进气控制方法技术

本发明专利技术提供了一种进气控制方法

【技术实现步骤摘要】
进气控制方法、供气系统和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及对于半导体加工
，具体而言，涉及一种进气控制方法
、
供气系统和半导体工艺设备
。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的高速发展，更加精细的原子层刻蚀和沉积被引入加工工艺中
。
同时
TSV(Through Silicon Via
，硅通孔
)
等先进封装工艺也开始广泛应用
。
在这些半导体加工工艺中需要多种混合气体快速切换来实现
。
例如深硅刻蚀中的
bosch
工艺，由氟基气体主导的刻蚀步骤和碳氟气体主导的沉积步骤快速切换组成
。
由于切换会造成的侧壁扇贝形貌，从而对良率产生影响
。
所以需要提高换气的频率从来减小侧壁扇贝形貌的影响
。
但是，相关技术中，换气时的切换时间较长，也造成了换气频率较低
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的第一个目的在于提供一种进气控制方法，以解决切换气体时所需时间长的技术问题
。
[0004]为解决以上技术问题，本专利技术提供一种进气控制方法，包括：
[0005]进气控制方法，用于控制半导体工艺设备切换工艺，包括：
[0006]获得憋气时长，
[0007]控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭，所述第一切换阀连接于质量流量计和工艺腔室的供气管路之间，所述第二切换阀连接于质量流量计和抽气泵之间；
[0008]在控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭后经过所述憋气时长，控制所述第一切换阀打开并控制所述第二切换阀保持关闭状态
。
[0009]本专利技术进气控制方法带来的有益效果是：
[0010]通过将第一切换阀和第二切换阀均保持关闭状态，以利用质量流量计向质量流量计与第一切换阀和第二切换阀之间的供气管路之间供气，使得这部分区域的气压上升
。
进而，在经过憋气时长之后，打开第一切换阀，由于，这部分区域的气压较大，可以迅速的对工艺腔室内进行供气，实现快速换气，改善工艺效果
。
[0011]优选的技术方案中，所述获得憋气时长包括：
[0012]获得憋气管路的体积和设定流量，根据所述憋气管路的体积和设定流量获得所述憋气时长
。
[0013]优选的技术方案中，所述获得憋气时长还包括获得憋气气压和常态气压，根据所述憋气气压
、
所述常态气压
、
所述憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长，所述憋气时长与所述憋气气压正相关，且与所述常态气压负相关
。
[0014]优选的技术方案中，所述进气控制方法还包括：获得实际气压，若所述实际气压大于预设气压，控制所述第二切换阀打开
。
[0015]优选的技术方案中，所述控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭包括：
[0016]获取气体通入腔室时刻，在所述气体通入腔室时刻前的所述憋气时长，控制第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭
。
[0017]优选的技术方案中，所述半导体设备包括第一管路组和第二管路组，所述第一管路组用于提供执行沉积工艺的第一气体；所述第二管路组用于提供执行刻蚀工艺的第二气体；所述第一管路组和所述第二管路组分别设有所述质量流量计和所述第一切换阀和所述第二切换阀；
[0018]当所述第一管路组提供所述第一气体执行沉积工艺时，控制所述第二管路组与所述工艺腔室断开，并所述第二管路组执行憋气
。
[0019]优选的技术方案中，所述控制所述第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭包括：
[0020]获取需要憋气的所述刻蚀工艺前一步工艺的工艺时长，根据所述工艺时长和所述憋气时长获得所述憋气前时长，所述憋气前时长与所述工艺时长正相关并与所述憋气时长负相关；
[0021]在需要憋气的所述刻蚀工艺前一步工艺开始后经过所述憋气前时长，控制所述第二切换阀关闭
。
本专利技术的第二个目的在于提供一种供气系统，以解决的技术问题
[0022]本专利技术提供的供气系统，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室，所述供气系统用于上述任一项的进气控制方法，所述供气系统包括：
[0023]供气气路，每一所述供气气路均独立地通过第一切换阀连接于所述工艺腔室；
[0024]抽气泵，每一所述供气气路均独立地通过第二切换阀连接于所述抽气泵；
