提供一种作为电子传输性高的物质的由以下通式（Ｇ１）表示的新的噁二唑衍生物。在通式中，Ａｒ１表示取代或未取代的形成环的碳数为６至１０的芳基。在Ａｒ１具有取代基的情况下，该取代基是碳数为１至４的烷基或者形成环的碳数为６至１０的芳基。Ａｒ２表示取代或未取代的形成环的碳数为６至１０的芳基或者取代或未取代的碳数为４至９的杂芳基。在Ａｒ２具有取代基的情况下，该取代基是碳数为１至４的烷基或者形成环的碳数为６至１０的芳基。Ｒ１及Ｒ２分别表示氢原子或者碳数为１至４的烷基。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种噁二唑衍生物、使用噁二唑衍生物的发光元件、发光装置、电子设 备以及照明装置。
技术介绍
近年来，对利用电致发光(EL:Electr0 Luminescence)的发光元件的研究开发日 益火热。这种发光元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光物质的层的结构。通过 对这种元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。由于这种发光元件为自发光型，所以这种发光元件具有与液晶显示器相比像素的 可见性高且不必使用背光灯等的优点，从而，可以认为这种发光元件很适合用作平面显示 元件。此外，这种发光元件的另一主要优点是可以制造得薄且轻。另外，这种发光元件的响 应速度非常快。另外，因为这种发光元件可以形成为膜状，所以可以容易获得表面发光。因此，可 以形成利用表面发光的大面积元件。由于以白炽灯泡或LED为代表的点光源、或以荧光灯 为代表的线光源很难获得该特点，所以上述发光元件作为能够应用于照明等的面光源也具 有很高的利用价值。利用电致发光的发光元件可以根据发光物质是有机化合物还是无机化合物来进 行大致分类。当使用有机化合物作为发光物质时，通过对发光元件施加电压，载流子(电子 或空穴)分别从一对电极注入到包含发光有机化合物的层，而电流流过。并且，通过这些载 流子重新结合，使发光有机化合物形成激发态，并且当从该激发态恢复到基态时得到发光。这种发光元件当提高其元件特性时有很多依赖于材料的问题，因此，为了解决这 些问题而正在进行元件结构的改良及材料开发等。例如，作为发光元件的电子传输性材料，广泛地利用三(8-羟基喹啉)铝(III) (简称Alq)(参照非专利文献1)。然而，当考虑到商品化时，期待进一步降低发光元件的 驱动电压。因此为了获得提高元件特性的新的材料，进行各种研究开发。Taishi Tsuji 以及其它五人，SID 04DIGEST，35， PP900-903(2004)
技术实现思路
本专利技术的一个方式的目的在于提供一种作为电子传输性高的物质的新的噁二唑 衍生物。另外，本专利技术的一个方式的目的还在于通过将新的噁二唑衍生物用于发光元件提 高发光元件的元件特性。再者，本专利技术的一个方式的目的还在于提供耗电量少的发光装置、 电子设备以及照明装置。本专利技术之一是一种以下通式(G1)所示的噁二唑衍生物。 在通式中，Ar1表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。另外，在Ar1 具有取代基的情况下，作为其取代基可以举出碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6 至10的芳基。此外，Ar2表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基或者取代或未 取代的碳数为4至9的杂芳基。另外，在Ar2具有取代基的情况下，作为其取代基可以举出 碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6至10的芳基。另外，R1及R2分别独立地表示 氢原子或者碳数为1至4的烷基。另外，本专利技术之一是一种以下通式(G2)所示的噁二唑衍生物。 在通式中，Ar1表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。另外，在Ar1 具有取代基的情况下，作为其取代基可以举出碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6 至10的芳基。另外，R1及R2分别独立地表示氢原子或者碳数为1至4的烷基。另外，本专利技术的之一是一种以下通式(G3)所示的噁二唑衍生物。 在通式中，Ar2表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基。另外，在Ar2具 有取代基的情况下，作为其取代基可以举出碳数为1至4的烷基或形成环的碳数为6至10 的芳基。