【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制造，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
技术介绍
1、具有钝化接触结构的太阳能电池是一种新型高效太阳能电池，已有理论模拟以及实验验证表明，获得高效太阳能电池的一个关键技术是保证钝化接触结构的同时制备较薄的多晶硅层，因为多晶硅层本身会吸收光能，影响太阳能电池的性能。但是当多晶硅减薄到一定厚度(小于100纳米)时，银浆烧结过程中会对多晶硅层和隧穿氧化层(即钝化接触结构)的破坏从而导致电池的钝化性能下降。因此，亟需提供一种既可以保证金属电极区域多晶硅层厚度，以避免烧结过程中击穿多晶硅层，同时可以保证非金属电极区域的多晶硅层厚度较薄，尽可能提高太阳能电池性能的太阳能电池的制备方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，利用图案化掩膜层保护第一区域的第二非晶硅层，并利用阻挡层保护第一区域的第一非晶硅层，以在与金属电极对应的第一区域得到厚度较厚的非晶硅层，同时在与非金属电极对应的第二区域得到厚度较薄的非晶硅层。有效保障了银浆烧结过程中金属电极区域的多晶硅厚度，不会出现金属电极破坏钝化接触结构的情况，同时保证了非金属电极区域的多晶硅层较薄，提高了太阳能电池的整体性能。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池的制备方法，包括：步骤1，在所述硅基体的厚度方向一侧由内至外依次制备隧穿氧化层、包含第一类型掺杂元素的第一非晶硅层、阻挡层
4、第二方面，本专利技术提供一种太阳能电池，包括：硅基体；在所述硅基体厚度方向一侧的第一区域由内至外依次设置的的隧穿氧化层、具有第一类型掺杂元素的第一晶硅层、阻挡层和具有第一类型掺杂元素的第二晶硅层，以及在所述硅基体厚度方向一侧的第二区域由内至外依次设置的隧穿氧化层和具有第一类型掺杂元素的第一晶硅层，其中，所述第一区域与所述第二区域交替排列。
5、上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：利用图案化掩膜层保护第一区域的第二非晶硅层，并利用阻挡层保护第一区域的第一非晶硅层，以在与金属电极对应的第一区域得到厚度较厚的非晶硅层，同时在与非金属电极对应的第二区域得到厚度较薄的非晶硅层。有效保障了银浆烧结过程中金属电极区域的多晶硅厚度，不会金属电极破坏钝化接触结构的情况，同时保证了非金属电极区域的多晶硅层较薄，提高了太阳能电池的整体性能。
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1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤02之后，步骤2之前，还包括：
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度小于所述第二非晶硅层的厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一非晶硅层(3)的厚度为10～80nm，所述第二非晶硅层(5)的厚度为30～120nm；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤5之后，还包括：
9.一种基于权利要求1～8任一项制备方法得到的太阳能电池，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤02之后，步骤2之前，还包括：
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度小于所述第二非晶硅层的厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一非晶硅层(3)的厚度为10～80n...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秀林，陈斌，秦怡，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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