【技术实现步骤摘要】
本技术是一种磁控溅射靶材，属于磁控溅射。
技术介绍
1、磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
2、传统的磁控溅射靶材采用整体设计，靶材表面平整，靶材各部分厚度均一，没有考虑磁场及溅射速率的不均匀性，磁场并不是处处均匀的，这样的磁场在磁控溅射中将会使等离子体在不同的区域浓度不一样，进而可能出现靶材在不同区域刻蚀不均匀的，致使靶材的材料利用率偏低，一般在30％左右，现在急需一种磁控溅射靶材来解决上述出现的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种磁控溅射靶材，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术结构合理，通过设置的凹槽改变靶体表面结构，使得靶体的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体的材料利用率。
2、为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种磁控溅射靶材，包括靶体、凹槽、中心台、背板、定位圈以及凸台，所述背板上侧设置有凸台，所述凸台上侧设置有靶体，所述靶体下端面边缘部位设置有定位圈，所述靶体上端面内部开设有凹槽，所述凹槽中心部位设置有中心台，所述靶体下端面设置有定位块，所述凸台
3、进一步地，所述靶体上端面边缘设置有弧形倒角。
4、进一步地，所述凹槽底面呈弧形结构。
5、进一步地，所述凸台环形侧面上侧开设有阶梯槽，所述阶梯槽深度与定位圈厚度相同，所述阶梯槽高度与定位高度相同，所述阶梯槽内径定位圈内径相同。
6、进一步地，所述定位块环形侧面设置有限位卡块，所述限位卡块设置有四组，四组所述限位卡块呈等角度排列结构，所述定位槽内部开设有限位卡槽，所述限位卡槽规格与限位卡块规格相同。
7、进一步地，所述凸台直径与靶体直径相同。
8、通过采用上述技术方案，本技术的有益效果是：本技术的一种磁控溅射靶材，通过设置的靶体、凹槽、中心台、背板、定位块、凸台以及定位槽，该设计通过设置的凹槽改变靶体表面结构，使得靶体的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体的材料利用率，解决了原有磁控溅射靶材采用整体设计，靶材表面平整，靶材各部分厚度均一，没有考虑磁场及溅射速率的不均匀性，磁场并不是处处均匀的，这样的磁场在磁控溅射中将会使等离子体在不同的区域浓度不一样，进而可能出现靶材在不同区域刻蚀不均匀的，致使靶材的材料利用率偏低的问题，提高了本技术的靶材材料利用率。
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1.一种磁控溅射靶材，包括靶体(1)、凹槽(2)、中心台(3)、背板(4)、定位圈(5)以及凸台(8)，其特征在于：所述背板(4)上侧设置有凸台(8)，所述凸台(8)上侧设置有靶体(1)，所述靶体(1)下端面边缘部位设置有定位圈(5)，所述靶体(1)上端面内部开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)中心部位设置有中心台(3)，所述靶体(1)下端面设置有定位块(6)，所述凸台(8)上端面内部开设有定位槽(10)。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述靶体(1)上端面边缘设置有弧形倒角。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凹槽(2)底面呈弧形结构。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凸台(8)环形侧面上侧开设有阶梯槽(9)，所述阶梯槽(9)深度与定位圈(5)厚度相同，所述阶梯槽(9)高度与定位高度相同，所述阶梯槽(9)内径定位圈(5)内径相同。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述定位块(6)环形侧面设置有限位卡块(7)，所述限位卡块(7)设置有四组，四
6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凸台(8)直径与靶体(1)直径相同。
...【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射靶材，包括靶体(1)、凹槽(2)、中心台(3)、背板(4)、定位圈(5)以及凸台(8)，其特征在于：所述背板(4)上侧设置有凸台(8)，所述凸台(8)上侧设置有靶体(1)，所述靶体(1)下端面边缘部位设置有定位圈(5)，所述靶体(1)上端面内部开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)中心部位设置有中心台(3)，所述靶体(1)下端面设置有定位块(6)，所述凸台(8)上端面内部开设有定位槽(10)。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述靶体(1)上端面边缘设置有弧形倒角。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凹槽(2)底面呈弧形结构。
【专利技术属性】
技术研发人员：高庆，
申请(专利权)人：塔格特电子材料上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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