【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种半导体结构的形成方法
。
技术介绍
[0002]在现有的半导体领域中,鳍式场效应晶体管
(FinFET)
是一种新兴的多栅器件,与平面式的金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)
相比,鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力,具有更强的工作电流,现已广泛应用于半导体各种器件中
。
[0003]随着半导体工艺的进一步发展,晶体管尺度缩小到几纳米以下,鳍式场效应晶体管也面临着严重的漏电
、
短沟道效应
、
栅控制能力减弱等问题
。
为了改善鳍式场效应晶体管性能,鳍部的形貌控制成为关键
。
[0004]然而,现有技术中鳍式场效应管结构中鳍的形成技术有待提高
。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法,以提高形成的半导体结构的性能
。
[0006]为解决上述技术问题,提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,衬底包括第一区和第二区,第一区和第二区的材料不同;在第一区表面和第二区表面形成若干相互分立的掩膜层;在形成掩膜层之后,对暴露出的衬底进行若干次刻蚀处理,使第一区形成第一鳍部,使第二区形成第二鳍部,各次刻蚀处理的方法包括:对暴露出的衬底进行刻蚀,使第一区形成过渡第一鳍部,使第二区形成过渡第二鳍部;在过渡第一鳍部和 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区和所述第二区的材料不同;在所述第一区表面和所述第二区表面形成若干相互分立的掩膜层;在形成掩膜层之后,对暴露出的所述衬底进行若干次刻蚀处理,使所述第一区形成第一鳍部,使所述第二区形成第二鳍部,各次刻蚀处理的方法包括:对暴露出的所述衬底进行刻蚀,使所述第一区形成过渡第一鳍部,使所述第二区形成过渡第二鳍部;在所述过渡第一鳍部和所述过渡第二鳍部侧壁表面形成第一保护层
。2.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一保护层的形成方法包括:在所述衬底表面
、
所述过渡第一鳍部和所述过渡第二鳍部表面形成第一保护材料层;回刻所述第一保护材料层直到暴露出所述衬底表面
。3.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述回刻工艺包括干法刻蚀工艺
。4.
如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括:刻蚀气体包括碳氟气体,偏压范围为
600V
至
1300V
,刻蚀功率范围为
100W
至
500W。5.
如权利要求4所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述碳氟气体中,碳原子与氟原子的原子数比例范围为
1.5:1
至
4:1。6.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一保护材料层的材料包括介质材料,所述介质材料包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅
、
碳氧化硅
、
碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种
。7.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一保护材料层的材料包括氧化硅;所述第一保护材料层的形成工艺包括原子层沉积工艺
。8.
如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述原子层沉积工艺的工艺参数包括:反应气体包括氨基硅烷和氧气
。9.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一保护层的形成过程和所述若干次刻蚀处理过程处于同一反应腔室内
。10.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在形成所述掩膜层之后,且在所述若干次刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:张恩宁,肖杏宇,谭程,王文泰,张海洋,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造,
类型:发明
国别省市:
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