【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空镀膜，尤其是指一种半导体薄膜沉积设备。
技术介绍
1、真空镀膜是目前先进的薄膜沉积技术，该方法是对有机化合物或无机化合物进行加热，并在极高真空下将其蒸发扩散至样品表面，从而在样品表面凝结吸附形成目标薄膜。蒸镀是使用较早、用途广泛的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。
2、随着半导体技术的发展，用于真空镀膜的薄膜沉积设备也逐渐增多，但是现有的真空镀膜设备的样品台比较单一，均为平面型样品台，每次能够容纳的硅片的数量有限，无法实现工业化量产，只适用于企业或高校的研发。
3、综上所述，现有的真空镀膜设备存在能够容纳的硅片数量有限，无法实现工业化量产的问题。
技术实现思路
1、为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中能够容纳的硅片数量有限，无法实现工业化量产的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提供了一种半导体薄膜沉积设备，包括：
3、真空腔体，所述真空腔体为柱体，其侧面壳体上设置有k个蒸发源，所述k个蒸发源均贯通于所述真空腔体的侧面壳体；其中，k≥1；
4、样品台，其包括：
5、旋转轴，所述旋转轴贯通于所述真空腔体的一侧底面；
6、n个基板，设置于所述真空腔体内部，以位于所述真空腔体内部的旋转轴为中心轴分散排布；其中，n≥1，每个基板的一侧均与所述旋转轴相连，其正反表面上均设置有卡扣，用于放置硅片；
7、电动马达，设置于所述真空腔体
8、其中，k≤n，每个蒸发源的喷口分别正对不同的基板。
9、在本技术的一个实施例中，位于所述真空腔体内部的所述旋转轴圆周设置有凹槽，所述凹槽的宽度与所述基板的厚度相同，用于将所述基板固定在所述旋转轴上。
10、在本技术的一个实施例中，所述蒸发源连接控制器，用于控制所述蒸发源的蒸发速率。
11、在本技术的一个实施例中，至少包括两种蒸镀材料不同的蒸发源。
12、在本技术的一个实施例中，所述蒸发源的喷口处均设置有挡板。
13、在本技术的一个实施例中，所述真空腔体的侧面壳体上还设置有监测孔，所述监测孔正对所述基板。
14、在本技术的一个实施例中，还包括监测模块，所述监测模块正对所述监测孔，用于监测硅片表面沉积薄膜的质量。
15、在本技术的一个实施例中，所述监测模块为原位高分辨可视化在线监测装置。
16、在本技术的一个实施例中，还包括显示装置，所述显示装置与所述原位高分辨可视化在线监测装置相连，用于在线显示硅片表面沉积薄膜的表面形貌数据和光谱数据。
17、在本技术的一个实施例中，所述蒸发源还可以贯通于所述真空腔体的一侧底面，所述旋转轴贯通所述真空腔体的侧面壳体。
18、本技术所述的半导体薄膜沉积设备包括真空腔体，所述真空腔体为柱体，其侧面壳体上设置有k个蒸发源，所述k个蒸发源均贯通于真空腔体的侧面壳体。样品台，其包括旋转轴，贯通于真空腔体的一侧底面；n个基板，设置于真空腔体内部，以位于所述真空腔体内部的旋转轴为中心轴分散排布，多个基板以旋转轴为中心呈插片式结构，且每个基板的正反表面均可以通过卡扣放置硅片，增加了半导体薄膜沉积设备容纳的硅片数量，提高了薄膜沉积的效率；电动马达，连接旋转轴位于真空腔体外部的一端，用于控制所述旋转轴的旋转方向和旋转速度。其中，k≤n，其每个蒸发源的喷口分别正对不同的基板，电动马达通过旋转轴带动基板旋转，使得每个蒸发源的喷口均能够正对每一个硅片，从而保证每个硅片表面所沉积薄膜的均匀性。本技术提供的半导体薄膜沉积设备通过将样品台设计为插片式结构，增加了同等体积真空腔体内容纳的硅片数量，大大提高了半导体器件的生产效率。
19、附图说明
20、为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中
21、图1是本技术提供的一种半导体薄膜沉积设备示意图；
22、图2是本技术提供的一种半导体薄膜沉积设备真空腔体剖面示意图；
23、图3是本技术提供的一种样品台结构示意图；
24、图4是本技术提供的一种设置于基板上的卡扣结构示意图；
25、图5是本技术提供的一种基板与旋转轴连接示意图；
26、图6是本技术提供的另一种半导体薄膜沉积设备示意图；
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1.一种半导体薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，位于所述真空腔体内部的所述旋转轴圆周设置有凹槽，所述凹槽的宽度与所述基板的厚度相同，用于将所述基板固定在所述旋转轴上。
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述蒸发源连接控制器，用于控制所述蒸发源的蒸发速率。
4.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，至少包括两种蒸镀材料不同的蒸发源。
5.根据权利要求4所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述蒸发源的喷口处均设置有挡板。
6.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述真空腔体的侧面壳体上还设置有监测孔，所述监测孔正对所述基板。
7.根据权利要求6所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，还包括监测模块，所述监测模块正对所述监测孔，用于监测硅片表面沉积薄膜的质量。
8.根据权利要求7所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述监测模块为原位高分辨可视化在线监测装置。
9.根据权利要求8所述的
10.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述蒸发源还可以贯通于所述真空腔体的一侧底面，所述旋转轴贯通所述真空腔体的侧面壳体。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，位于所述真空腔体内部的所述旋转轴圆周设置有凹槽，所述凹槽的宽度与所述基板的厚度相同，用于将所述基板固定在所述旋转轴上。
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述蒸发源连接控制器，用于控制所述蒸发源的蒸发速率。
4.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，至少包括两种蒸镀材料不同的蒸发源。
5.根据权利要求4所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述蒸发源的喷口处均设置有挡板。
6.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，所述真空腔体的侧面壳...
【专利技术属性】
技术研发人员：申学礼，靳振岗，张彩琴，
申请(专利权)人：江苏中芯沃达半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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