一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路制造技术

本技术公开了一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，涉及MOSFET驱动领域，该微逆逆变侧MOSFET驱动电路包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地，与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术所使用的元器件相较于传统的微逆逆变侧MOSFET驱动电路而言要少很多，更简便更节省成本，满足微逆产品向小体积、低成本发展的需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及mosfet驱动领域，具体是一种微逆逆变侧mosfet驱动电路。

技术介绍

1、目前微逆逆变侧mosfet使用的驱动电路较为复杂，常见的方案如图1所示，通过隔离光耦对mosfet进行驱动，光耦原边通过一颗反相器单元增强驱动，驱动光耦原边的发光二极管。在光耦副边，通过两颗反相器单元增强对mosfet的驱动。

2、现有的微逆逆变侧mosfet驱动电路器件较多，体积较大，需要改进。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种微逆逆变侧mosfet驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：

3、一种微逆逆变侧mosfet驱动电路，包括光耦u1，光耦u1的第一端通过电阻r4连接控制信号on/off，光耦u1的第二端接地，光耦u1的第四端连接供电电压，光耦u1的第三端连接电阻r3的一端，电阻r3的另一端连接mosfet的第一端，mosfet的第二端连接火线l或零线n，mosfet的第三端连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端接地。

4、作为本技术再进一步的方案：所述微逆逆变侧mosfet驱动电路还包括电阻r1，电阻r1的一端连接mosfet的第一端，电阻r1的另一端连接mosfet的第三端。

5、作为本技术再进一步的方案：电阻r1的阻值为4.7kω。

6、作为本技术再进一步的方案：供电电压为12v电压。

7、作为本技术再进一步的方案：电阻r3阻值为51ω，电阻r4阻值为3.3kω。

8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术所使用的元器件相较于传统的微逆逆变侧mosfet驱动电路而言要少很多，更简便更节省成本，满足微逆产品向小体积、低成本发展的需求。

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【技术保护点】

1.一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于：该微逆逆变侧MOSFET驱动电路包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，所述微逆逆变侧MOSFET驱动电路还包括电阻R1，电阻R1的一端连接MOSFET的第一端，电阻R1的另一端连接MOSFET的第三端。

3.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，电阻R1的阻值为4.7KΩ。

4.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，供电电压为12V电压。

5.根据权利要求3所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，电阻R3阻值为51Ω，电阻R4阻值为3.3KΩ。

【技术特征摘要】

1.一种微逆逆变侧mosfet驱动电路，其特征在于：该微逆逆变侧mosfet驱动电路包括光耦u1，光耦u1的第一端通过电阻r4连接控制信号on/off，光耦u1的第二端接地，光耦u1的第四端连接供电电压，光耦u1的第三端连接电阻r3的一端，电阻r3的另一端连接mosfet的第一端，mosfet的第二端连接火线l或零线n，mosfet的第三端连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的微逆逆变侧mosfet驱动电路，其特征在于，所述微...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘安家，王柳，倪健，
申请(专利权)人：苏州腾圣技术有限公司，
类型：新型
国别省市：