【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)及其制作方法。
技术介绍
1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,amr)感测元件、巨磁阻(gmr)感测元件、磁隧穿结(magnetic tunneling junction,mtj)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作半导体元件的
2、本专利技术另一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一金属内连线设于一基底上且该金属内连线依据上视角度包含一四边形以及一磁性隧穿结(magnetic tunnelingjunction,mtj)设于金属内连线上，其中mtj依据上视角度包含一圆弧形。
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1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含正方形。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含长方形。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线包含钨。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含正圆形。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含椭圆形。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结重叠该金属内连线边缘。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含正方形。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含长方形。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴家荣，黄瑞民，张翊凡，蔡雅卉，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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