本发明专利技术提供基板输送方法和基板处理装置，能有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。在基板处理装置(A)中，至少根据处理室(1)中的基板处理时间，变更从预真空室(2)至静电吸盘(E)为止的基板输送时间。基板处理装置(A)包括：所述静电吸盘(E)，具有将滞留于基板支撑面(S)的气体向外部排出的气体排出通道(G)；所述处理室(1)，对支撑于静电吸盘(E)的基板(W)实施处理；以及所述预真空室(2)，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向处理室(1)输送基板(W)。从而能够向处理室(1)输送基板(W)。从而能够向处理室(1)输送基板(W)。
【技术实现步骤摘要】
基板输送方法和基板处理装置
[0001]本专利技术涉及带保护膜的基板的基板输送方法和实现所述基板输送方法的基板处理装置。
技术介绍
[0002]在以半导体制造装置为代表的基板处理装置中，对支撑在静电吸盘上的基板实施预定的处理。从保护基板的观点出发，根据作为处理对象的基板的材质、刚性，在基板的与处理面相反侧的主面设置由聚酰亚胺等绝缘材料构成的保护膜。
[0003]尽管存在着材质引起的程度差，但是保护膜吸收大气中的水分并在膜表面、膜内部积蓄水分。如果实施基板处理而使基板温度上升，则保护膜的水分气化，从保护膜释放气体。
[0004]在基板处理中，基板被牢固地固定于静电吸盘，因此所述气体不能向外部排出，从保护膜释放的气体滞留在静电吸盘与保护膜之间。
[0005]伴随基板处理时间的推移，从保护膜释放的气体的总量增加，滞留气体的压力上升。在基板处理后，停止静电吸盘对基板的支撑并将基板从静电吸盘取下时，压力增高的滞留气体一举排出。排出的滞留气体使基板从静电吸盘跳起，从而引起静电吸盘上的基板的位置偏移和脱落，对随后的基板输送带来妨碍。
[0006]因此，作为应对基板跳起的对策，提出有专利文献1公开的静电吸盘。
[0007]专利文献1中，在静电吸盘的基板支撑面形成有气体排出通道，在基板处理中，上述的滞留气体经由气体排出通道从静电吸盘与保护膜之间排出，由此减轻基板脱离静电吸盘时的基板的跳起，实现了稳定的基板输送。
[0008]专利文献1：日本特开2018
‑
182290号公报
[0009]可是，即使是专利文献1的形成有气体排出通道的静电吸盘，根据气体排出通道的结构和来自保护膜的气体的释放量等，也难以完全排除从保护膜释放的气体的影响，有可能依然受到基板的跳起的影响，给基板脱离静电吸盘后的基板输送带来妨碍。
技术实现思路
[0010]本专利技术的主要目的是有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。
[0011]关于基板输送方法，在基板处理装置中，至少根据处理室中的基板处理时间，变更从预真空室至静电吸盘为止的基板输送时间，所述基板处理装置包括：所述静电吸盘，具有将滞留于基板支撑面的气体向外部排出的气体排出通道；所述处理室，对支撑于所述静电吸盘的基板实施处理；以及所述预真空室，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向所述处理室输送所述基板。
[0012]保护膜含有的水分量存在限度。如果基板处理时间足够长，则保护膜含有的水分枯竭，从保护膜释放的气体可以经由气体排出通道充分地排出，因此不会产生基板脱离静
电吸盘时的基板的跳起。
[0013]另一方面，在基板处理时间较短的情况下，气体从保护膜持续释放，在基板脱离静电吸盘时，存在基板大幅弹跳的倾向。
[0014]通过将基板从大气搬入真空，从而保护膜上附着的水分的沸点下降，无论基板处理如何都会有一定量的水分蒸发。鉴于这一点，通过根据基板处理时间变更从预真空室至静电吸盘为止的基板输送时间，从而能在基板处理前调整保护膜含有的水的剩余量，有效降低从保护膜释放的气体对基板输送的影响，进而可实现更稳定的基板输送。
[0015]为了实现适合实际处理的基板的最佳处理，优选的是，根据所述基板的保护膜的膜信息和所述处理室中的基板处理时间进行所述基板输送时间的变更。
[0016]在得不到膜信息的情况下、处理带有未知的保护膜的基板等情况下，优选的是，根据所述预真空室内的真空度和所述处理室中的基板处理时间进行所述基板输送时间的变更。
[0017]根据装置结构，基板输送通道短，基板输送时间的调整变得困难，因此优选的是，在向所述静电吸盘输送基板之前，在所述预真空室或所述处理室中使基板输送停止预定时间。
