半导体制品的切割分离方法和系统技术方案

本申请提供一种半导体制品的切割分离方法和系统，其中，分离方法为：半导体制品固定于紫外线胶带，半导体制品包括多个半导体器件，紫外线胶带具有粘膜基层和设置于粘膜基层的粘膜胶层，半导体制品粘贴于粘膜胶层

【技术实现步骤摘要】
半导体制品的切割分离方法和系统


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体制品的切割分离方法和系统
。

技术介绍

[0002]近年来半导体器件不断朝着轻薄化的方向发展，半导体器件是由半导体制品经过切割而形成的
。
半导体制品的切割方法普遍是机械切割后人工分离，其工艺流程通常是将半导体制品的底部粘接到保护粘膜上，然后将保护粘膜固定在工作底盘上，用刀具对半导体制品进行切割，形成多个半导体器件，在切割完成后，人工将半导体器件与保护粘膜分离
。
而由于保护粘膜的粘接力强，切割完成后，半导体器件与保护粘膜比较难分离，容易出现半导体器件损坏的情况
。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够将半导体器件较为容易地分离，避免损坏的半导体制品的切割分离方法和系统
。
[0004]为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种半导体制品的切割分离方法，包括以下步骤：
[0006]步骤
S1
，将半导体制品固定于紫外线胶带，所述半导体制品包括多个半导体器件，所述紫外线胶带具有粘膜基层和设置于所述粘膜基层的粘膜胶层，所述半导体制品粘贴于所述粘膜胶层
。
[0007]步骤
S2
，将所述紫外线胶带固定于一工作底盘，设置相互垂直的至少一条
X
切割路径与至少一条
Y/>切割路径，沿着所述
X
切割路径与所述
Y
切割路径对所述半导体制品和所述紫外线胶带的一部分进行切割，形成多个分立的半导体器件
。
[0008]步骤
S3
，切割完成后，卸除所述工作底盘，用紫外线照射装置照射所述紫外线胶带，使得所述半导体器件与所述紫外线胶带的粘膜胶层之间的粘度降低
。
[0009]步骤
S4
，将所述半导体器件从所述紫外线胶带的粘膜胶层上分离
。
[0010]根据本申请的一实施方式，步骤
S2
中，所述半导体制品具有第一表面和第二表面，在所述半导体制品的所述第二表面上粘贴所述紫外线胶带，在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向按照预设切割深度
d
进行切割
。
[0011]根据本申请的一实施方式，所述预设切割深度
d
按照以下公式确定：
[0012]d
＝所述半导体制品的厚度
+
所述粘膜胶层的厚度
+aX
所述粘膜基层的厚度，
0.2≤a≤0.8。
[0013]根据本申请的一实施方式，步骤
S3
中，所述紫外线照射装置靠近所述粘膜基层的远离所述半导体器件的表面，所述紫外线照射装置由多个波长为
320nm
至
400nm
的可旋转
UV
灯组成，光照强度为
3000
‑
5000mj/CM
，照射时长为
60
‑
100
秒钟
。
[0014]根据本申请的一实施方式，步骤
S4
中，采用分离装置进行分离，所述分离装置包括
扩膜分离器件，所述扩膜分离器件向远离所述半导体器件的方向拉伸所述紫外线胶带，使得相邻所述半导体器件之间的间距增大
。
[0015]根据本申请的一实施方式，所述分离装置还包括机械探头和方向驱动组件，所述机械探头设置在所述紫外线胶带的粘膜基层的远离所述半导体器件的表面，所述机械探头将所述粘膜基层向所述半导体器件的方向顶起并具有顶起高度，所述顶起高度大于等于所述紫外线胶带的厚度，所述方向驱动组件驱动所述机械探头在所述粘膜基层的所述表面移动
。
[0016]根据本申请的一实施方式，定义所述半导体器件与所述粘膜胶层的接触面积为第一接触面积
S1
，所述机械探头与所述粘膜基层的接触面积为第二接触面积
S2
，则
0.5S1≤S2≤4S1。
[0017]根据本申请的一实施方式，所述机械探头顶部还设置超声波器件，所述超声波器件能发射超声波，通过超声波振动分离所述半导体器件和所述紫外线胶带，所述超声波的振动频率为
10kHz
‑
60kHz
，振动幅度为
20um
‑
60um。
[0018]根据本申请的一实施方式，所述机械探头顶部还设置第一应力检测器件，用于检测所述紫外线胶带被拉伸和顶起时产生的应力，并根据应力值大小对所述超声波器件进行反馈控制，调整所述超声波的振动频率
。
