【技术实现步骤摘要】
切割道图案的区域分析方法及设备
[0001]本公开实施例涉及半导体
,尤其涉及一种切割道图案的区域分析方法及设备
。
技术介绍
[0002]晶圆
(wafer)
是制作半导体电路所用的硅晶片,通常情况下,晶圆上设置有切割道
(scribe line)
,以沿着切割道将晶圆切割成多个芯片
(DIE)。
切割道可以多个,并且互相垂直,每个切割道具有一定的长度和宽度
。
图1是本公开实施例提供的晶圆的一个曝光区域中的切割道分布示意图
。
参照图1所示,阴影部分对应互相垂直的两条切割道,这两条切割道将晶圆的该曝光区域切割为四个芯片
。
[0003]为了尽可能的提高晶圆的利用率,可以利用切割道进行一些辅助处理
。
从而,如何充分使用切割道是亟待解决的问题
。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供一种切割道图案的区域分析方法及设备,可以分析掩膜版上切割道图案的空闲区域尺寸,以充分使用切割道
。
[0005]第一方面,本公开实施例提供一种切割道图案的区域分析方法,所述方法包括:
[0006]确定掩膜版上的切割道图案的尺寸;
[0007]根据所述切割道图案的区域中设置的目标图案在版图中对应的第一图层,确定所述目标图案的尺寸;
[0008]根据所述切割道图案的尺寸和所述目标图案的尺寸,确定所述切割道图案的空闲区域尺寸
。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种切割道图案的区域分析方法,其特征在于,包括:确定掩膜版上的切割道图案的尺寸;根据所述切割道图案的区域中设置的目标图案在版图中对应的第一图层,确定所述目标图案的尺寸;根据所述切割道图案的尺寸和所述目标图案的尺寸,确定所述切割道图案的空闲区域尺寸
。2.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述切割道图案的区域中设置的目标图案在版图中对应的第一图层,确定所述目标图案的尺寸,包括:调用所述第一图层的图层尺寸接口,确定所述目标图案的尺寸
。3.
根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述切割道图案的尺寸和所述目标图案的尺寸,确定所述切割道图案的空闲区域尺寸之后,还包括:根据所述空闲区域尺寸创建第二图层;通过所述第二图层提示所述切割道图案的空闲区域
。4.
根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过所述第二图层提示所述切割道图案的空闲区域,包括:对所述第二图层进行标记,以提示所述切割道图案的所述空闲区域
。5.
根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:根据所述空闲区域尺寸和
/
或所述空闲区域,确定向所述切割道图案的区域中添加目标图案的策略
。6.
根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述空闲区域尺寸和
/
或所述空闲区域,确定向所述切割道图案的区域中添加目标图案的策略,包括:若所述空闲区域尺寸小于或等于预设尺寸,则确定所述策略为关闭策略,所述关闭策略用于指示停止向所述切割道图案的区域中添加目标图案
。7.
根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述空闲区域尺寸和
/
或所述空闲区域,确定向所述切割道图案的区域中添加目标图案的策略,包括:若所述空闲区域尺寸大于预设尺寸,则确定所述策略为打开策略,所述打开策略用于指示向所述切割道图案的所述空闲区域中添加目标图案
。8.
根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述确定所述策略为打开策略之后,还包括:若所述空闲区域为预设图形,则根据所述空闲区域尺寸和所述预设尺寸,确...
【专利技术属性】
技术研发人员:李静,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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