用于形成半导体器件的方法及设备技术

本申请提供了一种用于形成半导体器件的方法

【技术实现步骤摘要】
用于形成半导体器件的方法及设备


[0001]本申请总体上涉及半导体技术，更具体地，涉及一种用于形成半导体器件的方法及设备
。

技术介绍

[0002]由于消费者希望他们的电子产品更小
、
更快
、
性能更高，以及将越来越多的功能集成到单个设备中，半导体行业一直面临着复杂集成的挑战
。
封装天线
(AiP)
已成为各种应用的主流天线封装技术
。AiP
允许将天线和射频芯片
(
例如，收发器
)
集成在单个封装件中
。AiP
可以进一步与前端部件
(
例如，功率放大器
(PA)
或低噪声放大器
(LNA))、
开关
、
滤波器甚至电源管理集成电路
(PMIC)
集成，以形成使用系统级封装
(SiP)
技术的天线模块
。
然而，
SiP
的封装件成品率仍然很低
。
[0003]因此，需要一种可靠的半导体器件
。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种用于制造具有高可靠性的半导体器件的方法
。
[0005]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法
。
所述方法包括：提供封装件，所述封装件包括：基底；应力吸收层，所述应力吸收层设置于所述基底的顶面上；电子部件，所述电子部件安装于所述基底的顶面上；以及第一接触焊盘，所述第一接触焊盘设置于所述基底的顶面上并暴露于所述应力吸收层；提供模具，所述模具包括：第一空腔，所述第一空腔暴露于所述模具的底面；以及凹槽，所述凹槽相邻于所述第一空腔形成；将所述模具和所述封装件接合，使得所述第一空腔在所述电子部件上方并且所述凹槽在所述电子部件和所述第一接触焊盘之间；以及将密封材料注入所述第一空腔以在所述电子部件上形成密封剂
。
[0006]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种用于在封装件上形成密封剂的模塑设备
。
所述设备包括：模具，其中所述模具包括：第一空腔，所述第一空腔暴露于所述模具的底面；以及凹槽，所述凹槽相邻于所述第一空腔形成；其中，所述封装件包括基底
、
应力吸收层
、
电子部件和第一接触焊盘，所述应力吸收层设置于所述基底的顶面上，所述电子部件安装于所述基底的顶面上，所述第一接触焊盘设置于所述基底的顶面上并暴露于所述应力吸收层；以及其中，所述模具被配置用于与所述封装件接合，并使得所述第一空腔在所述电子部件上方并且所述凹槽在所述电子部件和所述第一接触焊盘之间，以及密封材料能够被注入所述第一空腔以在所述电子部件上形成密封剂
。
[0007]应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制
。
此外，并入并构成本说明书一部分的附图说明了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理
。
附图说明
[0008]本文引用的附图构成说明书的一部分
。
附图中所示的特征仅图示了本申请的一些实施例，而不是本申请的所有实施例，除非详细描述另有明确说明，并且说明书的读者不应做出相反的暗示
。
[0009]图
1A
是封装件的截面图
。
[0010]图
1B
是封装件的显微图像
。
[0011]图
2A
和图
2B
是根据本申请的一个实施例的封装件和形成该封装件时使用的模具的横截面图
。
[0012]图3是图
2B
的封装件的显微图像
。
[0013]图4是图
2B
的封装件的另一显微图像
。
[0014]图5是根据本申请的一个实施例的图
2B
的封装件和模具的一部分的放大图
。
[0015]图6是根据本申请的另一个实施例的图
2B
的封装件和模具的一部分的放大图
。
[0016]图7是根据本申请的另一实施例的模具的截面图
。
[0017]图8是根据本申请的另一实施例的模具的截面图
。
[0018]图9是根据本申请的一个实施例的用于形成半导体器件的方法的流程图
。
[0019]在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分
。
具体实施方式
[0020]本申请示例性实施例的以下详细描述参考了形成描述的一部分的附图
。
附图示出了其中可以实践本申请的具体示例性实施例
。
包括附图在内的详细描述足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践本申请
。
本领域技术人员可以进一步利用本申请的其他实施例，并在不脱离本申请的精神或范围的情况下进行逻辑
、
机械等变化
。
因此，以下详细描述的读者不应以限制性的方式解释所述描述，并且仅以所附权利要求限定本申请的实施例的范围
。
[0021]在本申请中，除非另有明确说明，否则使用单数包括了复数
。
在本申请中，除非另有说明，否则使用“或”是指“和
/
或”。
此外，使用术语“包括”以及诸如“包含”和“含有”的其他形式的不是限制性的
。
此外，除非另有明确说明，诸如“元件”或“部件”之类的术语覆盖了包括一个单元的元件和部件，以及包括多于一个子单元的元件和部件
。
此外，本文使用的章节标题仅用于组织目的，不应解释为限制所描述的主题
。
[0022]如本文所用，空间上相对的术语，例如“下方”、“下面”、“上方”、“上面”、“上”、“上侧”、“下侧”、“左侧”、“右侧”、“水平”、“竖直”、“侧”等等，可以在本文中使用，以便于描述如附图中所示的一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系
。
除了图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方向
。
所述器件可以以其他方式定向
(
旋转
90
度或在其他方向
)
，并且本文使用的空间相关描述符同样可以相应地解释
。
应所述理解，当一个元件被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件时，它可以直接连接到或耦接到另一个元件，或者可以存在中间元件
。
[0023]现参考图
1A
，其示出了封装件
100
和模具
150
的截面图
。
模具
150
可在封装件
100
的制造期间使用，下文将对其详述<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于形成半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供封装件，所述封装件包括：基底；应力吸收层，所述应力吸收层设置于所述基底的顶面上；电子部件，所述电子部件安装于所述基底的顶面上；以及第一接触焊盘，所述第一接触焊盘设置于所述基底的顶面上并暴露于所述应力吸收层；提供模具，所述模具包括：第一空腔，所述第一空腔暴露于所述模具的底面；以及凹槽，所述凹槽相邻于所述第一空腔形成；将所述模具和所述封装件接合，使得所述第一空腔在所述电子部件上方并且所述凹槽在所述电子部件和所述第一接触焊盘之间；以及将密封材料注入所述第一空腔以在所述电子部件上形成密封剂
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力吸收层包括阻焊剂
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力吸收层的厚度范围为
20
μ
m
至
100
μ
m。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述模具与所述封装件接合时，所述模具的底面压紧所述应力吸收层
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽围绕所述第一空腔的边缘形成
。6.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装件进一步包括第二接触焊盘，且所述第一接触焊盘位于所述电子部件与所述第二接触焊盘之间
。7.
根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述模具进一步包括第二空腔，且当所述模具与所述封装件接合时，所述第二空腔位于所述第二接触焊盘上方
。8.
根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一接触焊盘是接地焊盘，且所述第二接触焊盘是板对板焊盘
。9.
一种用于在封装件上形成密封剂的模塑设备，其特征在于，所述设备包括：模具，其中所述模具...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承炫，李贤哲，黄酉镇，权多煐，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：