[0019]根据本申请的一实施方式，所述机械探头顶部还设置第二应力检测器件，用于检测所述紫外线胶带被拉伸和振动时产生的应力，并根据应力值大小对所述机械探头进行反馈控制，调整所述机械探头的顶起高度
。
[0020]根据本申请的另一方面，提供一种半导体制品切割分离系统，包括半导体制品切割装置
、
紫外线照射装置和分离装置
。
其中半导体制品切割装置包括透光夹具
、
工作底盘和切割刀具，所述半导体器件粘贴于紫外线胶带，所述透光夹具用于将所述紫外线胶带固定于所述工作底盘，所述切割刀具用于对所述半导体制品进行切割，形成多个分离的半导体器件
。
所述紫外线照射装置靠近所述紫外线胶带的远离所述半导体器件的表面，用于照射所述紫外线胶带，以降低所述紫外线胶带与所述半导体器件之间的粘度
。
分离装置用于将经过紫外线照射之后的所述半导体器件与所述紫外线胶带分离
。
[0021]根据本申请的一实施方式，所述分离装置包括扩膜分离器件
、
机械探头和方向驱动组件
。
所述扩膜分离器件用于向远离所述半导体器件的方向拉伸所述紫外线胶带，使得相邻所述半导体器件之间的间距增大
。
所述机械探头设置在所述紫外线胶带的粘膜基层的远离所述半导体器件的表面，所述机械探头将所述粘膜基层向所述半导体器件的方向顶起
。
所述方向驱动组件驱动所述机械探头在所述粘膜基层的所述表面移动
。
所述机械探头顶部还设置超声波器件，所述超声波器件能发射超声波，通过超声波振动分离所述半导体器件和所述紫外线胶带
。
[0022]由上述技术方案可知，本申请提出的半导体制品的切割分离方法的优点和积极效果在于：
[0023]本申请提出的半导体制品的切割分离方法，采用具有粘膜基层和粘膜胶层的紫外线胶带作为保护粘膜，将半导体制品粘结于粘膜胶层，在切割后又采用紫外线照射装置照射紫外线胶带，减低半导体器件与紫外线胶带的粘膜胶层之间的粘度，然后采用分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体制品的切割分离方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤
S1
，将半导体制品固定于紫外线胶带，所述半导体制品包括多个半导体器件，所述紫外线胶带具有粘膜基层和设置于所述粘膜基层的粘膜胶层，所述半导体制品粘贴于所述粘膜胶层；步骤
S2
，将所述紫外线胶带固定于一工作底盘，设置相互垂直的至少一条
X
切割路径与至少一条
Y
切割路径，沿着所述
X
切割路径与所述
Y
切割路径对所述半导体制品和所述紫外线胶带的一部分进行切割，形成多个分立的半导体器件；步骤
S3
，切割完成后，卸除所述工作底盘，用紫外线照射装置照射所述紫外线胶带，使得所述半导体器件与所述紫外线胶带的粘膜胶层之间的粘度降低；步骤
S4
，将所述半导体器件从所述紫外线胶带的粘膜胶层上分离
。2.
根据权利要求1所述的半导体制品切割分离方法，其特征在于，步骤
S2
中，所述半导体制品具有第一表面和第二表面，在所述半导体制品的所述第二表面上粘贴所述紫外线胶带，在所述第一表面的预定位置上向所述第二表面的方向按照预设切割深度
d
进行切割
。3.
根据权利要求2所述的半导体制品切割分离方法，其特征在于，所述预设切割深度
d
按照以下公式确定：
d
＝所述半导体制品的厚度
+
所述粘膜胶层的厚度
+aX
所述粘膜基层的厚度，
0.2≤a≤0.8。4.
根据权利要求1所述的半导体制品切割分离方法，其特征在于，步骤
S3
中，所述紫外线照射装置靠近所述粘膜基层的远离所述半导体器件的表面，所述紫外线照射装置由多个波长为
320nm
至
400nm
的可旋转
UV
灯组成，光照强度为
3000
‑
5000mj/CM
，照射时长为
60
‑
100
秒钟
。5.
根据权利要求1所述的半导体制品切割分离方法，其特征在于，步骤
S4
中，采用分离装置进行分离，所述分离装置包括扩膜分离器件，所述扩膜分离器件向远离所述半导体器件的方向拉伸所述紫外线胶带，使得相邻所述半导体器件之间的间距增大
。6.
根据权利要求5所述的半导体制品切割分离方法，其特征在于，所述分离装置还包括机械探头和方向驱动组件，所述机械探头设置在所述紫外线胶带的粘膜基层的远离所述半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朋，吴洋洋，曹庭松，杨扬，黎明，
申请(专利权)人：北京超材信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：