光发射器件制造技术

本发明专利技术涉及光发射器件。本发明专利技术的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器件。发明专利技术的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。关于发明专利技术的光发射器件，将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里，将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外，每个电路群包括至少一个光发射元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光发射器件，特别地涉及包括在一对电极之间具有光发射层的光发射 元件的光发射器件。
技术介绍
在一对电极之间具有光发射层的光发射元件实际上用作操作显示器件的像素。在 最近几年中，这种光发射元件引起用作照明设备以及显示器件的光源的注意。关于照明设备，不特别地需要显示器件所需的复杂化。但是，由于一个光发射元件 的缺陷引起的对照明设备的影响却更大。特别地，可能会引起光发射元件不发光，因光发射 元件的短路导致照度极大减小的故障等。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器 件。专利技术的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。关于专利技术的光发射器件，将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里， 将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外，每个电路群包括 至少一个光发射元件。在专利技术中，对限制器的数目没有特别限制。因此，一个电路群包括至少一个限制 器。此外，可以将限制器提供为更接近于高电位电源或低电位电源；但是，优选地可以在电 流流进包括光发射元件和限制器的电路组的一侧上提供限制器(也就是，优选地将限制器 提供为比光发射元件更接近于高电位电源)。在这里，限制器包括用于控制流进光发射元件的过载电流的具有一个元件或多个 元件的组合的电路。根据专利技术的光发射器件包括第一光发射元件和第二光发射元件。第一光发射元件 和第二光发射元件每个都包括在第一电极和第二电极之间的光发射层。第一光发射元件中 所包含的第一电极和第二光发射元件中所包含的第二电极重叠并电连接。根据专利技术，可以减少因光发射元件中电极之间的短路引起的光发射器件的故障。 此外，根据专利技术可以获得能够容易制造的包含串联的光发射元件的光发射器件。附图说明图1是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图2是显示根据本专利技术的光发射器件中的光发射元件的模式的图。图3是显示根据本专利技术的光发射器件中的光发射元件的模式的图。图4是显示根据本专利技术的光发射器件中的光发射元件的模式的图。图5是显示根据本专利技术的光发射器件中的光发射元件的模式的图。图6是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图7A和7B是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图8是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图9A至9C是显示使用根据本专利技术的光发射器件的电子设备的模式的图。图10A和图10B是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图11是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。图12是显示根据本专利技术的光发射器件的模式的图。附图标记说明101a 光发射元件，101b 光发射元件，101c 光发射元件，101d 光发射元件，111 限制器，121 电路，122 布线，123 布线，124 电源，125 节点，126 节点，127 节点，128 节点，131 第一电极，132 第二电极，133 光发射层，201 第一电极，202 第二电极，211 空穴注入层，212 空穴传输层，213 光发射层，214 电子传输层，215 电子注入层，751 第 一电极，752 第二电极，761 :电子注入层，762 电子传输层，763 第一光发射层，764 隔离 层，765 第二光发射层，766 空穴传输层，767 空穴注入层，771 第一电极，772 第二电 极，781 :电子注入层，782 :电子传输层，783 第一光发射层，784 空穴传输层，785 第一 层，786 第二层，787 :电子传输层，788 第二光发射层，789 空穴传输层，790 空穴注入 层，501 衬底，502a 第一电极，502b 第一电极，502c 第一电极，502d 第一电极，505 隔 离层，506a 光发射层，506b 光发射层，506c 光发射层，506d 光发射层，507a 第二电极， 507b 第二电极，507c 第二电极，507d 第二电极，6001 支撑体，6002 照明部分，6503 柔性印制电路，5700 框架，5521 主体，5522 框架，5523 显示区，5524 键盘，901 框架， 902 液晶设备，903 背光照明，904 框架，905 驱动电路，906 柔性印制电路，301 晶体 管，302:电阻器，303 晶体管。具体实施例方式将在下文中参考附图详细地描述专利技术的实施方案方式。但是，本领域技术人员应 当容易明白，可以用许多不同方式实施专利技术，以及可以在形式和细节上进行多种改变而不 背离专利技术的本质和范围。因此，专利技术不应当受下面的实施方案方式的描述所限制。实施方案方式1将参考图1描述专利技术的光发射器件的模式。在图1中，将每个包含光发射元件101a至101d和限制器111的多个电路群121并联。在每个电路121中，将光发射元件101a至101d和限制器111分别地串联。在图 1中，在每个电路121中包含四个光发射元件；但是，不特别限制电路中的光发射元件的数 目，因此电路可以包括至少一个光发射元件。在这里，光发射元件101a至101d每个都具有 如图2中所示的在一对电极(第一电极131和第二电极132)之间的光发射层133。也不特别地限制限制器111 ；它可以是能够控制以防止过载电流的任意一种。例 如，限制器可以包括一个晶体管或者可以是多个元件例如晶体管和二极管的组合的电路。例如，图10A、图10B、图11或图12中所示的结构可以用作限制器111。但是，结 构不局限于此。图10A显示包括晶体管301和电阻器302的限制器111a。可选地，限制器 111可以包括晶体管301或电阻器302的任意一个，如同图10B中所示的限制器111b或图 11中所示的限制器111c的情况一样。在这里，如图10A中所示，晶体管301的栅电极可以 连接到节点127 ；另外地，例如如图10B中所示，晶体管301的栅电极可以连接到节点128。 如图10A和图10B中分别所示，在将限制器111a和限制器111b提供为更接近于高电位电 源的情况中，晶体管301可以优选地是p沟道晶体管。如图11中所示，在将限制器111c提 供为更接近于低电位电源的情况中，晶体管可以优选地是n沟道晶体管303。此外，限制器 111可以是如图12中所示的包括二极管的限制器llld。每个电路121的一端在节点125处连接到布线122，并且另一端在节点126处连接 到布线123。布线122和123连接到电源124。从电源124通过布线122和123将电压施加到光发射元件101a至101d。在各个 光发射元件101a至101d中的电极之间产生电位差；因此，电流流动。在发光物质因流动的 电流升高到激发态之后，在回复到基态时发光。第一电极131每个通过施加上具有相同极 性的电位的布线连接到电源。此外，第二电极132每个通过施加上具有与第一电极相反极 性的电位的布线连接到电源。在这里，对电位的哪种极性施加到各个电极没有特别限制。关于这种光发射器件，即使在光发射元件的任意一个中的电极之间引起故障例如 短路，也可以实施良好的操作，而不对其他光发射元件给予显著负担。例如，即使在光发射元件101b的电极短路的情况中，其他光发射元件(光发射元 件101a、101c和101d)也能够发光，因为它们相互串联。此外，即使在多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明设备，包括：彼此并联连接的多个电路，所述多个电路中的每一个包括：串联连接的多个光发射元件，所述多个光发射元件中的每一个包括：第一电极；在所述第一电极之上的光发射层；和在所述光发射层之上的第二电极；与所述多个光发射元件串联连接的限制器；以及与所述多个电路并联连接的电源，其中，所述多个光发射元件的第一电极彼此分离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野村亮二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]