多赫蒂放大器制造技术

具有放大第1信号的载波放大器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多赫蒂放大器


[0001]本专利技术涉及多赫蒂放大器
。

技术介绍

[0002]存在具有载波放大器和峰值放大器的多赫蒂放大器
。
载波放大器是与放大对象信号的功率无关地对放大对象信号进行放大的放大器
。
峰值放大器是仅在放大对象信号的功率为规定的功率以上时对放大对象信号进行放大的放大器
。
[0003]在载波放大器的输出侧有寄生电容
(
以下称作“第1寄生电容”)
，第1寄生电容越大，则载波放大器的放大率越低
。
在峰值放大器的输出侧有寄生电容
(
以下称作“第2寄生电容”)
，第2寄生电容越大，则峰值放大器的放大率越低
。
[0004]作为提高多赫蒂放大器的放大效率的技术，有专利文献1公开的多赫蒂放大器
。
该多赫蒂放大器包含在放大对象信号为某频率
(
以下称作“谐振频率”)
时谐振的第1谐振电路和第2谐振电路
。
通过第1谐振电路进行谐振，第1寄生电容对载波放大器的放大率的影响降低
。
通过第2谐振电路进行谐振，第2寄生电容对峰值放大器的放大率的影响降低
。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第
2017/145258
号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]在专利文献公开的多赫蒂放大器中，如果放大对象信号的频率是谐振频率以外的频率，则第1谐振电路和第2谐振电路都不谐振
。
因此，如果放大对象信号的频率是谐振频率以外的频率，则由于第1寄生电容的影响和第2寄生电容的影响，存在多赫蒂放大器的放大效率降低这样的课题
。
[0010]本专利技术正是为了解决上述课题而完成的，其目的在于得到一种多赫蒂放大器，在多赫蒂放大器的动作频带中，能够抑制与载波放大器和峰值放大器各自的输出侧的寄生电容的影响相伴的放大效率降低
。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术的多赫蒂放大器具有：载波放大器，其放大第1信号；峰值放大器，其放大第2信号；以及合成电路，其对由载波放大器放大后的第1信号和由峰值放大器放大后的第2信号进行合成，合成电路具有带通滤波器电路，该带通滤波器电路作为电容器包含载波放大器和峰值放大器各自的输出侧的寄生电容
。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本专利技术，在多赫蒂放大器的动作频带中，能够抑制与载波放大器和峰值放大器各自的输出侧的寄生电容的影响相伴的放大效率降低
。
附图说明
[0015]图1是表示实施方式1的多赫蒂放大器的结构图
。
[0016]图2是表示实施方式1的多赫蒂放大器的相位调整电路5的结构图
。
[0017]图3是表示实施方式1的多赫蒂放大器的合成电路8的结构图
。
[0018]图4是表示相位调整电路5和合成电路8各自的通过相位特性的说明图
。
[0019]图5是表示图1所示的多赫蒂放大器的合成电路8中的回波损耗的计算结果的说明图
。
[0020]图6是表示图1所示的多赫蒂放大器中的回退效率的降低量的计算结果的说明图
。
[0021]图7是表示专利文献1中记载的多赫蒂放大器的相位延迟电路和合成电路各自的通过相位特性的说明图
。
[0022]图8是表示图1所示的多赫蒂放大器的饱和动作时的效率降低量的计算结果的说明图
。
[0023]图9是表示实施方式2的多赫蒂放大器的结构图
。
[0024]图
10
是表示实施方式3的多赫蒂放大器的结构图
。
具体实施方式
[0025]以下，为了更详细地说明本专利技术，根据附图对用于实施本专利技术的方式进行说明
。
[0026]实施方式1[0027]图1是表示实施方式1的多赫蒂放大器的结构图
。
[0028]图1所示的多赫蒂放大器具有输入端子
1、
分配器
2、
第1输入匹配电路
3、
载波放大器
4、
相位调整电路
5、
第2输入匹配电路
6、
峰值放大器
7、
合成电路
8、
输出匹配电路9以及输出端子
10。
[0029]图1所示的多赫蒂放大器例如形成在单片集成电路或高频基板
。
[0030]输入端子1是被从多赫蒂放大器的外部提供高频信号作为放大对象信号的端子
。
[0031]分配器2对提供给输入端子1的高频信号的功率进行2分配
。
[0032]分配器2将功率分配后的一个高频信号作为第1信号输出到第1输入匹配电路3，将功率分配后的另一个高频信号作为第2信号输出到相位调整电路
5。
[0033]第1输入匹配电路3的一端与分配器2的一个输出端连接，第1输入匹配电路3的另一端与载波放大器4的输入端连接
。
[0034]第1输入匹配电路3使载波放大器4的输入端的阻抗与输入端子1的阻抗匹配
。
[0035]载波放大器4通过
FET(Field Effect Transistor
：场效应晶体管
)、MOS(Metal Oxide Semiconductor
：金属氧化物半导体
)
晶体管或双极型晶体管等放大元件实现
。
或者，载波放大器4通过包含放大元件和阻抗转换电路的放大电路实现
。
[0036]载波放大器4的输入端与第1输入匹配电路3的另一端连接，载波放大器4的输出端与合成电路8的一个输入端连接
。
[0037]载波放大器4对通过第1输入匹配电路3而来的第1信号进行放大
。
[0038]载波放大器4将放大后的第1信号输出到合成电路
8。
[0039]相位调整电路5的一端与分配器2的另一个输出端连接，相位调整电路5的另一端与第2输入匹配电路6的一端连接
。
[0040]相位调整电路5在多赫蒂放大器的动作频带中，具有与合成电路8相同的通过相位特性
。
[0041]相位调整电路5使从分配器2输出的第2信号的相位延迟
90
度，将相位延迟后的第2信号输出到第2输入匹配电路
6。
[0042]在图1所示的多赫蒂放大器中，相位调整电路5在多赫蒂放大器的动作频带中，使第2信号的相位延迟
90
度
。
但是，相位的延迟量不需要严格地为
90
度，在实用上没有问题的范围内，也可以与
90...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种多赫蒂放大器，其特征在于，该多赫蒂放大器具有：载波放大器，其放大第1信号；峰值放大器，其放大第2信号；以及合成电路，其对由所述载波放大器放大后的第1信号和由所述峰值放大器放大后的第2信号进行合成，所述合成电路具有带通滤波器电路，该带通滤波器电路作为电容器包含所述载波放大器和所述峰值放大器各自的输出侧的寄生电容
。2.
根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述多赫蒂放大器具有相位调整电路，该相位调整电路使第2信号的相位延迟，将相位调整后的第2信号输出到所述峰值放大器，所述相位调整电路具有带通滤波器电路，所述相位调整电路在多赫蒂放大器的动作频带中具有与所述合成电路相同的通过相位特性
。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷圭吾，山口裕太郎，坂田修一，小松崎优治，山中宏治，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：