【技术实现步骤摘要】
一种IGZO靶材及其制备方法
[0001]本专利技术属于金属氧化物靶材料
,具体涉及一种
IGZO
靶材及其制备方法
。
技术介绍
[0002]IGZO
代表铟镓锌氧化物
(Indium Gallium Zinc Oxide)
,是一种半导体材料,通常用于制备薄膜晶体管
(TFTs
,
Thin
‑
Film Transistors)。IGZO
薄膜晶体管在显示技术中得到广泛应用,特别是在高分辨率的液晶显示屏和
OLED(
有机发光二极管
)
显示屏中
。IGZO
材料通常通过物理蒸发或化学气相沉积等方法制备
。
靶材是制备这些薄膜晶体管的关键部分,其成分与所需的
IGZO
材料一致
。
制备过程中,薄膜晶体管的性能和特性与靶材的质量和纯度有关
。
[0003]然而随着显示技术朝着超高清
、
高刷新率
、
低功耗和高透明等方向的发展
,
对
TFT
的迁移率和稳定性提出了更高的要求
。
当前规模量产应用
IGZO
的
TFT
迁移率只有
10cm2﹒V
‑1﹒s
‑1左右,还面临着在负偏压光照应力
(NBIS)
下严重的阈值电压漂移的问题,难以满足未来显示的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种
IGZO
靶材,其特征在于,按质量百分比计,包括如下原料:
Ga2O3:
18
‑
30
%;
ZnO
:
40
‑
55
%;
In2O3:
15
‑
30
%;
Tb4O7:
0.8
‑2%;粘结剂:
0.5
‑1%;分散剂:
0.5
‑1%;上述粘结剂,通过如下步骤制备:将大豆分离蛋白加入去离子水中,超声分散,升温至
80℃
搅拌
30min
,降温至
50℃
,加入氨基功能化羧甲基纤维素水溶液,氮气氛围,搅拌,加入过硫酸铵溶液,反应
2h
,加入
CaCl 2
溶液,搅拌
30min
,得到粘结剂
。2.
根据权利要求1所述的一种
IGZO
靶材,其特征在于,大豆分离蛋白
、
去离子水
、
氨基功能化羧甲基纤维素
、
过硫酸铵溶液和
CaCl 2
溶液的用量比为
2g
:
50mL
:
4mL
:
2mL
:
1.5mL
;其中氨基功能化羧甲基纤维素水溶液的质量分数为6‑
10
%,过硫酸铵溶液的质量分数为
2.5
%,
CaCl 2
溶液的质量分数为
0.5
%
。3.
根据权利要求1所述的一种
IGZO
靶材,其特征在于,氨基功能化羧甲基纤维素通过如下步骤制备:将
POSS
‑
NH2和羧甲基纤维素水溶液加入甲醇中,搅拌,加入氢氧化钠溶液,搅拌均匀,得到氨基功能化羧甲基纤维素
。4.
根据权利要求3所述的一种
IGZO
靶材,其特征在于,
POSS
‑
NH2、
羧甲基纤维素水溶液
、
甲醇和氢氧化钠溶液的用量比为
2g
:
1.6mL
:
50mL
:
2mL
;其中羧甲基纤维素水溶液的质量分数为5%,氢氧化钠溶液的
pH
值为
12。5.
根据权利要求1所述的一种
IGZO
靶材,其特征在于,上述分散剂,通过如下步骤制备:将丙烯酸
、2
‑
丙烯酰胺
‑2‑...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐安泰,唐智勇,程波,
申请(专利权)人:株洲火炬安泰新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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