[0025]质量流量计，所述供气气路通过所述质量流量计与所述第一切换阀和第二切换阀连接；以及，
[0026]止逆控制组件，所述止逆控制组件用于防止所述质量流量计的面向所述第一切换阀和所述第二切换阀的一侧的气压高于所述质量流量计面向所述供气气路的一侧
。
[0027]通过设置止逆控制组件，可以在供气管路进行憋气时，在憋气气压过大时排放第一切换阀和第二切换阀之间的憋气管路中的气体，消除憋气时间过长，质量流量计与第一切换阀和第二切换阀之间的憋气管路中的气压过大，而造成质量流量计失效乃至于气体导管的风险
。
[0028]优选的技术方案中，供气系统还包括控制器，所述控制器包括：
[0029]获取模块，用于获得憋气时长；
[0030]第一控制模块，用于控制第一切换阀保持关闭状态，且控制第二切换阀关闭，所述第一切换阀连接于质量流量计和工艺腔室的供气管路之间，所述第二切换阀连接于质量流量计和抽气泵之间；以及
[0031]第二控制模块，用于在控制所述第一切换阀保持关闭状态，且控制所述第二切换阀关闭后经过所述憋气时长，控制所述第一切换阀打开并关闭所述第二切换阀
。
[0032]优选的技术方案中，所述止逆控制组件包括真空规，所述真空规用于测量所述质量流量计与所述第一切换阀之间或所述质量流量计与所述第二切换阀之间的管路的气压
。
[0033]优选的技术方案中，所述止逆组件还包括单向阀，所述单向阀设置于所述抽气泵
与所述质量流量计之间；单向阀，所述单向阀配置为只能由所述质量流量计向所述抽气泵单向导通
。
[0034]本专利技术的第三个目的在于提供一种半导体工艺设备，以解决切换气体时所需时间长的技术问题
。
[0035]本专利技术提供的半导体工艺设备，包括上述的供气系统
。
[0036]通过在半导体工艺设备中设置上述供气系统，相应地，该半导体工艺设备具有上述供气系统的所有优势，在此不再一一赘述
。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本专利技术实施例或
技术介绍
中的技术方案，下面将对实施例或
技术介绍
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种进气控制方法，用于控制半导体工艺设备切换工艺，其特征在于，包括：获得憋气时长，控制第一切换阀
(131)
保持关闭状态，且控制第二切换阀
(132)
关闭，所述第一切换阀
(131)
连接于质量流量计
(133)
和工艺腔室的供气管路之间，所述第二切换阀
(132)
连接于质量流量计
(133)
和抽气泵
(104)
之间；在控制所述第一切换阀
(131)
保持关闭状态，且控制所述第二切换阀
(132)
关闭后经过所述憋气时长，控制所述第一切换阀
(131)
打开并控制所述第二切换阀
(132)
保持关闭状态
。2.
根据权利要求1所述的进气控制方法，其特征在于，所述获得憋气时长包括：获得憋气管路的体积和设定流量，根据所述憋气管路的体积和设定流量获得所述憋气时长
。3.
根据权利要求2所述的进气控制方法，其特征在于，所述获得憋气时长还包括获得憋气气压和常态气压，根据所述憋气气压
、
所述常态气压
、
所述憋气管路的体积和设定流量获得憋气时长，所述憋气时长与所述憋气气压正相关，且与所述常态气压负相关
。4.
根据权利要求1所述的进气控制方法，其特征在于，所述进气控制方法还包括：获得实际气压，若所述实际气压大于预设气压，控制所述第二切换阀
(132)
打开
。5.
根据权利要求1所述的进气控制方法，其特征在于，所述控制所述第一切换阀
(131)
保持关闭状态，且控制所述第二切换阀
(132)
关闭包括：获取气体通入腔室时刻，在所述气体通入腔室时刻前的所述憋气时长，控制第一切换阀
(131)
保持关闭状态，且控制所述第二切换阀
(132)
关闭
。6.
根据权利要求1所述的进气控制方法，其特征在于，所述半导体设备包括第一管路组
(110)
和第二管路组
(120)
，所述第一管路组
(110)
用于提供执行沉积工艺的第一气体；所述第二管路组
(120)
用于提供执行刻蚀工艺的第二气体；所述第一管路组
(110)
和所述第二管路组
(120)
分别设有所述质量流量计
(133)
和所述第一切换阀
(131)
和所述第二切换阀
(132)
；当所述第一管路组
(110)
提供所述第一气体执行沉积工艺时，控制所述第二管路组
(120)
与所述工艺腔室断开，并所述第二管路组
(120)
执行憋气
。7.
根据权利要求6所述的进气控制方法，其特征在于，所述控制所述第一切换阀
(131)
保持关闭状态，且控制所述第二切换阀
(132)
关闭包括：获取需要憋气的所述刻蚀工艺前一步工艺的工艺时长，根据所述工艺时长和所述憋气时长获得所述憋气前时长，所述憋气前...

【专利技术属性】
技术研发人员：童鑫，刘贺，张新翌，戴超星，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：