[0018]按照上述结构，基板输送时间的调整变得简便。
[0019]为了有效进行基板处理时产生的气体的排出，优选的是，所述气体排出通道由槽和通孔构成，所述槽形成于所述基板支撑面，所述通孔在与所述基板支撑面交叉的方向上贯穿所述静电吸盘的相对的两个面。
[0020]按照上述结构的气体排出通道，能有效地排出从保护膜释放的气体。
[0021]所述基板处理装置包括：静电吸盘，具有将滞留于基板支撑面的气体向外部排出的气体排出通道；处理室，对支撑于所述静电吸盘的基板实施处理；以及预真空室，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向所述处理室输送所述基板，所述基板处理装置还包括控制装置，所述控制装置至少根据所述处理室中的基板处理时间，变更从所述预真空室至所述静电吸盘为止的基板输送时间。
[0022]按照上述结构，能发挥与上述的基板输送方法等同的效果。
[0023]通过根据基板处理时间变更从预真空室至静电吸盘为止的基板输送时间，从而能在基板处理前调整保护膜所含的水的剩余量。由此，能够有效地降低从保护膜释放的气体对基板输送的影响，进而可实现更稳定的基板输送。
附图说明
[0024]图1是表示基板处理装置的结构例的平面图。
[0025]图2是静电吸盘的平面图。(A)是静电吸盘的侧视图。(B)是静电吸盘的俯视图。
[0026]图3是带肋的基板的平面图。(A)是带肋的基板的侧视图。(B)是带肋的基板的俯视图。
[0027]图4是表示基板输送方法的一个实施方式的流程图。
[0028]图5是表示基板输送方法的另一实施方式的流程图。
[0029]图6是表示与基板处理时间对应的基板输送时间的变更例的说明图。(A)是分级变更基板输送时间的例子。(B)是多级变更基板输送时间的例子。(C)是低于特定的基板处理
时间的情况下，线性变更基板输送时间的例子。(D)是整体地线性变更基板输送时间的例子。(E)是整体地非线性变更基板输送时间的例子。
[0030]图7是表示基板的输送例的说明图。(A)是在预真空室停止基板输送的例子。(B)是在输送室停止基板输送的例子。(C)是在处理室停止基板输送的例子。
[0031]图8是表示基板输送方法的另一实施方式的流程图。
[0032]图9是表示基板输送方法的又一实施方式的流程图。
[0033]附图标记说明
[0034]W 基板
[0035]P 保护膜
[0036]E 静电吸盘
[0037]S 基板支撑面
[0038]G 气体排出通道
[0039]A 基板处理装置
[0040]C 控制装置
[0041]1 处理室
[0042]2 预真空室
具体实施方式
[0043]图1是基板处理装置A的结构例。基板处理装置A如以离子注入装置为代表的半导体制造装置那样，是在真空中对基板W(例如带保护膜的硅晶片)实施处理的装置。
[0044]典型而言，基板处理装置A包括：预真空室2，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而将基板W导入装置内部；处理室1，处理基板W；以及输送室3，配置有在预本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板输送方法，其特征在于，在基板处理装置中，至少根据处理室中的基板处理时间，变更从预真空室至静电吸盘为止的基板输送时间，所述基板处理装置包括：所述静电吸盘，具有将滞留于基板支撑面的气体向外部排出的气体排出通道；所述处理室，对支撑于所述静电吸盘的基板实施处理；以及所述预真空室，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向所述处理室输送所述基板。2.根据权利要求1所述的基板输送方法，其特征在于，根据所述基板的保护膜的膜信息和所述处理室中的基板处理时间进行所述基板输送时间的变更。3.根据权利要求1所述的基板输送方法，其特征在于，根据所述预真空室内的真空度和所述处理室中的基板处理时间进行所述基板输送时间的变更。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板输送方...
【专利技术属性】
技术研发人员：糸井骏，王建，村山乔之，大村俊辅，井上真辅，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：
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