一种提供高精度制造技术

本发明专利技术公开了一种提供高精度

【技术实现步骤摘要】
一种提供高精度、低过冲软启输出电压的软启电路及方法


[0001]本专利技术涉及一种软启电路及方法，特别是一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路及方法，属于半导体集成电路

。

技术介绍

[0002]电源管理芯片可以将锂电池提供的电压和电流的转化成用电设备所需的稳定电压和电电流，因此广泛的应用于平板
、
笔记本
、
新能源汽车
、
便捷式电源
、LED
照明等各类供电场合中
。
电源管理芯片大多由反馈
、
误差放大
、
补偿网络
、
电感电流采样
、
软启动电路
、
斜坡补偿
、PWM
比较等核心模块组成
。
其中软启动电路是一项非常重要的功能，它能够让芯片的输出电压启动过程平缓的上升，避免输出过冲损坏用电设备，软启动电路的过冲大小及其输出精度对电源芯片输出的过冲和精度有重要影响
。
[0003]现有的软启电路技术如图4所示，斜坡电压
SOFT_START
和参考电压
VREF
分别通过运放同向端的
101、102
输入，当
SOFT_START
电压小于
VREF
时，
104
输出电压跟随
101
电压上升；当
SOFT_START
电压稍大于<br/>VREF
时
104
会上升至大于
VREF
的电压值，产生明显过冲；当
SOFT_START
电压远大于
VREF
时，
104
会恢复至与
VREF
相近的电压值，从而完成软启动过程
。
该软启技术在软启动过程的过冲会引起较大输出的过冲，对用电设备产生不良影响，并且
104
的最终输出与
VREF
存在较大的失调，会导致电源输出出现偏差，在要求电源芯片输出电压过冲小精度高的场合无法应用
。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路及方法，实现软启电压过冲低和软启输出电压精度高
。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，包含第一运放
buffer
和第二运放
buffer
，第一运放
buffer
的第一同向输入端连接斜坡电压
SOFT_START
，第一运放
buffer
的第二同向输入端连接参考电压
VREF
，第一运放
buffer
的输出端分别连接第一运放
buffer
的反向输入端和第二运放
buffer
的第一反向输入端并输出第一输出信号，第二运放
buffer
的第一同向输入端连接斜坡电压
SOFT_START
，第二运放
buffer
的第二同向输入端连接参考电压
VREF
，第二运放
buffer
的输出端连接第二运放
buffer
的第二反向输入端并输出第二输出信号
OUT。
[0006]进一步地，所述第一运放
buffer
为一个
N
管输入的折叠运放
。
[0007]进一步地，所述第一运放
buffer
包含第一
NMOS
管
、
第二
NMOS
管
、
第三
NMOS
管
、
第四
NMOS
管
、
第五
NMOS
管
、
第六
NMOS
管
、
第七
NMOS
管
、
第一
PMOS
管
、
第二
PMOS
管
、
第三
PMOS
管和第四
PMOS
管，第一
NMOS
管的栅极连接斜坡电压
SOFT_START
，第二
NMOS
管的栅极连接参考电压
VREF
，第一
NMOS
管的漏极与第二
NMOS
管的漏极
、
第一
PMOS
管的漏极
、
第三
PMOS
管的源极连接，第一
NMOS
管的源极与第二
NMOS
管的源极
、
第三
NMOS
管的源极
、
第四
NMOS
管的源极和第五
NMOS
管的漏极连接，第三
NMOS
管的漏极与第四
NMOS
管的漏极
、
第二
PMOS
管的漏极和第四
PMOS
管的源极连接，第五
NMOS
管的栅极连接第一偏置电流，第五
NMOS
管的源极接地，第一
PMOS
管的源极和第二
PMOS
管的源极连接电源
VDD
，第一
PMOS
管的栅极和第二
PMOS
管的栅极连接第二偏置电流，第三
PMOS
管的栅极和第四
PMOS
管的栅极连接第三偏置电流，第三
PMOS
管的漏极与第六
NMOS
管的漏极
、
第六
NMOS
管的栅极和第七
NMOS
管的栅极连接，第四
PMOS
管的漏极与第三
NMOS
管的栅极
、
第四
NMOS
管的栅极
、
第七
NMOS
管的漏极连接并作为第一运放
buffer
的输出端，第六
NMOS
管的源极和第七
NMOS
管的源极接地
。
[0008]进一步地，所述第一
NMOS
管和第二
NMOS
管具有相同的宽长比
。
[0009]进一步地，所述第三
NMOS
管和第四
NMOS
管的宽长比小于第一
NMOS
管和第二...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：包含第一运放
buffer
和第二运放
buffer
，第一运放
buffer
的第一同向输入端连接斜坡电压
SOFT_START
，第一运放
buffer
的第二同向输入端连接参考电压
VREF
，第一运放
buffer
的输出端分别连接第一运放
buffer
的反向输入端和第二运放
buffer
的第一反向输入端并输出第一输出信号，第二运放
buffer
的第一同向输入端连接斜坡电压
SOFT_START
，第二运放
buffer
的第二同向输入端连接参考电压
VREF
，第二运放
buffer
的输出端连接第二运放
buffer
的第二反向输入端并输出第二输出信号
OUT。2.
根据权利要求1所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第一运放
buffer
为一个
N
管输入的折叠运放
。3.
根据权利要求2所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第一运放
buffer
包含第一
NMOS
管
、
第二
NMOS
管
、
第三
NMOS
管
、
第四
NMOS
管
、
第五
NMOS
管
、
第六
NMOS
管
、
第七
NMOS
管
、
第一
PMOS
管
、
第二
PMOS
管
、
第三
PMOS
管和第四
PMOS
管，第一
NMOS
管的栅极连接斜坡电压
SOFT_START
，第二
NMOS
管的栅极连接参考电压
VREF
，第一
NMOS
管的漏极与第二
NMOS
管的漏极
、
第一
PMOS
管的漏极
、
第三
PMOS
管的源极连接，第一
NMOS
管的源极与第二
NMOS
管的源极
、
第三
NMOS
管的源极
、
第四
NMOS
管的源极和第五
NMOS
管的漏极连接，第三
NMOS
管的漏极与第四
NMOS
管的漏极
、
第二
PMOS
管的漏极和第四
PMOS
管的源极连接，第五
NMOS
管的栅极连接第一偏置电流，第五
NMOS
管的源极接地，第一
PMOS
管的源极和第二
PMOS
管的源极连接电源
VDD
，第一
PMOS
管的栅极和第二
PMOS
管的栅极连接第二偏置电流，第三
PMOS
管的栅极和第四
PMOS
管的栅极连接第三偏置电流，第三
PMOS
管的漏极与第六
NMOS
管的漏极
、
第六
NMOS
管的栅极和第七
NMOS
管的栅极连接，第四
PMOS
管的漏极与第三
NMOS
管的栅极
、
第四
NMOS
管的栅极
、
第七
NMOS
管的漏极连接并作为第一运放
buffer
的输出端，第六
NMOS
管的源极和第七
NMOS
管的源极接地
。4.
根据权利要求3所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第一
NMOS
管和第二
NMOS
管具有相同的宽长比
。5.
根据权利要求4所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第三
NMOS
管和第四
NMOS
管的宽长比小于第一
NMOS
管和第二
NMOS
管的宽长比
。6.
根据权利要求1所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第二运放
buffer
为一个
P
管输入的折叠运放
。7.
根据权利要求6所述的一种提供高精度
、
低过冲软启输出电压的软启电路，其特征在于：所述第二运放
...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶盼，周高翔，
申请(专利权)人：江苏帝奥微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：