基板固定装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板固定装置，该基板固定装置包括：底板；发热部件，其经由粘合层设置在底板上；以及静电吸盘，其设置在发热部件上并且构造成吸附和保持待吸附的目标对象。发热部件包括：第一绝缘层，其具有第一表面以及与该第一表面相反的第二表面，第一表面与静电吸盘接触；发热元件，其布置在第一绝缘层的第二表面上；以及第二绝缘层，其堆叠在第一绝缘层的第二表面上并且覆盖发热元件。设置有穿透底板、粘合层和第二绝缘层并且露出发热元件的一部分的通孔。第二绝缘层的玻璃化转变温度高于第一绝缘层的玻璃化转变温度。一绝缘层的玻璃化转变温度。一绝缘层的玻璃化转变温度。

【技术实现步骤摘要】
基板固定装置


[0001]本专利技术涉及基板固定装置。

技术介绍

[0002]在现有技术中，制造诸如IC和LSI等半导体器件时使用的膜形成设备(例如，CVD设备、PVD设备等)和等离子体蚀刻设备具有用于在真空处理腔中精确保持晶片的台。作为这种台，例如，提出了一种基板固定装置，该基板固定装置通过安装在底板上的静电吸盘来吸附并且保持作为待吸附的目标对象的晶片。基板固定装置包括例如用于调节晶片温度的发热元件和覆盖发热元件的绝缘(隔绝)层(例如，参照专利文献1)。
[0003]引文列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利No.6708518

