【技术实现步骤摘要】
电流感测系统及包括该系统的DC
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DC转换器
[0001]本公开的方面一般涉及用于感测通过晶体管的电流的系统。本公开的方面还涉及包括一个或多个这样的系统的DC
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DC转换器。本公开的各方面尤其适于感测通过诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)的功率开关晶体管的电流。
技术介绍
[0002]晶体管在各种应用中用于电子电路。这样的应用可以有益于或者甚至需要相应地测量和调节通过一个或多个特定晶体管的电流。一种这样的应用涉及DC
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DC转换器,其中晶体管用作开关元件并且通常可以传导相对大的电流。
[0003]在下文中,参考图1描述了本领域已知的DC
‑
DC转换器100,其仅作为示例。DC
‑
DC转换器100包括输入电压源V
I
、转换器模块101、输出电容器C
O
和负载Z
L
。转换器模块101包括输入电容器C
I
、开关模块102、驱动模块103和电感器L
O
。在一些实施例中,输出电容器C
O
可以包括在转换器模块101中,和/或输入电容器C
I
和电感器L
O
中的一个或两个可以在转换器模块101的外部。
[0004]开关模块102包括高侧晶体管M
H
和低侧晶体管M
L
,在图1所示的示例中,高侧晶体管M
H
和低侧晶体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种系统(1),包括:晶体管模块(10),其包括:初级晶体管(M
P
),其电连接在第一端子(11a)和第二端子(11b)之间;以及次级晶体管(M
S
),其电连接在所述第一端子(11a)与第三端子(11c)之间,其中,所述次级晶体管(M
S
)的控制端子(11d)电连接到所述初级晶体管(M
P
)的控制端子;以及电流感测模块(20),其电连接到所述晶体管模块(10)并且具有输出端子(23),其中,所述系统(1)被配置为能够在第一模式下操作,在所述第一模式中,所述电流感测模块(20)被配置为:在所述第二端子(11b)与所述第三端子(11c)之间呈现阻抗,使得所述第三端子(11c)处的电压实质上等于所述第一端子(11a)处的电压;以及基于所述第三端子(11c)和所述第二端子(11b)之间的电压差,在所述输出端子(23)处,输出指示在第一电流方向上通过所述初级晶体管(M
P
)的电流的第一输出信号,所述第一电流方向为从所述第一端子(11a)到所述第二端子(11b)。2.根据权利要求1所述的系统(1),其中,所述电流感测模块(20)包括第一感测单元(21),所述第一感测单元包括:第一比较单元(CMP1),其具有第一输入端子和第二输入端子,并且被配置为:将在所述第一输入端子处接收的中间节点处的电压与在所述第二输入端子处接收的与所述第三端子(11c)和所述第二端子(11b)之间的所述电压差相对应的电压进行比较;以及基于所述比较的结果生成第一控制信号;以及第一晶体管(M1),其连接在所述电流感测模块(20)的所述输出端子(23)与所述中间节点之间,所述第一晶体管(M1)被配置为在所述第一晶体管(M1)的控制端子处接收所述第一控制信号,并且基于所述第一控制信号使第一电流在所述输出端子(23)与所述中间节点之间流动,其中,所述第一电流对应于所述第一输出信号或被用于生成所述第一输出信号。3.根据权利要求2所述的系统(1),所述第一感测单元(21)还包括电连接在所述第一晶体管(M1)和连接到参考电压的参考端子之间的电网络,其中,所述第一电流还流过所述电网络,以及其中,所述第一比较单元(CMP1)和所述第一晶体管(M1)一起形成第一负反馈回路的至少一部分,所述第一负反馈回路被配置为调节所述第一电流,使得所述第一输入端子处的电压和所述第二输入端子处的电压实质上相等,其中,经调节的第一电流对应于所述第一输出信号或被用于生成所述第一输出信号,其中,所述电网络优选地包括补偿晶体管(M
C
),并且其中,所述电流感测模块(20)优选地还包括温度补偿单元(25),所述温度补偿单元被配置为感测所述初级晶体管(M
P
)处或附近的温度并且控制所述补偿晶体管(M
C
)的控制端子,使得在操作期间所述补偿晶体管(M
C
)的导通电阻实质上对应于所述初级晶体管(M
P
)的导通电阻。4.根据权利要求1所述的系统(1),其中,所述电流感测模块(20)包括第一开关(S1),所述第一开关被配置为当所述系统(1)在所述第一模式中操作时,向所述电流感测模块(20)的所述输出端子(23)提供第一电压信号,所述第一电压信号与所述第三端子(11c)和所述第二端子(11b)之间的所述电压差对应,所述第一电压信号与所述第一输出信号对应或者
被用于生成所述第一输出信号,所述系统(1)优选地还包括温度补偿单元(25),其被配置为基于所述初级晶体管(M
P
)处或附近的温度来调节所述第一电压信号。5.根据前述权利要求中任一项所述的系统(1),其中,所述电流感测模块(20)还包括电连接在所述晶体管模块(10)和所述第一感测单元(21)之间的放大单元(AMP、R2、R3),其中,所述放大单元被配置为放大所述第三端子(11c)和所述第二端子(11b)之间的所述电压差,并且其中,所述电流感测模块(20)被配置为基于经放大的所述第三端子(11c)和所述第二端子(11b)之间的电压差来生成所述第一信号。6.根据前述权利要求中任一项所述的系统(1),其中,所述系统(1)还被配置为能够在第二模式中操作,在所述第二模式中,所述电流感测模块(20)被配置为在所述输出端子(23)处输出指示在第二电流方向上通过所述初级晶体管(M
P
)的电流的第二输出信号,所述第二电流方向为从所述第二端子(11b)到所述第一端子(11a),其中,为了输出所述第二输出信号,所述电流感测模块(20)被配置为:调节通过所述次级晶体管(M
S
)的电流,使得所述第三端子(11c)处的电压实质上等于所述第二端子(11b)处的电压;以及基于所述经调节的电流来输出所述第二输出信号。7.根据权利要求6所述的系统(1),其中,所述电流感测模块(20)包括第二感测单元(22),所述第二感测单元包括:第二比较单元(CMP2),其被配置为将所述第二端子(11b)处的电压与所述第三端子(11c)处的电压进行比较,并且基于所述比较的结果来生成第二控制信号;以及第二晶体管(M2),其连接在所述第三端子(11c)和参考端子之间,所述第二晶体管(M2)被配置为在所述第二晶体管(M2)的控制端子处接收所述第二控制信号,并基于所述第二控制信号使第二电流通过所述第二晶体管(M2)从所述参考端子流到所述次...
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