【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种充电电路，特别涉及一种自缓充充电电路。
技术介绍
1、电力电子变流器中的电解电容在初始状态电压接近零，在系统上电时，电解电容的电压需要达到符合要求的值以后允许负载正常工作。现有的方法主要有如下两种：
2、1、如图1所示，继电器并联电阻器的方法。在直流母线电压较低时，继电器因收到来自mcu的“断开”控制信号而保持断开状态，电流经过电阻器限流，为电解电容充电。直流母线电压较高时，继电器因收到来自mcu的“吸合”控制信号而保持吸合状态，电阻器被旁路，充电回路是低阻抗，允许负载正常工作。
3、2、如图2所示，可控硅并联电阻器的方法。在直流母线电压较低时，可控硅因没有收到来自mcu的任何控制信号而保持断开状态，电流经过电阻器限流，为电容充电，使电容电压不断升高。电容电压较高时，可控硅因收到来自mcu的“导通”控制信号而导通，并维持导通状态，电阻器被旁路，充电回路是低阻抗，允许负载正常工作。
4、现有技术主要存在如下缺点：
5、(1)、继电器控制方法的缺点：需要来自mcu的控制信号才能主动关断，继电器需要设计驱动电路，继电器在设备中占用空间大，不利于紧凑设计。继电器成本较高，寿命短。
6、(2)、可控硅控制方法的缺点：需要来自mcu的控制信号才能主动关断，可控硅的驱动电流很大，驱动电路设计困难。
7、(3)、上述两种方法都要用到电阻器，电阻器要求功率较大，占用体积也很大，不利于紧凑设计。
8、为解决该技术问题，其他专利申请如申请号为cn20
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是为解决上述的技术问题，提供一种成本低、占用体积小的自缓充充电电路。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案是：
3、一种自缓充充电电路，包括由电源正极、负极、电解电容、igbt串联构成的回路，还包括分压电路，连接于供电电路与igbt栅极之间，用于控制igbt处于线性放大状态；
4、电压检测电路，用于检测igbt集电极-发射极电压，电压检测电路的输出端连接igbt驱动电路的电压检测端；
5、igbt驱动电路，用于当igbt集电极-发射极电压低于阈值时控制电压输出端为igbt供电，使igbt由线性放大状态转为导通状态。
6、进一步，所述供电电路包括电阻r1、稳压二极管zd1、电容c3，所述电阻r1一端连接电源正极，另一端连接稳压二极管zd1的阴极，稳压二极管zd1的阳极连接电源负极，所述电容c3与稳压二极管zd1并联。
7、进一步，所述分压电路包括电阻r7、电阻r9，所述电阻r7的一端连接供电电路，另一端连接igbt的栅极，所述电阻r9与igbt的栅极、发射极并联。
8、进一步，所述电压检测电路包括电阻r3、电阻r4，所述电阻r3、电阻r4串联后与igbt的栅极、发射极并联。
9、进一步，所述igbt驱动电路包括集成电路ic、电阻r6、二极管d1，所述集成电路ic的电压输出端串联电阻r6、二极管d1，所述二极管d1的阴极连接igbt的栅极。
10、进一步，还包括软关断电路，用于在电流超出正常范围时导通，控制igbt的集电极电流缓慢下降；
11、所述软关断电路与igbt的栅极、发射极并联。
12、进一步，所述软关断电路包括电阻r10、三极管q2，所述igbt驱动电路的故障输出端连接电阻r10的一端，电阻r10的另一端连接三极管q2的基极，所述三极管q2的集电极和发射极与igbt的栅极、发射极并联。
13、进一步，还包括电阻r11，所述电阻r11与igbt的集电极-发射极串联，所述电阻r11的一端连接所述igbt驱动电路的电流/电压信号检测端。
14、进一步，所述igbt驱动电路为当电阻r11的电压值大于阈值时，故障输出端输出电压并降低电压输出端电压的igbt驱动电路。
15、综上内容，本专利技术所述的一种自缓充充电电路，可实现自动切换igbt工作状态且不需要外部控制信号，即无需mcu或控制器，可自动完成缓冲功能，应用方便，占用体积小，利于紧凑设计。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种自缓充充电电路，包括由电源正极、负极、电解电容、IGBT串联构成的回路，其特征在于：还包括分压电路，连接于供电电路与IGBT栅极之间，用于控制IGBT处于线性放大状态；
2.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述供电电路包括电阻R1、稳压二极管ZD1、电容C3，所述电阻R1一端连接电源正极，另一端连接稳压二极管ZD1的阴极，稳压二极管ZD1的阳极连接电源负极，所述电容C3与稳压二极管ZD1并联。
3.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述分压电路包括电阻R7、电阻R9，所述电阻R7的一端连接供电电路，另一端连接IGBT的栅极，所述电阻R9与IGBT的栅极、发射极并联。
4.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述电压检测电路包括电阻R3、电阻R4，所述电阻R3、电阻R4串联后与IGBT的栅极、发射极并联。
5.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述IGBT驱动电路包括集成电路IC、电阻R6、二极管D1，所述集成电路IC的电压输出端串联电阻R6、二极管D1，
6.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：还包括软关断电路，用于在电流超出正常范围时导通，控制IGBT的集电极电流缓慢下降；
7.根据权利要求6所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述软关断电路包括电阻R10、三极管Q2，所述IGBT驱动电路的故障输出端连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接三极管Q2的基极，所述三极管Q2的集电极和发射极与IGBT的栅极、发射极并联。
8.根据权利要求7所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：还包括电阻R11，所述电阻R11与IGBT的集电极-发射极串联，所述电阻R11的一端连接所述IGBT驱动电路的电流/电压信号检测端。
9.根据权利要求8所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述IGBT驱动电路为当电阻R11的电压值大于阈值时，故障输出端输出电压并降低电压输出端电压的IGBT驱动电路。
...【技术特征摘要】
1.一种自缓充充电电路，包括由电源正极、负极、电解电容、igbt串联构成的回路，其特征在于：还包括分压电路，连接于供电电路与igbt栅极之间，用于控制igbt处于线性放大状态；
2.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述供电电路包括电阻r1、稳压二极管zd1、电容c3，所述电阻r1一端连接电源正极，另一端连接稳压二极管zd1的阴极，稳压二极管zd1的阳极连接电源负极，所述电容c3与稳压二极管zd1并联。
3.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述分压电路包括电阻r7、电阻r9，所述电阻r7的一端连接供电电路，另一端连接igbt的栅极，所述电阻r9与igbt的栅极、发射极并联。
4.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述电压检测电路包括电阻r3、电阻r4，所述电阻r3、电阻r4串联后与igbt的栅极、发射极并联。
5.根据权利要求1所述的一种自缓充充电电路，其特征在于：所述igbt驱动电路包括集成电路ic、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李敬恩，刘美堂，刘士军，杜荣辉，马英华，
申请(专利权)人：山东朗进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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