本发明专利技术涉及一种非晶硅薄膜检测装置，尤其涉及一种薄膜转换率的检测装置。薄膜转换率的检测装置，由下述结构构成：光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。本发明专利技术的优点效果：通过本发明专利技术可以准确地分析光伏板产品的转化率是否与硅层有关系，判断在硅层沉积的过程中是否均匀，组件功率低是否与硅层有关系。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非晶硅薄膜检测装置，尤其涉及一种薄膜转换率的检测装置。
技术介绍
在生产非晶硅光伏板中，其中一个比较重要的工序为化学气相沉积，是为了将非 晶硅(a-Si)沉积到氧化锡玻璃表面。a-Si太阳电池基本结构为pin结。掺硼形成p区， 掺磷形成n区，i为非杂质或轻掺杂的本征层(因为非掺杂a-Si是弱n型)。重掺杂的p、 n区在电池内部形成内建势，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触，为外部提 供电功率。由于该过程的复杂性及加工设备的自动化程度，产品流出生产线均为成品。但 是无法准确地分析产品的转化率是否与硅层有关系。
技术实现思路
为了解决上述技术问题本专利技术提供一种薄膜转换率的检测装置，目的是为了准确 地分析光伏板产品的转化率是否与硅层有关系。为达上述目的本专利技术薄膜转换率的检测装置由下述结构构成光伏板，在光伏板 的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区 域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测 试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线 将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。所述的光源设在光伏板的下方，导电体设在光伏板的上方，导电体为银针，银针另 一端与导线之间设有铜片，铜片与固定杆一端固定，固定杆的另一端插在支架的滑动槽内。所述的光伏板设在平台360度转动的滚轮上。所述的光源为1000W/平方米的照度。所述的光源固定在平台下方的灯架上。所述的光源与调压变压器连接。所述的信号发生器输出模拟量值为测试区域的开路电压、测试区域的短路电流、 测试区域的最大工作电压和测试区域的最大工作电流。本专利技术的优点效果通过本专利技术可以准确地分析光伏板产品的转化率是否与硅层 有关系，通过在光伏板上几个测试区域转化率的测试，可以知道该光伏板硅层沉积的过程 中是否均勻，组件功率低是否与硅层有关系。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图中1、光伏板；2、光源；3、银针；4、测试区域；5、信号发生器；6、导线；7、铜片； 8、信号处理装置；9、固定杆；10、支架；11、滚轮；12、灯架；13、平台；14、信号线；15、调压变压器；16、无硅层。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明。如图所示本专利技术薄膜转换率的检测装置，由下述结构构成光伏板1，在光伏板1 的一侧设有光源2，光伏板1的另一侧设有导电体，光伏板1设有导电体一侧的表面设有测 试区域4，测试区域4外周为无硅层16，无硅层16通过导线6与信号发生器5的正极连接， 导电体的一端与测试区域4接触，导电体的另一端通过导线6与信号发生器5的负极连接， 信号发生器5通过信号线14将模拟量值送给信号处理装置8，信号处理装置8根据接收的 模拟量值计算测试区域转换率。本实施例光源2设在光伏板1的下方，导电体设在光伏板1的上方，导电体为银针 3，银针3另一端与导线6之间设有铜片7，铜片7与固定杆9 一端固定，固定杆9的另一端插 在支架10的滑动槽内，光伏板1设在平台13上360度转动的滚轮11上，光源2为1000W/ 平方米的照度，光源2固定在平台13下方的灯架12上，光源2与调压变压器15连接。本专利技术的工作原理测试区域转化率=测试区域的开路电压(Voc) X测试区域的 短路电流(Isc) X测试区域的填充因子/(入射光的能量密度X太阳能电池的面积)。测试区域的填充因子=测试区域的最大工作电压(Vmax) X测试区域的最大工作 电流(Imax)/(VocXIsc)信号发生器输出几路模拟量值，分别为组件的开路电压Voc、组件的短路电流 Isc、组件的最大工作电压Vmax和组件的最大工作电流Imax。由于入射光的能量密度和太 阳能电池的面积是固定的，所以不需要采集。信号处理装置根据信号发生器输出的几路模 拟量值可以得出转化率。信号发生器为KEITHLEY 2400 SourceMeter信号发生器。权利要求薄膜转换率的检测装置，其特征在于由下述结构构成光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。2.根据权利要求1所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述光源设在光伏板的 下方，导电体设在光伏板的上方，导电体为银针，银针另一端与导线之间设有铜片，铜片与 固定杆一端固定，固定杆的另一端插在支架的滑动槽内。3.根据权利要求1所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述的光伏板设在平台 360度转动的滚轮上。4.根据权利要求1所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述的光源为1000W/平 方米的照度。5.根据权利要求4所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述的光源固定在平台 下方的灯架上。6.根据权利要求5所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述的光源与调压变压 器连接。7.根据权利要求1所述的薄膜转换率的检测装置，其特征在于所述的信号发生器输出 模拟量值为测试区域的开路电压、测试区域的短路电流、测试区域的最大工作电压和测试 区域的最大工作电流。全文摘要本专利技术涉及一种非晶硅薄膜检测装置，尤其涉及一种薄膜转换率的检测装置。薄膜转换率的检测装置，由下述结构构成光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。本专利技术的优点效果通过本专利技术可以准确地分析光伏板产品的转化率是否与硅层有关系，判断在硅层沉积的过程中是否均匀，组件功率低是否与硅层有关系。文档编号H01L31/18GK101833069SQ201010171730公开日2010年9月15日 申请日期2010年5月14日 优先权日2010年5月14日专利技术者李健 申请人:沈阳汉锋新能源技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
薄膜转换率的检测装置，其特征在于由下述结构构成：光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：沈阳汉锋新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]
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