一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磷化铟晶片加工技术领域，特别涉及一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，包括基座，所述基座上表面中心处活动设置有清洗承载台，所述清洗承载台上设置有磷化铟晶片，所述基座上位于所述清洗承载台的外侧固接有固定座，所述固定座上安装有喷淋管，所述喷淋管下表面设置有若干个喷头，每个所述喷头上均设置有流量控制阀

【技术实现步骤摘要】
一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置


[0001]本专利技术涉及磷化铟晶片加工
，具体为一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置
。

技术介绍

[0002]磷化铟晶片是重要的化合物半导体材料，与砷化镓相比，其优越性主要在于高的饱和电场漂移速度
、
导热性好以及较强的抗辐射能力等，在当前迅速发展的光纤通讯领域，磷化铟晶片是优选的衬底材料
。
[0003]申请公开号为
CN113140485A
，公开了一种晶圆清洗设备，属于半导体清洗
，包括：固定架；清洗池，设于所述固定架上；清洗盘，转动设于所述清洗池内，所述清洗盘用于容置晶圆；清洗组件，转动设于所述固定架上，所述清洗组件能够进出所述清洗池，并能够旋转对晶圆进行清洗；第一驱动组件，与所述清洗盘连接，以驱动所述清洗盘转动；第二驱动组件，与所述清洗组件连接，以驱动所述清洗组件进出所述清洗池并能够清洗晶圆；以及喷流组件，设于所述固定架上，用于向所述清洗池内喷射液体，以对晶圆进行清洗，并能在清洗完成后对晶圆喷射气体进行烘干
。
清洗组件包括：转动件，转动设于所述固定架上，并与所述第二驱动组件连接；摆臂，与所述转动件连接；以及刷头，与所述摆臂转动连接，通过所述摆臂的摆动使所述刷头进出所述清洗池；第一驱动器，设于所述转动件内，并与所述刷头连接，以驱使所述刷头旋转
。
[0004]如上述申请相同，现有晶片清洗工艺，其普遍采用喷淋的方式进行清洗，即将磷化铟晶片固定在旋转台上，在旋转台的上方设置有喷淋管，通过喷淋管上设置的喷淋头喷出清洗液，配合旋转台带动磷化铟晶片转动，实现对磷化铟晶片的喷淋清洗；
[0005]但是磷化铟材料与酸类化学品反应速度快，在清洗过程中需要精确控制硫酸用量，采用控制磷化铟晶片转动配合喷头进行喷淋清洗，由于旋转中的磷化铟晶片的边缘线速度远大于中心线速度，导致当清洗液均匀且垂直地喷射到磷化铟晶片表面时，磷化铟晶片表面的边缘区域上的清洗液量明显小于中心区域上的清洗液量，从而造成磷化铟晶片边缘区域清洗效果差，甚至造成磷化铟晶片的中心区域产生损伤
。

