切割带以及使用切割带的半导体芯片和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供切割带、使用切割带的半导体芯片和半导体装置的制造方法，其能够抑制常温膨胀紧后切口宽度变窄，并且在常温膨胀后的热收缩工序中能够在比以往短的时间内充分且均匀地加热收缩，可在能够抑制相邻芯片接合膜(粘接剂层)彼此接触而再粘连、半导体芯片的边缘损伤的程度上充分保持切口宽度。切割带具备基材膜和该基材膜上的含有活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层，基材膜在MD方向具有9MPa以上18MPa以下在23℃100％伸长时的拉伸强度、50％以上在23℃时的保持100秒100％伸长后的应力缓和率和20％以上在80℃时的保持100秒100％伸长后的热收缩率，粘着剂层具有0.45K

【技术实现步骤摘要】
切割带以及使用切割带的半导体芯片和半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及能够在半导体装置的制造工序中使用的切割带。

技术介绍

[0002]半导体装置的制造中，使用切割带、或该切割带与芯片接合膜一体化而成的切割芯片接合膜。
[0003]切割带具有在基材膜上设有粘着剂层的结构，用于在半导体晶片切割时以通过切割而单片化的半导体芯片不会飞散的方式进行固定保持的用途。然后，将单片化的半导体芯片从切割带的粘着剂层剥离，借助另行准备的粘接剂、粘接膜固定于引线框、布线基板或者其他半导体芯片等被粘物。
[0004]切割芯片接合膜是在切割带的粘着剂层上可剥离地设有芯片接合膜(以下有时称为“粘接剂层”)。在半导体装置的制造中，半导体晶片贴合在切割芯片接合膜的芯片接合膜上。然后，将半导体晶片和芯片接合膜分割，从切割带的粘着剂层剥离(拾取)，借助芯片接合膜固定于引线框、布线基板或者其他半导体芯片等被粘物。
[0005]作为分割半导体晶片的方法，以往进行的是利用高速旋转的切割刀的全切割方法。然而，近年来，出于半导体晶片薄膜化、防止切断时的缺口的目的，进行被称为SDBG(Stealth Dicing Before Griding，研磨前隐形切割)的方法。
[0006]该方法中，例如，首先对半导体晶片的预定切割线照射激光，不将半导体晶片完全切断而是形成距离半导体晶片表面预定深度的改性区域，然后，一边适当调整研磨量一边进行背面研磨，由此单片化为多个半导体芯片。然后，将单片化的半导体芯片粘贴于切割芯片接合膜，在低温下(例如
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30℃～0℃)使切割带膨胀(以下有时称为“冷膨胀”)，从而按照各个半导体芯片的形状将低温下脆化的芯片接合膜进行切断。接下来，使切割带在常温附近膨胀(以下有时称为“常温膨胀”)，使相邻的带芯片接合膜的半导体芯片间的间隔(以下有时称为“切口宽度”)扩大，最后，通过拾取，从切割带的粘着剂层剥离，由此能够得到带芯片接合膜的半导体芯片。
[0007]然而，上述利用SDBG的方法中，根据所用的切割带的性能，伴随上述常温膨胀工序的膨胀量的上升，在切割带的膨胀环处被顶起的部分伸长，在常温膨胀后使扩张平台下降而解除膨胀状态时，该部分会产生松弛，如果对松弛置之不理，则有时会产生如下问题：相邻的带芯片接合膜的半导体芯片间的间隔(切口宽度)变窄或变得不均匀，无法充分维持常温膨胀紧后的切口宽度。在没有充分维持切口宽度的情况下，在后面的拾取工序中，有时无法适当地从切割带的粘着剂层拾取带芯片接合膜的半导体芯片，例如在半导体芯片的拾取时，有时会在该半导体芯片和与之相邻的半导体芯片间发生由芯片间接触引起的损伤、由粘接剂层彼此接触引起的再粘连等，拾取成品率降低。
[0008]因此，作为解决上述问题的方法，提出了下述方法：通过膨胀对芯片接合膜(粘接剂层)进行切断，在解除膨胀状态后，对切割带的松弛部分进行加热而使其收缩，保持相邻
的带芯片接合膜的半导体芯片间的间隔(切口宽度)(例如专利文献1～3)。
[0009]专利文献1中，以提供能够消除切割带的松弛且能够防止半导体芯片彼此接触的切割带为目的，公开了一种具备芯片接合膜和切割带的切割
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芯片接合膜，所述切割带具备配置于芯片接合膜上的层叠部和配置于层叠部周边的周边部，周边部在130℃～160℃时的收缩率为0.1％以上。
[0010]此外，专利文献2中，以提供能够消除松弛且能够防止半导体元件彼此接触的切割片为目的，公开了一种切割片，其通过在100℃加热1分钟而收缩，相对于加热前MD方向的第1长度100％，加热后MD方向的第2长度为95％以下。
[0011]进一步，专利文献3中，以提供一种热收缩率低、无关胶带方向地均匀收缩从而不会产生褶皱、此外芯片位置不会偏移、切口宽度均匀扩张的半导体加工用胶带为目的，公开了一种半导体加工用胶带，其特征在于，在100℃加热10秒时的胶带长度方向和宽度方向两者的热收缩率为0％以上20％以下，而且，在长度方向和宽度方向的热收缩率均为0.1％以上时，长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率＝0.01以上100以下。
[0012]现有技术文献
[0013]专利文献
[0014]专利文献1：日本特开2015
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211081号公报
[0015]专利文献2：日本特开2016
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115775号公报
[0016]专利文献3：国际公开第2016/152957号公报

