一种半导体晶圆的切割工艺及一种半导体裸片制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体晶圆的切割工艺及半导体裸片，在本发明专利技术的半导体晶圆的切割工艺中，预先形成一光敏粘结层，所述光敏粘结层在紫外光照射下粘性降低，进而可以剥离，然后再进行刷胶工艺，将半导体裸片接合在承载基座上之后，当检测到芯片受到损伤时，可以通过照射紫外光，使得光敏粘结层的粘性减低，进而可以将损伤的芯片剥离，然后再进行封装工艺，可以有效提高半导体封装结构的制备良率和可靠性性能

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的切割工艺及一种半导体裸片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体晶圆的切割工艺及一种半导体裸片
。

技术介绍

[0002]现有的晶圆切割工艺中，通常做法是采用晶圆背面刷胶技术，即背胶工艺，具体而言，首先在整片晶圆的背面涂布胶材，然后再将整片晶片切割成单个芯片，最后将涂布有胶材的单个芯片放置在承载基座上并与其接合
。
目前常规的刷胶工艺为两次刷胶，第一次刷胶后完全固化，第二次刷胶后半固化
。
第一胶层完全覆盖晶圆的背面
。
而现有的装片工艺中，将芯片接合在承载基座上之后，通常需要打线工艺使得芯片与引脚电连接，而打线的过程中，容易造成芯片损伤，而由于芯片已完全固化粘结在承载基座上，而不方便将损伤的芯片剥离，进而影响半导体封装结构的良率和性能
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体晶圆的切割工艺及一种半导体裸片
。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种半导体晶圆的切割工艺，半导体晶圆的切割工艺包括以下步骤：步骤（1）：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排布的半导体芯片单元，相邻半导体芯片单元之间具有切割道，所述半导体晶圆包括正面以及所述正面相对的背面
。
[0005]步骤（2）：在所述半导体晶圆的背面形成一光敏粘结层，所述光敏粘结层在紫外光照射下粘性降低，进而可以剥离
。
[0006]步骤（3）：在所述光敏粘结层上沉积一无机保护层，接着对所述无机保护层进行图案化处理，使得图案化处理后的无机保护层仅覆盖所述切割道
。
[0007]步骤（4）：在所述半导体晶圆的背面进行第一次刷胶处理形成第一胶层
。
[0008]步骤（5）：对所述第一胶层进行第一次固化处理，使得所述第一胶层完全固化
。
[0009]步骤（6）：在完全固化的所述第一胶层上形成多个随机排布的第一凹坑
。
[0010]步骤（7）：接着在完全固化的所述第一胶层上进行第二次刷胶处理形成第二胶层，对所述第二胶层进行第一次半固化处理，使得所述第二胶层部分固化
。
[0011]步骤（8）：沿着所述切割道对所述第二胶层
、
所述第一胶层
、
所述无机保护层
、
所述光敏粘结层以及所述半导体晶圆进行切割处理，以形成多个分离的半导体裸片
。
[0012]进一步优选的，所述光敏粘结层为耐高温光敏粘结层
。
[0013]进一步优选的，所述无机保护层的材质包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅
、
氧化铝
、
氧化锆
、
氧化铪中的一种或多种
。
[0014]进一步优选的，通过湿法刻蚀工艺进行所述图案化处理
。
[0015]进一步优选的，所述第一次固化处理的具体工艺为：升温至
50℃
‑
60℃
，保温
10
‑
20
分钟，再升温至
90℃
‑
100℃
，接着保温
15
‑
25
分钟，最后升温至
150℃
‑
160℃
，接着保温
30
‑
40
分钟，然后降温至
50℃
‑
60℃。
[0016]进一步优选的，所述第一次半固化处理的具体工艺为：升温至
50℃
‑
60℃
，保温
10
‑
20
分钟，再升温至
120℃
‑
130℃
，接着保温
20
‑
30
分钟，然后降温至室温
。
[0017]本专利技术还提出一种半导体裸片，所述半导体裸片采用上述半导体晶圆的切割工艺切割形成的
。
