【技术实现步骤摘要】
本公开提供一种存储器阵列及其制备方法，特别涉及一种具有接触增强顶盖的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)阵列及其制备方法。
技术介绍
1、近几十年来，随着电子产品的不断改进，对存储能力的需求也在增加。为了提高存储器元件(例如，dram元件)的存储能力，更多的存储胞(memory cell)被安排在存储器元件中，并且存储器元件中的每一个存储胞的尺寸变得更小。这些存储胞分别被制造在一主动区上，该主动区可以是半导体基底的一部分。主动区的缩放是减少每一个存储胞尺寸的一种选择。
2、每一个dram单元可以包括设置在主动区上的存储电容，并通过电容触点与主动区相连。主动区的减少可能会导致电容器接触的着陆区的缩小。因此，由于半导体光刻工艺叠对(lithography overlay)问题，电容器触点和主动区之间的接触电阻可以能增加。换言之，通过最小化主动区来追求高存储密度可以能会损害dram元件的性能。本领域需要一种在不扩大主动区的布局模式的情况下增加电容器接触的着陆区的方法。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不设置本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应做为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、在本公开的一实施例中提供一种存储器阵列的制备方法，包括：在一半导体基底的一正面形成一沟槽，其中该沟槽定义由该半导体基底一表面区域形成的横向分离的多个主动区；在
2、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。设置本公开的公开权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可以相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可以做为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离公开权利要求所定义的本公开的构思和范围。
【技术保护点】
1.一种存储器阵列的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该沟槽的形成包括：
3.如权利要求2所述的存储器阵列的制备方法，其中该至少一个绝缘层包括一第一绝缘层和堆叠在该第一绝缘层上的一第二绝缘层。
4.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该隔离结构的形成包括：
5.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该第二组主动区由多个遮罩层覆盖，而该第一组主动区被凹入，并在形成多个接触增强侧壁间隙子之前，移除该多个遮罩层。
6.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，还包括：
7.如权利要求6所述的存储器阵列的制备方法，其中在形成该多个接触增强顶盖之前，该多个主动区的顶部的侧壁保持不被该多个自组装单层覆盖。
8.如权利要求6所述的存储器阵列的制备方法，其中该多个接触增强顶盖的制备方法包括一外延工艺。
9.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该多个接触增强顶盖及该多个接触增强侧壁间隙子覆盖该多个主动区的顶部。
【技术特征摘要】
1.一种存储器阵列的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该沟槽的形成包括：
3.如权利要求2所述的存储器阵列的制备方法，其中该至少一个绝缘层包括一第一绝缘层和堆叠在该第一绝缘层上的一第二绝缘层。
4.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该隔离结构的形成包括：
5.如权利要求1所述的存储器阵列的制备方法，其中该第二组主动区由多个遮罩层覆盖，而该第一组主动区被凹入，并在形成多个接触增强侧壁间...
【专利技术属性】
技术研发人员：许平，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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