芯片封装结构及封装方法技术

本申请实施例提供的一种芯片封装结构及封装方法，涉及半导体封装技术领域，所述芯片封装结构包括基板

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及封装方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种芯片封装结构及封装方法
。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的快速发展，对滤波器的要求越来越高，常用的滤波器器件有体声滤波器和表面声波滤波器，滤波器芯片在生产过程中需要进行封装，滤波器芯片的封装需要用到相应的芯片封装结构，芯片封装结构可以对滤波器芯片进行保护
。
[0003]然而，相关技术中的对滤波器芯片的封装成本较高
。

技术实现思路

[0004]为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供了一种芯片封装结构及封装方法，所述芯片封装结构包括：
[0005]基板；所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上开有向第二表面凹陷的第一凹陷区域，所述第一凹陷区域的底面开有向第二表面凹陷的第二凹陷区域，所述第二凹陷区域在第一表面的正投影位于所述第一凹陷区域在第一表面的正投影内；
[0006]布线层；
[0007]芯片；所述芯片的第一引脚与所述布线层电连接，所述芯片至少部分嵌入所述第一凹陷区域，所述芯片覆盖所述第二凹陷区域并形成中空结构；
[0008]绝缘层；所述绝缘层覆盖所述芯片远离所述基板的第二表面的一侧
、
所述基板的第一表面以及所述布线层远离所述基板的至少部分表面
。
[0009]在一种可能的实施方式中，所述第一凹陷区域在第一表面上的正投影的中心与所述第二凹陷区域在第一表面上的正投影的中心重合；/>[0010]优选地，所述第一凹陷区域的底面到第一表面之间的距离范围为
50
μ
m
‑
500
μ
m
；
[0011]优选地，所述第二凹陷区域的底面到所述第一凹陷区域的底面之间的距离范围为
20
μ
m
‑
50
μ
m
；
[0012]优选地，所述第一凹陷区域的侧壁在第一表面上的正投影到所述第二凹陷区域的边缘在第一表面上的正投影之间的最小距离范围为
40
μ
m
‑
400
μ
m
；
[0013]优选地，所述第一凹陷区域的侧壁在第一表面上的正投影到所述芯片的边缘在第一表面上的正投影之间的最小距离为
10
μ
m
‑
20
μ
m。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述芯片封装结构还包括第二引脚，所述第二引脚与所述布线层电连接并延伸至所述绝缘层远离所述基板的一侧；
[0015]优选地，所述绝缘层上开有通孔，所述第二引脚至少部分位于所述通孔内；
[0016]优选地，所述第一引脚包括第一锡球或第一锡盘；
[0017]优选地，所述第二引脚包括第二锡球或第二锡盘
。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述基板上的第一凹陷区域和第二凹陷区域的数量均为多个；
[0019]优选地，所述芯片包括滤波芯片
。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述基板包括玻璃基板；
[0021]优选地，所述玻璃基板的厚度为
150um
‑
1000um。
[0022]在一种可能的实施方式中，所述绝缘层包括依次层叠的第一有机层
、
无机层和第二有机层；
[0023]优选地，所述绝缘层的材质包括光敏聚酰亚胺或光敏抗蚀干膜
。
[0024]在一种可能的实施方式中，所述第一凹陷区域的侧壁上设有向远离所述第一凹陷区域中心的方向凹陷的缓冲区域，所述缓冲区域延伸至第一表面；
[0025]优选地，所述缓冲区域的数量为多个，沿第二表面到第一表面的方向，多个所述缓冲区域远离所述第一凹陷区域中心的侧壁到所述第一凹陷区域中心的距离逐渐递增，距离第二表面最远的所述缓冲区域延伸至第一表面
。
[0026]在一种可能的实施方式中，沿第二表面到第一表面的方向，所述缓冲区域的内壁到所述第一凹陷区域中心的距离逐渐递增
。
[0027]在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种芯片封装方法，所述方法包括：
