一种防顶针的倒装LED电极结构制造技术

本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装LED电极结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有N电极区和P电极区，所述N电极区设有N型氮化镓，所述N型氮化镓上设有N电极，所述P电极区设有P电极，所述P电极靠近N电极的一侧设有电极扩展条。本技术提供的防顶针的倒装LED电极结构可避免扩展条在中间防止顶针，降低芯片失效的风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装led电极结构。

技术介绍

1、led即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。小尺寸倒装led显示芯片如mini led芯片是现今led发展的趋势。倒装led芯片的结构可参考申请号为cn201721733608.0、名称为一种倒装led电极结构的中国技术专利，倒装led芯片在封装时，利用机台上的顶针将芯片正面顶起，顶起后利用吸嘴将芯片放在封装支架上。目前，由于封装的水平参差不齐，顶针无法精确的顶住led芯片的中心，若顶针顶到led芯片的电极扩展条上，则会造成dbr反射层碎裂，导致芯片失效。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种防顶针的倒装led电极结构，降低芯片失效的风险。

2、为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种防顶针的倒装led电极结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有n电极区和p电极区，所述n电极区设有n型氮化镓，所述n型氮化镓上设有n电极，所述p电极区设有p电极，所述p电极靠近n电极的一侧设有电极扩展条。

3、进一步地，所述蓝宝石衬底一端面具有生长外延层，所述n电极区和p电极区分别设置在生长外延层一端面的两侧。

4、进一步地，所述生长外延层一端面设有mesa光刻层，所述n电极区和p电极区分别设置在mesa光刻层一端面的两侧。

5、进一步地，所述mesa光刻层位于n电极区处设有ito蒸镀层，所述n型氮化镓设置在ito蒸镀层上。

6、进一步地，所述mesa光刻层位于p电极区处设有p电极pad层，所述p电极设置在p电极pad层上，所述ito蒸镀层上设有n电极pad层，所述n型氮化镓设置在n电极pad层上。

7、进一步地，所述电极扩展条的外形为y形。

8、本技术的有益效果在于：提供一种防顶针的倒装led电极结构，将n电极设计在n型氮化镓上，n型氮化镓导电性足够好，将n电极的扩展条取消，保留p电极的电极扩展条，避免扩展条在中间防止顶针，降低芯片失效的风险。

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【技术保护点】

1.一种防顶针的倒装LED电极结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有N电极区和P电极区，所述N电极区设有N型氮化镓，所述N型氮化镓上设有N电极，所述P电极区设有P电极，所述P电极靠近N电极的一侧设有电极扩展条；

【技术特征摘要】

1.一种防顶针的倒装led电极结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底一端面的两侧分别设有n电极区和p电极区，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，张帆，郑高林，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：