【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试的方法、系统、装置及存储介质
[0001]本专利技术涉及本专利技术涉及数据存储
,尤其涉及一种芯片测试的方法
、
系统
、
装置及存储介质
。
技术介绍
[0002]随着当今半导体行业的科技快速发展,半导体芯片的可靠性
、
稳定性需求有所提高,因此产品的质量把控十分重要
。
现有的
LPDDR
测试设备通常会同时对大量的
LPDDR
颗粒进行测试,而现有的
LPDDR
芯片测试主要分为三个方面,分别为:功能测试
、
时序参数测试及电气性能测试
。LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM
,低功耗内存
)
的基本存储单元为
cell
,计算机及嵌入式系统通过在
cell
中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写
。
但是由于使得
cell
在读写时有可能造成数据存储故障
。
[0003]存储故障分为单
cell
和多
cell
故障
。
单
cell
故障主要包括固定故障
(Stuck at Fault
,
SF)
和跳变故障
(Transition Fault,TF)。
对于这两种故障的检测一般通过对待测单 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种芯片测试的方法,其特征在于,包括:测试单个数据单元;根据出厂品牌设置测试单元组,所述测试单元组包括
N
个数据单元;根据芯片的容量和测试单位组设置测试方案,测试方案的测试结果获取所述数据单元之间的是否存在干扰故障;其中,第一测试起点为
x
,计算数据单元的往前跳动测试的步幅
M
,则下次的测试起选取点为
x+M
,其测试的单位为所述测试单元组
。2.
根据权利要求1所述的一种芯片测试的方法,其特征在于,还包括:
M
小于等于
N
,当
M
=
N
时,表示每个测试单元只会被一次性的写与读测试;根据出厂品牌和故障大数据预测
M,N。3.
根据权利要求2所述的一种芯片测试的方法,其特征在于,
N
所定义的方法在同一型号芯片的统计资料中,两个相邻错误资料的最小间隔
。4.
根据权利要求1所述的一种芯片测试的方法,其特征在于,包括:所述根据芯片的容量和测试单位组设置测试方案,包括:
N
个数据单元组成测试单元组,每个数据单元设置为
M
个测试跳幅,涵盖所有
LPDDR
的所有可以读写单元;其中
N
表示互相干扰的可能单元组,或者
LPDDR
允许一次连续性可以被写入
/
读出的单一指令最大值,<...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖振楠,张兴华,肖浩,黄慧敏,
申请(专利权)人:深圳宏芯宇电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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