一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，包括偏压电源，所述偏压电源的负极连接真空绝缘电引入端子，所述真空绝缘电引入端子连接支撑杆，所述支撑杆的上端位置处连接有辅助阳极板，所述支撑杆的下端位置处设置有绝缘座，所述支撑杆的左右两侧位置处分别设置有磁控靶

【技术实现步骤摘要】
一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置


[0001]本技术属于卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置相关
，具体涉及一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置
。

技术介绍

[0002]卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置是一种用于辅助阳极电流传输和控制的装置，在卷对卷磁控溅射真空镀膜机中，阳极是一个重要的部件，它通过电流传输来控制溅射过程中的离子轰击和电子释放，辅助阳极装置则可以帮助阳极更好地发挥作用，辅助阳极装置通常由多个电极组成，这些电极可以分别与阳极相连，形成一个电路，辅助阳极装置的主要作用是增强阳极电流的传输和控制，从而提高溅射过程的效率和稳定性，同时，辅助阳极装置还可以帮助减少阳极的热量和电压波动，从而延长阳极的使用寿命
。
[0003]基膜的厚度在十微米以下，当基膜表面镀上金属膜层后就会与设备腔体形成同电位的导体，这样磁控靶产生的有害带电粒子就会跑向基膜，因为基膜的厚度比较薄，就会很容易造成基膜被击穿和断膜现象
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，以解决上述
技术介绍
中提出的基膜的厚度在十微米以下，当基膜表面镀上金属膜层后就会与设备腔体形成同电位的导体，这样磁控靶产生的有害带电粒子就会跑向基膜，因为基膜的厚度比较薄，就会很容易造成基膜被击穿和断膜现象的问题
。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，包括偏压电源，所述偏压电源的负极连接真空绝缘电引入端子，所述真空绝缘电引入端子连接支撑杆，所述支撑杆的上端位置处连接有辅助阳极板，所述支撑杆的下端位置处设置有绝缘座，所述支撑杆的左右两侧位置处分别设置有磁控靶
A
和磁控靶
B。
[0006]优选的，所述磁控靶
A
和磁控靶
B
为阴极，所述辅助阳极板位于磁控靶
A
和磁控靶
B
的前侧位置处，所述磁控靶
A
布置为
NSN
，所述磁控靶
B
布置为
SNS
，所述磁控靶
A
和磁控靶
B
与辅助阳极板形成一个闭合磁场进而约束磁控产生的有害电子
。
[0007]优选的，所述辅助阳极板通过磁场约束和负偏压的作用让磁控靶
A
和磁控靶
B
工作时产生的电子完全跑向辅助阳极板而不跑向基膜对基膜形成保护作用
。
[0008]优选的，所述辅助阳极板可在设备上多组使用，所述辅助阳极板为磁控靶
A
和磁控靶
B
配置支撑杆
、
绝缘座
、
真空绝缘电引入端子和偏压电源
。
[0009]优选的，所述辅助阳极板
、
支撑杆
、
绝缘座
、
真空绝缘电引入端子和偏压电源组成辅助阳极装置，所述辅助阳极板采用导磁的材质制作，所述辅助阳极板的长度与设备的磁控靶
A
和磁控靶
B
长度相同，所述辅助阳极板的宽度和厚度分别为八十毫米和十毫米，所述辅助阳极板在磁控靶
A
和磁控靶
B
的中间并高于靶面四十毫米
。
[0010]优选的，所述辅助阳极板配有两个支撑杆，所述辅助阳极板使用绝缘座和真空腔体进行绝缘
。
[0011]优选的，所述辅助阳极板配置一台偏压电源，所述偏压电源的负极接辅助阳极，所述偏压电源的正极接设备腔体
。
[0012]优选的，所述偏压电源在工作时电压设置为二十到二百伏，所述辅助阳极板带有二十到二百伏的负偏压，所述磁控靶
A
和磁控靶
B
产生的有害电子会百分之九十五以上被辅助阳极板捕捉进而对基膜保护
。
[0013]优选的，所述辅助阳极板带有高压使得磁控靶
A
和磁控靶
B
在工作时能增强磁控靶
A
和磁控靶
B
溅射的离化率提高膜层的致密性和结合力
。
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，具备以下有益效果：
[0015]磁控靶为阴极，设备腔体为阳极，磁控靶工作原理是是指电子在电场
E
的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出
Ar
正离子和新的电子；新电子飞向基片，
Ar
离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射
。
在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生
E
（电场）
×
B
（磁场）所指的方向漂移，简称
E
×
B
漂移，其运动轨迹近似于一条摆线
。
若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的
Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率
。
随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场
E
的作用下最终沉积在基片上
。
因为设备卷绕辊与腔体导通，基膜镀上金属膜层后也会变成阳极，一部分带电粒子就会向基膜上跑，本专利技术在磁控靶的前面，通过磁场约束和负偏压的作用，让磁控靶工作时产生的电子完全跑向辅助阳极板，而不跑向基膜，对基膜形成保护作用，工作时偏压电源的电压设置二十到二百伏，让辅助阳极板带有二十到二百伏的负偏压，磁控靶工作产生的有害电子会百分之九十五以上被辅助阳极板捕捉，这样就会有效对基膜的保护
。
附图说明
[0016]图1为本技术的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置结构示意图
。
[0017]图2为本技术的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置局部放大结构示意图
。
[0018]图中：
1、
辅助阳极板；
2、
支撑杆；
3、
绝缘座；
4、
真空绝缘电引入端子；
5、
偏压电源；
6、
磁控靶
A
；
7、
磁控靶
B。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，其特征在于，包括偏压电源（5），所述偏压电源（5）的负极连接真空绝缘电引入端子（4），所述真空绝缘电引入端子（4）连接支撑杆（2），所述支撑杆（2）的上端位置处连接有辅助阳极板（1），所述支撑杆（2）的下端位置处设置有绝缘座（3），所述支撑杆（2）的左右两侧位置处分别设置有磁控靶
A
（6）和磁控靶
B
（7）
。2.
根据权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，其特征在于：所述磁控靶
A
（6）和磁控靶
B
（7）为阴极，所述辅助阳极板（1）位于磁控靶
A
（6）和磁控靶
B
（7）的前侧位置处，所述磁控靶
A
（6）布置为
NSN
，所述磁控靶
B
（7）布置为
SNS
，所述磁控靶
A
（6）和磁控靶
B
（7）与辅助阳极板（1）形成一个闭合磁场进而约束磁控产生的有害电子
。3.
根据权利要求2所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜机的辅助阳极装置，其特征在于：所述辅助阳极板（1）通过磁场约束和负偏压的作用让磁控靶
A
（6）和磁控靶
B
（7）工作时产生的电子完全跑向辅助阳极板（1）而不跑向基膜对基膜形成保护作用
。4.
根据权利要求2所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：成林，
申请(专利权)人：昆山浦元真空技术工程有限公司，
类型：新型
国别省市：