System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺制造技术_技高网

一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺制造技术

技术编号:39971264 阅读:14 留言:0更新日期:2024-01-09 00:48
本发明专利技术属于光伏发电技术领域,具体涉及一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺。在层压前,在BIPV预层压组件侧面设置缓冲块,所述BIPV预层压组件的层压面为正面,BIPV预层压组件的非层压面为侧面。本发明专利技术通过设置缓冲块使BIPV预层压组件受力更加均匀,避免BIPV组件出现气泡,提高了组件的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏发电,具体涉及一种光伏建筑bipv组件的层压工艺。


技术介绍

1、bipv组件由双层玻璃、晶硅电池、双层pvb(聚乙烯醇缩丁醛酯)组成,组件层压完成后,不可以进行二次返修,使用目前行业内通用的生产工艺,会出现气泡、边缘脱胶、pvb未融问题。目前行业内解决上述质量问题的主要方式是bipv组件层压后,进入高压釜,通过二次气压将气泡挤出,pvb进行二次融化,但是这样不仅降低了组件的生产效率,增加了bipv组件的生产时间,也影响了组件成品率,提高了生产成本。

2、有鉴于此,特提出本专利技术。


技术实现思路

1、bipv预层压组件层压过程中会受到硅胶板的压力,由于bipv受力不均匀,bipv组件边缘会受力比较大,导致得到bipv组件的存在气泡等问题。

2、为了解决现有技术中存在的技术问题,本专利技术提供了一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,本专利技术通过设置缓冲块使bipv预层压组件受力更加均匀,避免bipv组件出现气泡,提高了组件的成品率。

3、本专利技术包括如下技术方案:

4、本专利技术提供了一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,在层压前,在bipv预层压组件侧面设置缓冲块,所述bipv预层压组件的层压面为正面,bipv预层压组件的非层压面为侧面。

5、进一步地,所述缓冲块设置在bipv预层压组件的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。

6、进一步地,所述短边侧面设置两个缓冲块,所述缓冲块设置在短边侧面的两端。

7、进一步地,所述缓冲块的长度为:15cm~30cm。

8、进一步地,所述缓冲块的高度大于所述bipv预层压组件的高度。

9、进一步地,所述缓冲块的高度比所述bipv预层压组件的高度高:2mm~10mm。

10、进一步地,包括如下步骤:

11、使侧面设置有缓冲件的bipv预层压组件进行依次经过第一层压腔和第二层压腔进行真空层压。

12、进一步地,所述第一层压腔的硅胶板工艺参数设置为:一段加压20kpa~40kpa,二段加压30kpa~50kpa,三段加压40kpa~60kpa;

13、所述第二层压腔的硅胶板的工艺参数设置为:一段加压20kpa~40kpa,二段加压40kpa~60kpa,三段加压50kpa~70kpa。

14、进一步地,所述硅胶板在层压结束后抽真空。

15、进一步地,所述第一层压腔的硅胶板工艺参数设置为:一段加压20kpa~40kpa,保持10s;二段加压30kpa~50kpa,保持10s;三段加压40kpa~60kpa,保持570s;

16、所述第二层压腔的硅胶板的工艺参数设置为:一段加压20kpa~40kpa,保持5s;二段加压40kpa~60kpa,保持5s;三段加压50kpa~70kpa,保持2265s。采用上述技术方案,本专利技术包括如下优点:

17、1、本专利技术通过设置缓冲块使bipv预层压组件受力更加均匀,避免bipv组件出现气泡,提高了组件的成品率。

18、2、本专利技术采用双腔层压机分段层压,层压机两个腔室分别采用不同的层压工艺,配合缓冲块放置,有效解决层压后气泡、边缘脱胶、pvb未融异常的问题。

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【技术保护点】

1.一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,在层压前,在BIPV预层压组件(10)侧面设置缓冲块(20),所述BIPV预层压组件(10)的层压面为正面,BIPV预层压组件(10)的非层压面为侧面。

2.如权利要求1所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)设置在BIPV预层压组件(10)的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。

3.如权利要求2所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述短边侧面设置两个缓冲块(20),所述缓冲块(20)设置在短边侧面的两端。

4.如权利要求3所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的长度为:15cm~30cm。

5.如权利要求1-4任意一项所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的高度大于所述BIPV预层压组件(10)的高度。

6.如权利要求5所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的高度比所述BIPV预层压组件(10)的高度高:2mm~10mm。

7.如权利要求1所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,包括如下步骤:

8.如权利要求7所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述第一层压腔(30)的硅胶板(50)工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,二段加压30Kpa~50Kpa,三段加压40Kpa~60Kpa;

9.如权利要求8所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述硅胶板(50)在层压结束后抽真空。

10.如权利要求8所述的一种光伏建筑BIPV组件的层压工艺,其特征在于,所述第一层压腔(30)的硅胶板(50)工艺参数设置为:一段加压20Kpa~40Kpa,保持10s;二段加压30Kpa~50Kpa,保持10s;三段加压40Kpa~60Kpa,保持570s;

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【技术特征摘要】

1.一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,其特征在于,在层压前,在bipv预层压组件(10)侧面设置缓冲块(20),所述bipv预层压组件(10)的层压面为正面,bipv预层压组件(10)的非层压面为侧面。

2.如权利要求1所述的一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)设置在bipv预层压组件(10)的短边侧面,所述短边侧面为侧面中长度较短的侧面。

3.如权利要求2所述的一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,其特征在于,所述短边侧面设置两个缓冲块(20),所述缓冲块(20)设置在短边侧面的两端。

4.如权利要求3所述的一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的长度为:15cm~30cm。

5.如权利要求1-4任意一项所述的一种光伏建筑bipv组件的层压工艺,其特征在于,所述缓冲块(20)的高度大于所述bipv预层压组件(10)的高度。

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:李元荣王进忠杨启林姬祥民
申请(专利权)人:青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司
类型:发明
国别省市:

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