技术实现思路

[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置
。
[0007]本专利技术采用以下技术方案，一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，包括基座，所述基座上表面中心处活动设置有清洗承载台，所述清洗承载台上设置有磷化铟晶片，所述基座上位于所述清洗承载台的外侧固接有固定座，所述固定座上安装有喷淋管，所述喷淋管下表面设置有若干个喷头，每个所述喷头上均设置有流量控制阀；
[0008]所述固定座上设置有数据采集分析模块，所述数据采集分析模块用于采集磷化铟晶片的清洗数据信息，并根据采集的清洗数据生成每个喷头清洗区域面积信息，根据每个
喷头清洗区域面积信息生成流量控制系数，每个所述喷头上的流量控制阀根据生成的流量控制系数控制每个喷头的流量
。
[0009]作为上述技术方案的进一步描述：所述磷化铟晶片的清洗数据信息包括磷化铟晶片的尺寸
、
喷头的个数，每个喷头清洗的范围和单个磷化铟晶片所需清洗液的质量和单个磷化铟晶片所需清洗时间；
[0010]其中磷化铟晶片的尺寸
、
喷头的个数能够在使用时通过工具测量获得；
[0011]每个喷头清洗的范围
、
单个磷化铟晶片所需清洗液的质量和单个磷化铟晶片所需清洗时间均通过实验获取
。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：每个所述喷头清洗区域面积信息生成方法包括：
[0013]；
[0014]；
[0015]；
[0016]……
[0017]；
[0018]式中，
X1、X2、X3...X
n
代表每个喷头的清洗区域面积，
R
为喷头清洗区域的直径，为圆周率；
[0019]其中，
X1+X2+X3+
……
+X
n
=
单个磷化铟晶片的面积，喷头喷洒范围与一个圆形区域，
R
为该圆形区域的直径，喷头的喷晒范围受喷头与磷化铟晶片之间的间距影响，喷头与磷化铟晶片之间越大，喷头喷洒的范围越大
。
[0020]作为上述技术方案的进一步描述：所述流量控制系数的生成方法包括：
[0021]；
[0022]；
[0023]；
[0024]……
[0025]；
[0026]式中，
L1、L2、L3、
……
、L
n
分别表示每个区域对应喷头的流量控制系数，
ZL
为单个磷化铟晶片所需清洗液的质量，
X1+X2+X3+
……
+X
n
，为所有喷头的喷涂面积，
Tz
为单个磷化铟晶片所需清洗时间
。
[0027]作为上述技术方案的进一步描述：所述数据采集分析模块将获取的流量控制系数分别传输到每个对应的流量控制阀上，将流量控制系数作为每个对应的喷头喷洒清洗液的流速，即喷洒清洗液的流量，通过流量控制阀控制喷头的喷洒清洗液时的流量
。
[0028]作为上述技术方案的进一步描述：所述清洗承载台上表面中心处开设有定位槽，所述定位槽内设置有固定组件，该固定组件用于将磷化铟晶片吸附固定在清洗承载台上
。
[0029]作为上述技术方案的进一步描述：所述固定组件包括若干个吸盘和真空泵，若干个所述吸盘均设置在定位槽内，且若干个吸盘呈矩形阵列分布，相邻两吸盘之间的间距相等，所述真空泵螺栓固定在清洗承载台的下表面，所述真空泵与吸盘之间通过连接管相互连接
。
[0030]作为上述技术方案的进一步描述：所述清洗承载台下表面中心处固定连接有立柱，所述立柱的底端固定有旋转盘，所述基座上表面开设有配合旋转盘使用的圆形槽，所述圆形槽内部底板上开设有环形滑槽，所述旋转盘下表面焊接有滑块，所述滑块与环形滑槽滑动连接
。
[0031]作为上述技术方案的进一步描述：所述滑块共设置有三个，三个滑块呈环形分布，相邻两滑块之间的间距相等，所述环形滑槽的截面为倒
T
字型
。
[0032]作为上述技术方案的进一步描述：所述基座上设置有驱动机构，所述驱动机构用于驱动立柱转动，所述驱动机构包括驱动电机，所述驱动电机嵌设固定在基座上，所述驱动电机的输出轴上固接有驱动齿轮
。
所述立柱上焊接有齿圈，所述驱动齿轮和齿圈啮合连接
。
[0033]在上述技术方案中，本专利技术提供的一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，通过定位喷淋管上每个喷头的位置，获取每个喷头的清洗面积，从而计算生成流量控制系数，根据生成的流量控制系数控制每个喷头的流量，通过控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，包括基座（1），所述基座（1）上表面中心处活动设置有清洗承载台（2），所述清洗承载台（2）上设置有磷化铟晶片（3），所述基座（1）上位于所述清洗承载台（2）的外侧固接有固定座（4），所述固定座（4）上安装有喷淋管（5），所述喷淋管（5）下表面设置有若干个喷头（6），其特征在于，每个所述喷头（6）上均设置有流量控制阀（7）；所述固定座（4）上设置有数据采集分析模块，所述数据采集分析模块用于采集磷化铟晶片（3）的清洗数据信息，并根据采集的清洗数据生成每个喷头（6）清洗区域面积信息，根据每个喷头（6）清洗区域面积信息生成流量控制系数，每个所述喷头（6）上的流量控制阀（7）根据生成的流量控制系数控制每个喷头（6）的流量
。2.
根据权利要求1所述的一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，其特征在于，所述磷化铟晶片（3）的清洗数据信息包括磷化铟晶片（3）的尺寸
、
喷头（6）的个数，每个喷头（6）清洗的范围和单个磷化铟晶片（3）所需清洗液的质量和单个磷化铟晶片（3）所需清洗时间；其中磷化铟晶片（3）的尺寸
、
喷头（6）的个数能够在使用时通过工具测量获得；每个喷头（6）清洗的范围
、
单个磷化铟晶片（3）所需清洗液的质量和单个磷化铟晶片（3）所需清洗时间均通过实验获取
。3.
根据权利要求2所述的一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，其特征在于，每个所述喷头（6）清洗区域面积信息生成方法包括：；；；
……
；式中，
X1、X2、X3...X
n
代表每个喷头（6）的清洗区域面积，
R
为喷头（6）清洗区域的直径，为圆周率；其中，
X1+X2+X3+
……
+X
n
=
单个磷化铟晶片（3）的面积，喷头（6）喷洒范围为一个圆形区域，
R
为该圆形区域的直径
。4.
根据权利要求3所述的一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，其特征在于，所述流量控制系数的生成方法包括：；；
；
……
；式中，
L1、L2、L3、
……
、L
n
分别表示每个区域对应喷头（6）的流量控制系数，
ZL
为单个磷化铟晶片（3）所需清洗液的质量，
X1+X2+X3+
……
+X
n
为所有喷头（6）的喷涂面积，
Tz
为单个磷化铟晶片（3）所需清洗时间
。5.
根据权利要求3所述的一种用于磷化铟晶片自动清洗用定量喷淋装置，其特征在于，所述数据采集分析模块将获取的流量控制系数分别传输到每个对应的流量控制阀（7）上，将流量控制系数作为每个对应的喷头（6）喷洒清洗液的流速，即喷洒清洗液的流量，通过流量控制阀（7）控制喷头（6）...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖迪，肖燕青，郑东，王鑫，
申请(专利权)人：青岛华芯晶电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：