技术实现思路

[0017]专利技术所要解决的课题
[0018]因此，作为通过加热收缩(以下有时称为“热收缩”)除去由常温膨胀产生的切割带的松弛的方法，一般使用下述方法：对于比粘贴有切断的多个带芯片接合膜的半导体芯片(裸芯片)的区域更外侧部分的发生松弛的切割带，使一对热风吹拂喷嘴环绕，由此从该切割带的粘着剂层面侧施加热风来进行加热，使其收缩。通过使用该热收缩工序的方法，比切割带的外侧部分更内侧的区域(粘贴有切断的多个带芯片接合膜的半导体芯片(裸芯片)的区域)达到预定程度的张力起作用的张紧状态，因而能够保持常温膨胀时形成、确保的各个带芯片接合膜的半导体芯片的间隔(切口宽度)。这样，在后面的拾取工序中，能够不使相邻的半导体芯片相互干扰地将各个带芯片接合膜的半导体芯片从切割带的粘着剂层剥离，能够以高成品率得到带芯片接合膜的半导体芯片。
[0019]上述专利文献1记载的切割带在130℃～160℃时的收缩率为0.1％以上，为了使发生松弛的切割带的周边部产生收缩，需要比较高的加热温度和比较长的加热时间。因此存在下述可能：加热干燥器等的热风的影响波及半导体晶片外周附近的芯片接合膜(粘接剂层)，芯片接合膜的一部分熔化，在切断的带芯片接合膜的半导体芯片中，发生由相邻的芯片接合膜(粘接剂层)彼此接触引起的再粘连、半导体芯片的边缘损伤等，带芯片接合膜的半导体芯片的拾取成品率降低。
[0020]此外，上述专利文献2记载的切割片中，通过在100℃加热1分钟而收缩，相对于加热前MD方向的第1长度100％，加热后MD方向的第2长度为95％以下。进一步，上述专利文献3记载的半导体加工用胶带中，在100℃加热10秒时的胶带长度方向和宽度方向两者的热收
缩率为0％以上20％以下。但存在下述问题：使热风吹拂喷嘴环绕来加热时，切割片、半导体加工用胶带的表面附近的温度缓慢上升，因此为了消除切割带、半导体加工用胶带的周边部全部位置的松弛，很是耗费时间。此外，对于切口宽度的保持性，有时也不能说是充分的。
[0021]因此，本专利技术的目的在于提供一种切割带，在能够以高成品率制造带芯片接合膜的半导体芯片的基础上，能够抑制常温膨胀紧后切口宽度变窄，并且，在常温膨胀后的热收缩工序中，能够在比以往更短的时间内充分且均匀地加热收缩，可在能够抑制相邻的芯片接合膜(粘接剂层)彼此接触而再粘连、半导体芯片的边缘损伤的程度上充分保持切口宽度。此外，其他目的还在于提供使用该切割带的、半导体芯片和半导体装置的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割带，其为具备基材膜和该基材膜上的含有活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层的切割带，所述基材膜在MD方向上具有：(1)9MPa以上18MPa以下的在23℃、100％伸长时的拉伸强度；(2)50％以上的式(1)所表示的23℃时的保持100秒100％伸长后的应力缓和率，保持100秒100％伸长后的应力缓和率(％)＝[(A
‑
B)/A)]
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100(1)式中，A为将基材膜在23℃进行100％伸长时的拉伸负荷，B为将基材膜在23℃进行100％伸长，在该状态下保持100秒后的拉伸负荷；以及(3)20％以上的式(2)所表示的80℃时的保持100秒100％伸长后的热收缩率，保持100秒100％伸长后的热收缩率(％)＝[(C
‑
D)/C]
×
100(2)式中，C为将以预定间隔标有刻线的基材膜在23℃进行100％伸长，在该状态下保持100秒时的该刻线的间隔，D为将以预定间隔标有刻线的基材膜在23℃进行100％伸长，在该状态下保持100秒后，在无张力状态下在80℃温度气氛中加热60秒使其收缩后的该刻线的间隔；所述粘着剂层具有0.45K
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【专利技术属性】
技术研发人员：增田晃良，古川慧，角田俊之，佐藤浩和，田中理惠，
申请(专利权)人：麦克赛尔株式会社，
类型：发明
国别省市：