一种避免引脚变形的制造技术

本实用新型专利技术公开了一种避免引脚变形的

【技术实现步骤摘要】
一种避免引脚变形的MOS芯片封装结构


[0001]本技术涉及
MOS
芯片封装领域，尤其涉及一种避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构
。

技术介绍

[0002]MOS
芯片封装前，需要进行与引脚的连接，然后同引脚一起置入模具中，进行封装基体的注塑成型
。
[0003]引脚的长度较大，但是截面小，强度低，在注塑过程中，引脚容易在注塑料的冲击作用下变形或者倾斜，降低了封装的合格率
。
申请号为
202310312806.3
的专利申请中公开了一种
MOS
芯片封装结构及其封装方法，注塑前通过连筋进行引脚的连接，提升注塑时的稳定性，注塑后再进行连筋的切断，但是连筋对引脚的限位强度有限，而且增加了注塑后切断的工序，对散热效果也没有加强，需要进行改进
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构，避免封装注塑时引脚的变形，提升散热效果
。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一种避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构，包括：封装基体
、MOS
芯片
、
基板
、
源极引脚
、
栅极引脚和定位座，所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸，所述
MOS
芯片设置在基板的正面并位于封装基体中，所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方，所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚，所述源极引脚设置在
MOS
芯片的源极上并向下贯穿定位座，所述栅极引脚设置在
MOS
芯片的栅极上并向下贯穿定位座，所述定位座上设置有定位孔
。
[0007]其中，所述封装基体采用绝缘塑胶封装基体
。
[0008]其中，所述定位孔中设置有散热套
。
[0009]其中，所述定位座的厚度与封装基体的厚度相同
。
[0010]其中，所述定位座中设置有与漏极引脚对应的第一插槽
。
[0011]其中，所述定位座中设置有与源极引脚对应的第二插槽以及与栅极引脚对应的第三插槽
。
[0012]本技术的有益效果：一种避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构，定位座通过定位孔与封装基体注塑模具中的定位销配合，进行定位座的定位，并通过定位座实现对源极引脚
、
栅极引脚和漏极引脚的支撑与定位，提升了封装基体注塑过程中源极引脚
、
栅极引脚和漏极引脚的稳定性，减少变形问题，开模取出封装基体后，可以通过定位孔增强通风散热的效果，一举两得
。
附图说明
[0013]图1是本技术的结构示意图；
[0014]图2是图1中定位座的仰视图
。
具体实施方式
[0015]下面结合图1至图2并通过具体实施例来进一步说明本技术的技术方案
。
[0016]如图1所示的避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构，包括：封装基体
1、MOS
芯片
3、
基板
2、
源极引脚
7、
栅极引脚9和定位座6，所述基板2设置在封装基体1的背面并向上延伸，所述
MOS
芯片3设置在基板2的正面并位于封装基体1中，通过封装基体1进行散热
。
在本实施例中，所述封装基体1采用绝缘塑胶封装基体，对
MOS
芯片3的绝缘防护效果好，而且防水防潮，通过注塑成型，生产便利
。
[0017]将所述定位座6设置在封装基体1中并位于基板2的下方，在本实施例中，所述定位座6上设置有定位孔5，通过定位孔5与封装基体注塑模具中的定位销配合，进行定位座的定位
。
[0018]在本实施例中，所述定位座6的厚度与封装基体1的厚度相同，使得定位孔5成为贯穿孔
。
注塑后，开模取出封装基体1，可以通过定位孔5增强通风散热的效果，一举两得
。
此外，所述定位孔5中设置有散热套4，散热套4可以采用铜套或者铝合金套，进一步提升通风时的散热效果
。
[0019]在所述基板2底部设置有向下延伸至封装基体1下方并贯穿定位座6的漏极引脚8，在本实施例中，如图2所示，所述定位座6中设置有与漏极引脚8对应的第一插槽
11
，进行漏极引脚8的定位和支撑，避免封装基体1注塑时漏极引脚8的变形问题
。
[0020]将所述源极引脚7设置在
MOS
芯片3的源极上并向下贯穿定位座6，在本实施例中，所述定位座6中设置有与源极引脚7对应的第二插槽
12
，进行源极引脚7的定位和支撑
。
[0021]如图1所示，所述栅极引脚9设置在
MOS
芯片3的栅极上并向下贯穿定位座6，所述定位座6中设置有与与栅极引脚对应的第三插槽
10
，进行栅极引脚9定位和支撑，提升结构稳定性
。
如图2所示，第一插槽
11
位于第二插槽
12
和第三插槽
10
之间的下方，分别进行漏极引脚
8、
源极引脚7与栅极引脚9的定位，抵抗封装基体1注塑时的冲击力，而且定位座6采用绝缘塑料制成，无需拆卸或者切断，提升了生产效率
。
[0022]以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种避免引脚变形的
MOS
芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基体
、MOS
芯片
、
基板
、
源极引脚
、
栅极引脚和定位座，所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸，所述
MOS
芯片设置在基板的正面并位于封装基体中，所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方，所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚，所述源极引脚设置在
MOS
芯片的源极上并向下贯穿定位座，所述栅极引脚设置在
MOS
芯片的栅极上并向下贯穿定位座，所述定位座上设置有定位孔
。2.
根据权利要求1所述的避免引脚变形的
MOS

【专利技术属性】
技术研发人员：周扬扬，周炳，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：