【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
技术介绍
1、有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes，oled)当有电流通过时，正极产生的空穴和负极产生的电子，在发光层复合并释放光，根据激发能量的不同可以发出不同能量的光子，对应不同颜色的光。使用oled器件作为显示材料的有机发光显示面板具有自发光、广视角、高对比度等优点，广泛应用于手机、电视、笔记本电脑等产品智能产品中，又由于其质量轻、厚度薄、具有抗弯折性能的特点，是目前国内外众多学者的研究重点。目前的oled为了保护发光模块往往进行薄膜封装，但封装薄膜在制作过程中会用到氢离子，从而使得常用的封装薄膜硅氮化合物往往含有氢离子，氢离子随着时间的推移会渗透到显示模组内部，对驱动电路的特性造成影响，导致驱动电路的△vth负漂，造成显示模组发亮的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，解决了封装薄膜中氢离子影响驱动电路特性的问题。
2、第一方面，本专利技术一实施例提供的一种显示面板包括：所述阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的显示区和非显示区；
3、所述非显示区包括
4、栅极驱动层；
5、吸收层，设置在所述栅极驱动层远离所述阵列基板的一侧，用于吸收氢离子；
6、封装层，设置在所述吸收层远离所述栅极驱动层的一侧。
7、在一种实施方式中，所
8、在一种实施方式中，所述吸收层的材料为铟锌氧化物和铟锡氧化物中的至少一种。
9、在一种实施方式中，所述封装层的材料为硅氮化合物。
10、在一种实施方式中，所述栅极驱动层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述吸收层在所述衬底基板上的正投影内。
11、在一种实施方式中，所述吸收层的厚度为100nm～300nm。
12、在一种实施方式中，所述栅极驱动层包含有源层；所述有源层包括晶体管沟道区；其中，所述吸收层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述晶体管沟道区在所述衬底基板上的正投影。
13、在一种实施方式中，所述非显示区围绕所述显示区的四周设置，所述吸收层设置在所述非显示区的至少一侧。
14、第二方面，本专利技术一实施例提供的一种显示装置，包括上述所述的显示面板。
15、在一种实施方式中，包括显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区的四周设置；所述显示面板的栅极驱动层设置在所述非显示区的相对两侧。
16、第三方面，本专利技术一实施例提供的一种显示面板的制备方法，包括：
17、提供一阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的显示区和非显示区；
18、在所述非显示区上形成栅极驱动层；
19、在所述栅极驱动层远离所述阵列基板的一侧形成吸收层；
20、在所述吸收层远离所述栅极驱动层的一侧形成封装层。
21、在一种实施方式中，所述在所述栅极驱动层的一侧形成吸收层的步骤包括：在所述栅极驱动层的一侧通过离子溅射工艺形成吸收层。
22、在一种实施方式中，在进行所述离子溅射工艺时的工艺参数包括：功率为1.0kw，气压为1.57pa，通入空气流速为190sccm，通入氧气流速为1.9sccm。
23、本专利技术实施例提供的一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，通过在阵列基板的非显示区的栅极驱动层上设置吸收层，以吸收封装层渗入的氢离子，从而减少了氢离子对驱动电路的影响，进而减少了驱动电路的△vth的负漂。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的显示区和非显示区；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸收层具有缺氧特性。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述吸收层的材料为铟锌氧化物和铟锡氧化物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装层的材料为硅氮化合物。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极驱动层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述吸收层在所述衬底基板上的正投影内。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸收层的厚度为100nm～300nm。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极驱动层包含有源层；所述有源层包括晶体管沟道区；其中，所述吸收层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述晶体管沟道区在所述衬底基板上的正投影。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区围绕所述显示区的四周设置，所述吸收层设置在所述非显示区的至少一侧。p>
9.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-8中任意一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的显示区和非显示区；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸收层具有缺氧特性。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述吸收层的材料为铟锌氧化物和铟锡氧化物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装层的材料为硅氮化合物。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极驱动层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述吸收层在所述衬底基板上的正投影内。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：全威，刘晴，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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