【技术实现步骤摘要】
微机电压力传感器及其制备方法
[0001]本申请涉及传感器领域,尤其涉及一种微机电压力传感器及其制备方法
。
技术介绍
[0002]目前玩具
、
手机
、
平板
、
耳机等消费类电子产品越来越朝着智能方向发展,在其中增加了越来越多传感器以能够感知更多的物理量
。
其中,对于人体尤其手指等接触产生的应力或者压力的测量需求也逐渐增多
。
[0003]现有基于微机电系统(
Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System
,
MEMS
)技术的力传感器原理有压阻式和电容式,其中压阻式通常有三种方式实现:1)金属共晶键合
。
例如,将带有
MEMS
图形的硅晶圆和充当硅帽的晶圆进行金属共晶键合,然后进行引线键合和包封
。
但是此共晶键合需要昂贵的设备,成本高
。2
)硅
‑
硅键合,并进行
CSP
(
Chip Size Package
)封装并形成焊球
。
例如,带有
MEMS
图形的硅晶圆和用于按压的硅晶圆进行硅
‑
硅键合,并进行减薄和做
CSP
封装
。
尽管芯片尺寸可以很小,但是制造工序复杂且成本高
。3
)压阻芯片在封装过程中形成一个带有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种微机电压力传感器,其特征在于,包括:第一衬底(
10
);压敏感应组件(
11
),所述压敏感应组件(
11
)位于所述第一衬底(
10
)的一侧,所述压敏感应组件(
11
)包括压敏电阻(
111
);介质层(
12
),所述介质层(
12
)位于所述压敏感应组件(
11
)背离所述第一衬底(
10
)的一侧;第二衬底(
20
),所述第二衬底(
20
)的一侧开设有凹槽(
21
);其中,所述介质层(
12
)与所述第二衬底(
20
)具有所凹槽(
21
)的一侧贴合以围合成密闭腔体(
211
),所述腔体(
211
)在所述第一衬底(
10
)的正投影覆盖所述压敏电阻(
111
)在所述第一衬底(
10
)的正投影
。2.
根据权利要求1所述的微机电压力传感器,其特征在于,还包括:第一过孔(
30
),所述第一过孔(
30
)贯穿所述第二衬底(
20
)和所述介质层(
12
);金属层(
22
),所述金属层(
22
)位于所述第一过孔(
30
)内;所述压敏感应组件(
11
)还包括与所述压敏电阻(
111
)电连接的引线(
112
);所述金属层(
22
)通过所述第一过孔(
30
)与所述引线(
112
)电连接
。3.
根据权利要求2所述的微机电压力传感器,其特征在于,还包括:氧化层(
23
),所述氧化层(
23
)位于所述第二衬底(
20
)远离所述介质层(
12
)的一侧,以及所述第一过孔(
30
)的侧壁和所述金属层(
22
)之间
。4.
根据权利要求2所述的微机电压力传感器,其特征在于,还包括:钝化层(
24
),所述钝化层(
24
)位于所述金属层(
22
)远离所述第二衬底(
20
)的一侧
。5.
根据权利要求4所述的微机电压力传感器,其特征在于,还包括:第二过孔(
241
),所述第二过孔(
241
)贯穿所述钝化层(
24
);键合层(
25
),所述键合层(
25
)位于所述第二过孔(
241
)内,所述键合层(
25
)通过所述第二过孔(
241
)与所述金属层(
22
)电连接;焊球(
26
),所述焊球(
26
)位于所述键合层(
25
)背离所述金属层(
22
)的一侧,所述焊球(
26
)与所述金属层(
22
)通过所述键合层(
25
)电连接
。6.
根据权利要求5所述的微机电压力传感器,其特征在于,还包括:力承载部(
40
),所述力承载部(
40
)设置在所述第一衬底(
10
)背离所述压敏感应组件(
11
)的一侧;线路板(
50
),所述线路板(
50
)与所述焊球(
26
)电连接;塑封部(
60
),所述塑封部(
60
)位于所述线路板(
50
)朝向所述力承载部(
40
)的一侧
。7.
根据权利要求6所述的微机电压力传感器,其特征在于,沿所述第一衬底(
10
)的厚度方向(
X
),所述力承载部(
40
)的正投影与所述腔体(
211
)的正投影至少部分重叠
。8.
根据权利要求1所述的微机电压力传感器,其特征在于,沿所述第一衬底(
10
)的厚度方向(
X
),所述腔体(
211
)具有高度
H
,满足:1μ
m≤H≤2
μ
m。9.
根据权利要求1所述的微机电压力传感器,其特征在于,所述介质层(
12
)包括依次叠加设置的第一子介质层(
121
)
、
第二子介质层(
122
)
、
第三子介质层(
123
)以及第四子介质层(
124
);其中所述第一子介质层(
121
...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕萍,李刚,
申请(专利权)人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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