【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子装置，且更特定地，涉及电子装置和制造电子装置的方法。
技术介绍
1、现有的电子封装和形成电子封装的方法是不适当的，例如导致成本过量、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
1、本说明书包含涉及电子装置的结构和相关方法以及其它特征，所述电子装置包含例如被配置有电磁干扰(emi)屏蔽件结构和热增强结构的半导体装置。在一些实例中，emi屏蔽件是薄保形导体，且热增强结构是厚保形导体。在一些实例中，薄保形导体在厚保形导体下方。在其它实例中，厚保形导体在薄保形导体下方。在一些实例中，薄保形导体和厚保形导体是使用不同过程或施加技术形成的。此外，所述结构和方法通过减少emi的易感性，通过改进热性能，且通过改进保形导体之间的粘附力，来提供具有改进的性能和可靠性的电子封装。
2、在一实例中，电子装置包含衬底，所述衬底具有上侧、与上侧相对的下侧、将上侧连接到下侧的横向侧，以及导电结构。第一电子组件在衬底的上侧处耦合到导电结构。囊封物覆盖第一电子组件的横向侧和衬底的上侧，且具有囊封物顶侧和囊封物横向侧。所述电子装置包含第一金属涂层，所述第一金属涂层具有第一金属涂层顶侧、第一金属涂层侧壁和第一金属涂层厚度。所述电子装置包含第二金属涂层，所述第二金属涂层具有大于第一金属涂层厚度的第二金属涂层厚度。根据本实例，第一金属涂层顶侧在囊封物顶侧上方，第一金属涂层侧壁在囊封物横向侧上
3、在一实例中，电子装置包含衬底，所述衬底包括电介质结构、在电介质结构内的导电结构、衬底上侧、衬底下侧和衬底横向侧。第一电子组件在衬底上侧处耦合到导电结构。囊封物覆盖第一电子组件和衬底上侧，且具有囊封物顶侧和囊封物横向侧。第一保形导体具有第一保形导体顶侧和第一保形导体侧壁，其中第一保形导体顶侧在囊封物顶侧上方、囊封物横向侧上方和衬底横向侧上方延伸。具有第二保形导体顶侧的第二保形导体在囊封物顶侧上方。根据本实例，第一保形导体具有第一厚度；第二保形导体具有大于第一厚度的第二厚度；第一保形导体是用于电子装置的电磁干扰屏蔽件；且第二保形导体是用于电子装置的散热器。
4、在一实例中，制造电子组件的方法包含提供衬底，所述衬底具有上侧、与上侧相对的下侧、将上侧连接到下侧的横向侧，以及导电结构。所述方法包含在衬底的上侧处将第一电子组件耦合到导电结构。所述方法包含提供囊封物，所述囊封物覆盖第一电子组件的横向侧和衬底的上侧，且具有囊封物顶侧和囊封物横向侧。所述方法包含以任一次序在囊封物顶侧和囊封物横向侧上方提供第一金属涂层，所述第一金属涂层具有第一金属涂层顶侧、第一金属涂层侧壁和第一金属涂层厚度；以及在囊封物顶侧上方提供第二金属涂层。第二金属涂层具有大于第一金属涂层厚度的第二金属涂层厚度。
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1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中：
4.根据权利要求2所述的电子装置，其中：
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
10.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
11.根据权利要求10所述的电子装置，其进一步包括：
12.一种电子装置，其包括：
13.根据权利要求12所述的电子装置，其中：
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中：
15.根据权利要求12所述的电子装置，其中：
16.根据权利要求12所述的电子装置，其进一步包括：
17.根据权利要求12所述的电子装置，其中：
18.一种制造电子组件的方法，其包括：
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中：
4.根据权利要求2所述的电子装置，其中：
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
10.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋斗·吉田，萧格伦，柳东秀，孔闵杰，裴朱翰，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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