【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及基板处理装置和方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路器件的制造工艺中，经常会对晶圆进行湿法清洗。在对晶圆进行湿法清洗后还需要对晶圆进行干燥。避免晶圆表面残留水痕等，以避免影响后续的工艺。
2、随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小以及深宽比越来越高，在干燥过程中容易导致图案倒塌，影响晶圆良率。干燥过程中图案倒塌的主要原因是溶液在深腔中干燥时的毛细管力大。
3、传统的做法是寻找表面张力小的化学药液或者减小接触角。然而，表面张力小的化学药液少，此外，减小接触角的方法成本高且效果不明显，且又会引入新的技术问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种基板处理装置和方法，它能够避免在干燥阶段过程中图案倒塌。
2、其技术方案如下：一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
3、将干燥剂喷涂于基板上，用所述干燥剂替换所述基板中的水，其中，所述干燥剂为包括易升华物质与易挥发有机溶剂的混合液；
4、冷却所述基板，使得所述干燥剂的溶质会因温度的降低而析出固化在所述基板的深腔底部；
5、提供吹扫气体，吹扫气体吹向所述基板，使得所述干燥剂的溶剂从所述深腔内部向外挥发出去；
6、升华处理，当所述深腔内部的溶剂完全向外挥发出去后，对所述基板加热处理，将所述基板的温度加热到大于所述溶质的升华点，使所述溶质升华向外排出。
7、在其中一个实施例中，在所述将干燥剂喷涂
8、在其中一个实施例中，在所述用水替代所述基板中的化学药液步骤之后还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第一预设范围，所述第一预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
9、在其中一个实施例中，所述干燥剂的饱和度控制在设定值。
10、在其中一个实施例中，所述将干燥剂喷涂于所述基板上的步骤还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第二预设范围，所述第二预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
11、在其中一个实施例中，在所述冷却基板步骤中，将所述基板的温度控制在第三预设范围，所述第三预设范围小于干燥剂的溶质的结晶温度。
12、在其中一个实施例中，所述提供吹扫气体步骤还包括：将所述基板的正面置于真空环境中。
13、在其中一个实施例中，在所述升华处理步骤中，加热所述基板使所述基板的温度维持在第四预设范围，第四预设范围大于或等于溶质的升华点。
14、在其中一个实施例中，所述升华处理步骤还包括：开启抽气装置，抽走升华的气体。
15、在其中一个实施例中，在所述升华处理步骤中，对所述基板的正面进行加热。
16、在其中一个实施例中，所述升华处理步骤还包括：将所述基板的正面置于真空环境中。
17、一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
18、支撑机构，所述支撑机构用于支撑基板；
19、干燥剂提供机构，所述干燥剂提供机构用于将干燥剂喷涂于所述基板上，用所述干燥剂替换所述基板中的水；
20、冷却机构，所述冷却机构用于降低所述基板的温度，使得所述干燥剂的溶质会因温度的降低而析出固化在所述基板的深腔底部；
21、吹扫机构，所述吹扫机构用于提供吹扫气体吹向所述基板，使得所述干燥剂的溶剂从所述深腔内部向外挥发出去；
22、加热机构，所述加热机构用于对所述基板加热处理，使得所述深腔内部的溶质升华向外排出。
23、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括水源提供机构；所述水源提供机构用于将水喷射于所述基板上，用水替代所述基板中的化学药液。
24、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括制程腔室；所述支撑机构设置于所述制程腔室内部；所述干燥剂提供机构的出液端位于所述制程腔室内部，并设置于所述基板正面的上方；所述吹扫机构的出气端位于所述制程腔室内部，并设置于所述基板正面的上方。
25、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括抽真空装置；所述抽真空装置用于对所述制程腔室抽真空处理，以给所述基板正面提供真空环境。
26、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括抽气装置；所述抽气装置用于将所述挥发后的溶剂抽走；所述抽气装置还用于将所述溶质升华产生的气体抽走。
27、在其中一个实施例中，所述冷却机构包括间隔地设置于所述基板下方的第一壳体，以及与所述第一壳体相连通的冷气提供机构；所述第一壳体上设有与所述基板背面相对设置的若干个第一通气孔。
28、在其中一个实施例中，所述加热机构包括设置于所述基板正面的第一加热机构，和/或，设置于所述基板背面的第二加热机构。
29、在其中一个实施例中，所述第一加热机构包括间隔地设置于所述基板正面上方的第二壳体，以及间隔地设置于所述第二壳体面向于所述基板板面上的多个第一加热灯；所述第二壳体沿着所述基板的中心轴线方向在所述基板上的投影覆盖所述基板部分区域；所述支撑机构能驱动所述基板转动。
30、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括移动机构，所述移动机构与所述第一加热机构相连，用于驱动所述第一加热机构在平行于所述基板板面的平面上移动。
31、上述的基板处理装置和方法，由于干燥剂采用易升华物质与易挥发有机溶剂的混合液，干燥剂将基板中的水替换后，使干燥剂固液分离，并先将溶剂向外挥发出去，再将溶质通过升华的方式挥发出去，从而便不存在传统技术中的干燥阶段中的较大毛细管力而导致的图案倒塌现象，此外由于无需采用昂贵的表面张力小的化学药液，使得成本较低。