技术实现思路

[0006]然而，覆盖发热元件的绝缘层可能暴露于约300℃的高温下，并且在此种情况下，绝缘层可能劣化和剥落。
[0007]鉴于上述情况来做出本专利技术，并且本专利技术的目的是提供能够抑制绝缘层剥离的基板固定装置。
[0008]根据本专利技术的方面，提供了一种基板固定装置，该基板固定装置包括：底板；发热部件，该发热部件经由粘合层设置在底板上；以及静电吸盘，该静电吸盘设置在发热部件上并且构造成吸附和保持待吸附的目标对象。发热部件包括：第一绝缘层(第一隔绝层)，该第一绝缘层具有第一表面以及与该第一表面相反的第二表面，第一表面与静电吸盘接触；发热元件，该发热元件布置在第一绝缘层的第二表面上；以及第二绝缘层(第二隔绝层)，该第二绝缘层堆叠在第一绝缘层的第二表面上并且覆盖发热元件。设置有穿透底板、粘合层和第二绝缘层并且露出发热元件的一部分的通孔。第二绝缘层的玻璃化转变温度高于第一绝缘层的玻璃化转变温度。
[0009]根据所公开的技术，可以提供能够抑制绝缘层剥离的基板固定装置。
附图说明
[0010]图1是简化和例示根据第一实施例的基板固定装置的截面图。
[0011]图2A、图2B、图2C和图2D是例示根据第一实施例的基板固定装置的制造处理(制造工艺)的图(第1部分)。
[0012]图3A、图3B和图3C是例示根据第一实施例的基板固定装置的制造处理的图(第2部分)。
[0013]图4是简化和例示根据第二实施例的基板固定装置的截面图。
[0014]图5A、图5B、图5C和图5D是例示根据第二实施例的基板固定装置的制造处理的图
(第1部分)。
[0015]图6A和图6B是例示根据第二实施例的基板固定装置的制造处理的图(第2部分)。
具体实施方式
[0016]在下文中，将参照附图来描述本专利技术的实施例。应注意的是，在各个附图中，利用相同的附图标记来表示具有相同构造的部分，并且可以省略重叠的描述。
[0017]<第一实施例>
[0018][基板固定装置的结构][0019]图1是简化和例示根据第一实施例的基板固定装置的截面图。参照图1，基板固定装置1包括作为主要构成元件的底板10、粘合层20、发热部件20和静电吸盘40。
[0020]底板10是用于安装发热部件30和静电吸盘40的构件。例如，底板10的厚度可以设定为约20mm至50mm。底板10例如由铝形成，并且还可以用作控制等离子体的电极等。通过将预定高频电力供应至底板10，可以控制用于使处于产生的等离子体状态的离子等与吸附在静电吸盘40上的晶片碰撞的能量，并且可以有效执行蚀刻处理。
[0021]底板10中可以设置有制冷剂流路15。制冷剂流路15在一端处具有制冷剂引入部15a，并且在另一端处具有制冷剂排出部15b。制冷剂流路15与设置在基板固定装置1外部的制冷剂控制装置(未示出)连接。制冷剂控制装置(未示出)将制冷剂(例如，冷却水、热传导液(Galden)等)从制冷剂引入部15a引导至制冷剂流路15中，并且将制冷剂从制冷剂排出部15b排出。通过使制冷剂在制冷剂流路15中循环以冷却底板10，能够冷却吸附在静电吸盘40上的晶片。
[0022]在基板10的内部可以设置有气体供应部，该气体供应部供应用于冷却由静电卡盘40吸附并且保持的晶片的气体。气体供应部例如是形成在底板10中的孔。通过将例如惰性气体(例如He、Ar等)从基板固定装置1的外部引导至气体供应部，可以冷却由静电卡盘40吸附并且保持的晶片。
[0023]发热部件30经由粘合层20设置在底板10上。粘合层20可以具有例如第一层21和第二层22的双层结构。例如，可以使用硅酮基粘合剂作为第一层21和第二层22。第一层21和第二层22中的每一个的厚度可以设定为例如约1mm。第一层21和第二层22的导热率优选为2W/mK以上。粘合层20还可以由一层构成但具有两层结构，在该两层结构中，具有高导热率的粘合剂与具有低弹性的粘合剂结合，从而获得使由于与由铝制底板的热膨胀差异而产生的应力减小的效果。
[0024]发热部件30具有第一绝缘层31、发热元件32和第二绝缘层33。第一绝缘层31布置成该第一绝缘层31的上表面(第一表面)与静电吸盘40的基体41的下表面接触。发热元件32布置在第一绝缘层31的下表面(与第一表面相反的第二表面)上，并且通过第一绝缘层31与基体41的下表面结合。第二绝缘层33堆叠在第一绝缘层31的下表面上，并且覆盖发热元件32的下表面和侧表面。应注意的是，基板固定装置1设置有多个通孔10x，该多个通孔10x穿透底板10、粘合层20和发热部件30的第二绝缘层33，并且使发热部件30的发热元件32的下表面的一部分露出。当将导线焊接至在通孔10x中露出的发热元件32时，每个通孔10x可以用作导线的通道。
[0025]优选使用与发热元件32和基体41具有优异粘合性的绝缘树脂作为第一绝缘层31。
具体地，例如，可以使用环氧基树脂作为第一绝缘层31的材料。另外，第一绝缘层31的导热率优选为3W/mK以上。当诸如氧化铝和氮化铝等填料包含在第一绝缘层31中时，可以提高第一绝缘层31的导热率。第一绝缘层31的玻璃化转变温度(Tg)可以设定为例如约150℃至200℃。另外，第一绝缘层31的厚度优选设定为例如约60μm至100μm，并且第一绝缘层31的厚度变化优选设定为
±
10％以下。
[0026]优选使用轧制合金作为发热元件32。通过使用轧制合金，能够减小发热元件32的厚度变化，并且改善发热分布。应注意的是，发热元件32不一定要求埋入在发热部件30的厚度方向上的中央部分中，并且可以根据所需规格而不均匀地朝底板10侧或静电吸盘40侧布置，而不是布置在发热部件30的厚度方向上的中央部分。
[0027]发热元件32的电阻率优选为10μΩ
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cm至70μΩ
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cm，并且更优选为10μΩ
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cm至50μΩ
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cm。在现有技术的基板固定装置中，使用具有电阻率为约100μΩ
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cm的NiCr基发热元件。因此，当使用20Ω至50Ω的布线设计时，布线宽度为1mm至2mm，并且厚度为约50μm，使得难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板固定装置，包括：底板；发热部件，其经由粘合层设置在所述底板上；以及静电吸盘，其设置在所述发热部件上并且构造成吸附并保持待吸附的目标对象，其中，所述发热部件包括：第一绝缘层，其具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面与所述静电吸盘接触，发热元件，其布置在所述第一绝缘层的所述第二表面上；以及第二绝缘层，其堆叠在所述第一绝缘层的所述第二表面上并且覆盖所述发热元件，其中，设置有穿透所述底板、所述粘合层和所述第二绝缘层并且露出所述发热元件的一部分的通孔，并且所述第二绝缘层的玻璃化转变温度高于所述第一绝缘层的玻璃化转变温度。2.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第二绝缘层的玻璃化转变温度为300℃以上。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：内山彩，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：