【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及速eml芯片，特别是一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法。
技术介绍
1、随着光通信网络的日益发展，要求光芯片的带宽速率越来越高，同时为了保持远距离传输的需求，需要相应的较小的啁啾系数以及功率损耗。典型的bj(对接生长)eml芯片由单模的dfb（分布反馈激光器）集成了低啁啾系数的eam（电吸收调制模块）模块，通过外加于eam的电压，来改变其源区的吸收光谱，达到了调制功率的目的。该eml芯片能够实现一定的消光比以及低的啁啾系数，可实现带宽大于35ghz，然而由于对接界面产生的crosstalk（串扰），使得芯片功率损耗较大。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法，在dfb以及eam的基础上集成soa，能够有效减少了光功率的损耗，满足光通信远距离传输的需求。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法，包括以下步骤：
3、步骤s1：一次外延生长ld结构，在dfb区域进行光栅制作，soa区域去除光栅结构，dfb以及soa区域存在相同的有源区结构；
4、步骤s2：生长介质层掩膜，进行光刻版图案转移，使用icp刻蚀掉半导体材料，刻蚀深度大于ld量子阱深度，保留部分dfb与soa区域;
5、步骤s3：对接界面使用湿法腐蚀，测试深度后进行eam结构生长；之后去掉介质层掩膜，进行外延cladding掩埋;
6、步骤s4：
7、在一较佳的实施例中，所述步骤1具体包括：
8、步骤s11：所述ld结构的有源区材料为ingaalas，量子阱的应变为压应力compressive；
9、步骤s12：所述光栅层材料为ingaasp，上下层材料均为inp;
10、步骤s13：所述光栅是通过不同折射率材料的周期排列，实现布拉格波长的单模选择；
11、步骤s14：所述光栅制作为全息光栅或者部分光栅；
12、步骤s15：所述dfb为ld结构加上光栅结构；
13、步骤s16：所述soa区域去除光栅结构，形成了法布里-珀罗光放大器fp-soa。
14、在一较佳的实施例中，所述步骤2具体包括：
15、步骤21：所述介质层掩膜为sio2或者sinx抑或者sio2和sinx双层介质膜；
16、步骤22：所述icp刻蚀气体采用ch4和h2混合气体，或者采用cl2和ar混合气体，刻蚀深度大于ld量子阱才有利于eam的对接生长；
17、步骤23：所述保留部分dfb区域的宽度大概为20-100nm,长度大概为200-800μm；
18、步骤24：所述保留部分soa区域的宽度大概为20-100nm,长度大概为30-200μm。
19、在一较佳的实施例中，所述步骤3具体包括：
20、步骤s31：所述湿法腐蚀溶液为含有hbr、h202和h20混合溶液以及h2so4、h202和h20混合溶液;
21、步骤s32：所述eam结构的有源区材料为ingaalas，量子阱的应变为tensile张应力；
22、步骤s33：所述对接后eam结构的有源区，需要与dfb的有源区的垂直偏差小于1000nm，才能得到较好的耦合功率；
23、步骤s34：所述外延cladding包层掩埋包括具有不同浓度梯度的inp包层，以及ingaas欧姆接触层结构。
24、在一较佳的实施例中，所述步骤4具体包括：
25、步骤s41：所述脊形波导芯片工艺是应用传统的掩膜生长，光刻对位，曝光显影等操作进行脊波导、开窗、划线道、金属电极的各个工序在芯片上图案化转移；
26、步骤s42：所述电隔离区腐蚀使用h2so4、h2o2和h20混合溶液，以及h3po4和hcl混合溶液，通过湿法腐蚀将cladding中高掺杂结构层腐蚀去除，可以有效隔离不同区域内的载流子，使其只通过该区域的有源区;
27、步骤s43：所述pad制作分别在dfb/eam/soa上分隔开三块电极区进行金属蒸镀，通过dfb和soa的pad上注入电流来产生增益，eam则加上偏置电压来调制功率；
28、步骤s44：所述光学镀膜，在解条后的芯片前端面和后端面进行抗反射膜ar和高反射膜hr的蒸镀,soa结构只要一个端面或者两端存在很低的反射，不存在光反馈，即可产生光放大，因此在soa的一个端面即芯片的解理面进行镀ar膜，ar膜的反射率低于0.1%；
29、步骤s45：所述芯片实现带宽速率大于35ghz，调制发射功率大于6dbm。
30、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法。在dfb以及eam的基础上集成soa，能够有效减少了光功率的损耗，满足光通信远距离传输的需求。
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1.一种高速EML芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高速EML芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种高速EML芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：
4.根据权利要求1所述的一种高速EML芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：
5.根据权利要求1所述的一种高速EML芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：
【技术特征摘要】
1.一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高速eml芯片集成光放大器的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种高速eml芯片集成光放大器的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：施文贞，吴林福生，杨重英，缪锦章，高家敏，郭智勇，杜圆圆，曹红军，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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