被配置为向参考mos管提供第二恒定电流。参考mos管的控制极耦接参考mos管的第二极。参考mos管的第一极耦接第二电压端。从参考mos管的控制极输出参考阈值电压。
7、在本公开的一些实施例中，参考阈值电压产生电路还包括：工艺偏差检测电路和修调电路。工艺偏差检测电路被配置为：根据基准电压与参考阈值电压之间的第二电压差来生成修调电压。修调电路被配置为：根据修调电压来生成修调电流并从参考mos管的第二极处向参考mos管提供修调电流，从而调整参考阈值电压。其中，修调电流与第二电压差负相关。
8、在本公开的一些实施例中，参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，工艺偏差检测电路和修调电路。其中，第二电流源耦接参考mos管的第二极。第二电流源被配置为向参考mos管提供第二恒定电流。参考mos管的控制极耦接参考mos管的第二极。参考mos管是pmos晶体管。参考mos管的第一极耦接第一电压端。工艺偏差检测电路被配置为：根据基准电压与参考阈值电压之间的第二电压差来生成修调电压。修调电路包括：开关控制电路、多个压控开关、在第一电压端与第二电压端之间相互串联的第一电阻器和多个第二电阻器。第一电阻器的第一端耦接第一电压端。第一电阻器的第二端耦接参考mos管的控制极和一个第二电阻器的第一端。每个第二电阻器的第一端耦接一个压控开关的第一端。每个压控开关的第二端耦接修调电路的输出端。从输出端输出参考阈值电压。开关控制电路被配置为：根据修调电压来控制多个压控开关中的一个压控开关闭合，以使得第一电压端与输出端之间的等效电阻值与第二电压差负相关。
9、在本公开的一些实施例中，参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，工艺偏差检测电路和修调电路。其中，第二电流源耦接参考mos管的第二极。第二电流源被配置为向参考mos管提供第二恒定电流。参考mos管的控制极耦接参考mos管的第二极。参考mos管是nmos晶体管。参考mos管的第一极耦接第二电压端。工艺偏差检测电路被配置为：根据基准电压与参考阈值电压之间的第二电压差来生成修调电压。修调电路包括：开关控制电路、多个压控开关、在第一电压端与第二电压端之间相互串联的第一电阻器和多个第二电阻器。第一电阻器的第一端耦接第一电压端。第一电阻器的第二端耦接参考mos管的控制极和一个第二电阻器的第一端。每个第二电阻器的第一端耦接一个压控开关的第一端。每个压控开关的第二端耦接修调电路的输出端。从输出端输出参考阈值电压。开关控制电路被配置为：根据修调电压来控制多个压控开关中的一个压控开关闭合，以使得第一电压端与输出端之间的等效电阻值与第二电压差负相关。
10、在本公开的一些实施例中，背栅电压调整电路包括：第一运放和背栅驱动电路。其中，第一运放的第一输入端被提供参考阈值电压。第一运放的第二输入端被提供对照阈值电压。从第一运放的输出端输出误差电压。背栅驱动电路被配置为：根据误差电压生成背栅电压。
11、在本公开的一些实施例中，背栅电压调整电路还包括：过压保护电路。其中，过压保护电路被配置为：在背栅电压高于预设安全电压的情况下，向背栅驱动电路提供处于无效电平的使能信号。背栅驱动电路还被配置为：在使能信号处于无效电平的情况下将背栅电压限制为预设安全电压。
12、在本公开的一些实施例中，背栅驱动电路包括：第一压控开关、第二压控开关、反相器、第一驱动电路和第二驱动电路。其中，第一驱动电路被配置为：提高误差电压的驱动力以生成第一驱动电压。第二驱动电路被配置为：提高预设安全电压的驱动力以生成第二驱动电压。第一压控开关的受控端被提供使能信号。第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于控制目标MOS管的阈值电压变化的控制电路，包括：参考阈值电压产生电路、温度偏差检测电路、背栅电压调整电路，
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述对照MOS管和所述目标MOS管是PMOS晶体管，所述温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第一电压控制电路，
3.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述对照MOS管和所述目标MOS管是NMOS晶体管，所述温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第二电压控制电路，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，其中，所述参考MOS管是PMOS晶体管，所述参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，其中，所述参考MOS管是NMOS晶体管，所述参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，
6.根据权利要求4或5所述的控制电路，所述参考阈值电压产生电路还包括：工艺偏差检测电路和修调电路，
7.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，所述参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，工艺偏差检测电路和修调电路，
8
9.根据权利要求8所述的控制电路，其中，所述背栅电压调整电路还包括：过压保护电路，
10.一种用于控制目标MOS管的阈值电压变化的控制电路，包括：参考MOS管、对照MOS管、第一电流源、第一电压控制电路、第二电流源、第一运放、第二运放、第三运放、第一压控开关、第二压控开关、反相器、第一驱动电路、第二驱动电路和修调电路，
...【技术特征摘要】
1.一种用于控制目标mos管的阈值电压变化的控制电路，包括：参考阈值电压产生电路、温度偏差检测电路、背栅电压调整电路，
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述对照mos管和所述目标mos管是pmos晶体管，所述温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第一电压控制电路，
3.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述对照mos管和所述目标mos管是nmos晶体管，所述温度偏差检测电路还包括：第一电流源和第二电压控制电路，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，其中，所述参考mos管是pmos晶体管，所述参考阈值电压产生电路还包括：第二电流源，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，其中，所述参考mos管是nmos晶体管，所述参考阈值电压产生电路还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：张义桢，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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