[0018]相较于现有技术，本专利技术的半导体晶圆的切割工艺及半导体裸片有如下的有益效果：在本专利技术中，预先形成一光敏粘结层，所述光敏粘结层在紫外光照射下粘性降低，进而可以剥离，然后再进行刷胶工艺，将半导体裸片接合在承载基座上之后，当检测到芯片受到损伤时，可以通过照射紫外光，使得光敏粘结层的粘性减低，进而可以将损伤的芯片剥离，然后再进行封装工艺，可以有效提高半导体封装结构的制备良率和可靠性性能
。
且通过在光敏粘结层上预先形成图案化的无机保护层，然后再进行刷胶工艺，有效提高三者之间的接合稳固性
。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的半导体晶圆的切割工艺中提供半导体晶圆并在半导体晶圆的背面形成光敏粘结层的步骤的结构示意图
。
[0020]图2为本专利技术的半导体晶圆的切割工艺中在光敏粘结层上沉积无机保护层并对该无机保护层进行图案化处理的步骤的结构示意图
。
[0021]图3为本专利技术的半导体晶圆的切割工艺中在半导体晶圆的背面进行第一次刷胶处理形成第一胶层并对该第一胶层进行第一次固化处理的步骤的结构示意图
。
[0022]图4为本专利技术的半导体晶圆的切割工艺中在第一胶层上进行第二次刷胶处理形成第二胶层并对该第二胶层进行第一次半固化处理的步骤的结构示意图
。
[0023]图5为本专利技术的半导体晶圆的切割工艺中沿着切割道对第二胶层
、
第一胶层
、
无机保护层
、
光敏粘结层以及半导体晶圆进行切割处理以形成半导体裸片的步骤的结构示意图
。
具体实施方式
[0024]为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述
。 应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其 它实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0025]请参阅图1～图
5。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目
、
形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态
、
数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂
。
[0026]如图1～图5所示，本实施例提供一种半导体晶圆的切割工艺，半导体晶圆的切割工艺包括以下步骤：
如图1所示，步骤（1）：提供一半导体晶圆
100
，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排布的半导体芯片单元
101
，相邻半导体芯片单元
101
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体晶圆的切割工艺，其特征在于：半导体晶圆的切割工艺包括以下步骤：步骤（1）：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排布的半导体芯片单元，相邻半导体芯片单元之间具有切割道，所述半导体晶圆包括正面以及所述正面相对的背面；步骤（2）：在所述半导体晶圆的背面形成一光敏粘结层，所述光敏粘结层在紫外光照射下粘性降低，进而可以剥离；步骤（3）：在所述光敏粘结层上沉积一无机保护层，接着对所述无机保护层进行图案化处理，使得图案化处理后的无机保护层仅覆盖所述切割道；步骤（4）：在所述半导体晶圆的背面进行第一次刷胶处理形成第一胶层；步骤（5）：对所述第一胶层进行第一次固化处理，使得所述第一胶层完全固化；步骤（6）：在完全固化的所述第一胶层上形成多个随机排布的第一凹坑；步骤（7）：接着在完全固化的所述第一胶层上进行第二次刷胶处理形成第二胶层，对所述第二胶层进行第一次半固化处理，使得所述第二胶层部分固化；步骤（8）：沿着所述切割道对所述第二胶层
、
所述第一胶层
、
所述无机保护层
、
所述光敏粘结层以及所述半导体晶圆进行切割处理，以形成多个分离的半导体裸片
。2.
根据权利要求1所述的半导体晶圆的切割工艺，其特征在于：所述光敏粘结层为耐高温光敏粘结层
。3.
根据权利要求1所述的半导体晶圆的切割工艺，其特征在于：所述无机保护层的材质包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅
、
氧化铝
、
氧化锆

【专利技术属性】
技术研发人员：李文军，马霞，黄彦国，马玉霞，梁小龙，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：