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1.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述将干燥剂喷涂于所述基板上步骤之前还包括步骤，将水喷射于所述基板上，用水替代所述基板中的化学药液。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述用水替代所述基板中的化学药液步骤之后还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第一预设范围，所述第一预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述干燥剂的饱和度控制在设定值。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述将干燥剂喷涂于所述基板上的步骤还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第二预设范围，所述第二预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述冷却基板步骤中，将所述基板的温度控制在第三预设范围，所述第三预设范围小于干燥剂的溶质的结晶温度。
7.根据权利要求
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述升华处理步骤中，加热所述基板使所述基板的温度维持在第四预设范围，第四预设范围大于或等于溶质的升华点。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述升华处理步骤还包括：开启抽气装置，抽走升华的气体。
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述升华处理步骤中，对所述基板的正面进行加热。
11.根据权利要求1至10任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述升华处理步骤还包括：将所述基板的正面置于真空环境中。
12.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括水源提供机构；所述水源提供机构用于将水喷射于所述基板上，用水替代所述基板中的化学药液。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括制程腔室；所述支撑机构设置于所述制程腔室内部；所述干燥剂提供机构的出液端位于所述制程腔室内部，并设置于所述基板正面的上方；所述吹扫机构的出气端位于所述制程腔室内部，并设置于所述基板正面的上方。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括抽真空装置；所述抽真空装置用于对所述制程腔室抽真空处理，以给所述基板正面提供真空环境。
16.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括抽气装置；所述抽气装置用于将所述挥发后的溶剂抽走；所述抽气装置还用于将所述溶质升华产生的气体抽走。
17.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却机构包括间隔地设置于所述基板下方的第一壳体，以及与所述第一壳体相连通的冷气提供机构；所述第一壳体上设有与所述基板背面相对设置的若干个第一通气孔。
18.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热机构包括设置于所述基板正面的第一加热机构，和/或，设置于所述基板背面的第二加热机构。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一加热机构包括间隔地设置于所述基板正面上方的第二壳体，以及间隔地设置于所述第二壳体面向于所述基板板面上的多个第一加热灯；所述第二壳体沿着所述基板的中心轴线方向在所述基板上的投影覆盖所述基板部分区域；所述支撑机构能驱动所述基板转动。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括移动机构，所述移动机构与所述第一加热机构相连，用于驱动所述第一加热机构在平行于所述基板板面的平面上移动。
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述将干燥剂喷涂于所述基板上步骤之前还包括步骤，将水喷射于所述基板上，用水替代所述基板中的化学药液。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述用水替代所述基板中的化学药液步骤之后还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第一预设范围，所述第一预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述干燥剂的饱和度控制在设定值。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述将干燥剂喷涂于所述基板上的步骤还包括：加热所述基板使所述基板的温度维持在第二预设范围，所述第二预设范围大于干燥剂的溶质的结晶温度，并小于所述干燥剂的有机溶剂的沸点温度。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述冷却基板步骤中，将所述基板的温度控制在第三预设范围，所述第三预设范围小于干燥剂的溶质的结晶温度。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述提供吹扫气体步骤还包括：将所述基板的正面置于真空环境中。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述升华处理步骤中，加热所述基板使所述基板的温度维持在第四预设范围，第四预设范围大于或等于溶质的升华点。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述升华处理步骤还包括：开启抽气装置，抽走升华的气体。
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述升华处理步骤中，对所述基板的正面进行加热。
11.根据权利要求1至10任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述升华处理步骤还包括：将所述基板的正面置于真空环境中。
12.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁健忠，郗宁，汪霖，王恒，郭亚东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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