另外，R11至R15分别独立地表示氢原子、碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为 6至10的芳基。另外，本专利技术之一是一种以下通式(G4)所示的噁二唑衍生物。 在通式中，R11至R15分别独立地表示氢原子、碳数为1至4的烷基或者形成环的碳 数为6至10的芳基。另外，R1及R2分别独立地表示氢原子或者碳数为1至4的烷基。另外，因为上述本专利技术的一个方式的噁二唑衍生物具有电子传输性，所以本专利技术 的另一个结构是在其一对电极之间具有EL层的发光元件，其中在EL层中包含上述噁二唑 衍生物。另外，本专利技术的另一个结构是使用上述发光元件形成的发光装置。本说明书中的 发光装置是指图像显示装置、发光器件或者光源。此外，在发光装置上安装有例如FPC(柔 性印刷电路，Flexible printedcircuit)、TAB (带式自动焊接，Tape Automated Bonding) 带或TCP (带载封装，Tape Carrier Package)等连接器的模块；在TAB带或TCP的端部上 设置有印刷线路板的模块；以及在发光元件上通过COG(玻璃覆晶，Chip On Glass)方式直接安装有IC(集成电路)的模块也都包含在发光装置中。另外，本专利技术的另一个结构是一种使用上述发光装置形成的电子设备。再者，本发 明的另一个结构是一种使用上述发光装置形成的照明装置。通过本专利技术的一个方式，可以得到其电子传输性优异的噁二唑衍生物。另外，通过 使用本专利技术的一个方式的噁二唑衍生物，可以形成其电流效率高的发光元件。另外，通过使 用本专利技术的一个方式的上述发光元件，可以得到其耗电量少且驱动电压低的发光装置、电 子设备以及照明装置。附图说明图1是说明本专利技术的一个方式的发光元件的图；图2是说明本专利技术的一个方式的发光元件的图；图3A至图3D是示出无源矩阵型的发光装置的图；图4是示出无源矩阵型的发光装置的图；图5A和图5B是示出有源矩阵型的发光装置的图；图6A至图6E是说明电子设备以及照明装置的图；图7是说明照明装置的图；图8是说明本专利技术的一个方式的发光元件的图；图9A和图9B是结构式(100)所示的OllPhA (简称)的咕匪R图表；图10A和图10B是结构式(100)所示的OllPhA(简称)的紫外-可见吸收光谱以 及发光光谱；图11A和图11B是结构式(121)所示的PyAOll (简称)的咕NMR图表；图12A和图12B是结构式(121)所示的PyAOll (简称)的紫外-可见吸收光谱以 及发光光谱；图13A和图13B是结构式(158)所示的t0112A (简称)的咕匪R图表；图14A和图14B是结构式(158)所示的t0112A(简称)的紫外-可见吸收光谱以 及发光光谱；图15是示出发光元件1的电流密度-亮度特性的图图16是示出发光元件1的亮度-电流效率特性的图图17是示出发光元件1的电压-电流特性的图18是示出发光元件1的发光光谱的图19是示出发光元件2的电流密度-亮度特性的图图20是示出发光元件2的电压-亮度特性的图21是示出发光元件2的亮度-电流效率特性的图图22是示出发光元件2的发光光谱的图23是示出发光元件3的电流密度-亮度特性的图图24是示出发光元件3的电压-亮度特性的图25是示出发光元件3的亮度-电流效率特性的图图26是示出发光元件3的发光光谱的图27是示出发光元件4的电流密度-亮度特性的图图28是示出发光元件4的亮度-电流效率特性的图；图29是示出发光元件4的电压-电流特性的图；图30是示出发光元件4的发光光谱的图。具体实施例方式以下使用附图详细地说明本专利技术的实施方式。但是，本专利技术不局限于以下的说明， 只要是本领域的技术人员就容易理解一个事实就是其形态和细节可以在不脱离本专利技术的 宗旨及其范本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种由通式（Ｇ１）表示的噁二唑衍生物，＊＊＊ （Ｇ１）其中：Ａｒ↑［１］表示取代或未取代的形成环的碳数为６至１０的芳基，并且当Ａｒ↑［１］具有取代基时，所述取代基是碳数为１至４的烷基或者形成环的碳数为６至１０的芳基；Ａｒ↑［２］表示取代或未取代的形成环的碳数为６至１０的芳基或者取代或未取代的碳数为４至９的杂芳基，并且当Ａｒ↑［２］具有取代基时，所述取代基是碳数为１至４的烷基或者形成环的碳数为６至１０的芳基；并且，Ｒ↑［１］及Ｒ↑［２］分别表示氢原子或者碳数为１至４的烷基。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：野村洸子，门间裕史，牛洼孝洋，下垣智子，川上祥子，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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