[0028]提供一基板；所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；
[0029]在所述基板的第一表面上形成向第二表面凹陷的第一凹陷区域以及在所述第一凹陷区域的底面形成向第二表面凹陷的第二凹陷区域；所述第二凹陷区域在第一表面的正投影位于所述第一凹陷区域在第一表面的正投影内；
[0030]在所述第一凹陷区域的底面形成布线层；
[0031]在所述第一凹陷区域内设置芯片；所述芯片的第一引脚与所述布线层电连接，所述芯片至少部分嵌入所述第一凹陷区域，所述芯片覆盖所述第二凹陷区域并形成中空结构；
[0032]在所述芯片远离所述基板的第二表面的一侧形成绝缘层；所述绝缘层覆盖所述基板的第一表面以及所述布线层远离所述基板的至少部分表面
。
[0033]在一种可能的实施方式中，所述在所述基板的第一表面上形成向第二表面凹陷的第一凹陷区域以及在所述第一凹陷区域的底面形成向第二表面凹陷的第二凹陷区域的步骤，包括：
[0034]在所述基板的第一表面上形成向第二表面凹陷的多个第一凹陷区域以及在所述第一凹陷区域的底面形成向第二表面凹陷的第二凹陷区域；多个所述第一凹陷区域与多个第二凹陷区域一一对应；
[0035]在所述的在所述芯片远离所述基板的第二表面的一侧形成绝缘层的步骤之后，还包括；
[0036]沿垂直于所述基板的方向，在相邻的第一凹陷区域之间进行切割，以使相邻芯片封装结构相互分离
。
[0037]相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：
[0038]本申请提供的一种芯片封装结构及封装方法，通过在基板上开设第一凹陷区域和第二凹陷区域，并将芯片的至少部分嵌入在第一凹陷区域内，可以不用单独制作芯片封装结构的顶盖和支撑墙，从而可以极大地降低该芯片封装结构的制作成本
。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图
。
[0040]图1为本实施例提供的现有技术中的芯片封装结构的截面示意图；
[0041]图2为本实施例提供的芯片封装结构未设置第二引脚的截面示意图；
[0042]图3为本实施例提供的芯片封装结构设置第二引脚的截面示意图；
[0043]图4为本实施例提供的面板级芯片封装结构未切割前的截面示意图；
[0044]图5为本实施例提供的在第一凹陷区域的侧壁上设置缓冲区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：基板；所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上开有向第二表面凹陷的第一凹陷区域，所述第一凹陷区域的底面开有向第二表面凹陷的第二凹陷区域，所述第二凹陷区域在第一表面的正投影位于所述第一凹陷区域在第一表面的正投影内；布线层；芯片；所述芯片的第一引脚与所述布线层电连接，所述芯片至少部分嵌入所述第一凹陷区域，所述芯片覆盖所述第二凹陷区域并形成中空结构；绝缘层；所述绝缘层覆盖所述芯片远离所述基板的第二表面的一侧
、
所述基板的第一表面以及所述布线层远离所述基板的至少部分表面
。2.
根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一凹陷区域在第一表面上的正投影的中心与所述第二凹陷区域在第一表面上的正投影的中心重合；优选地，所述第一凹陷区域的底面到第一表面之间的距离范围为
50
μ
m
‑
500
μ
m
；优选地，所述第二凹陷区域的底面到所述第一凹陷区域的底面之间的距离范围为
20
μ
m
‑
50
μ
m
；优选地，所述第一凹陷区域的侧壁在第一表面上的正投影到所述第二凹陷区域的边缘在第一表面上的正投影之间的最小距离范围为
40
μ
m
‑
400
μ
m
；优选地，所述第一凹陷区域的侧壁在第一表面上的正投影到所述芯片的边缘在第一表面上的正投影之间的最小距离为
10
μ
m
‑
20
μ
m。3.
根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第二引脚，所述第二引脚与所述布线层电连接并延伸至所述绝缘层远离所述基板的一侧；优选地，所述绝缘层上开有通孔，所述第二引脚至少部分位于所述通孔内；优选地，所述第一引脚包括第一锡球或第一锡盘；优选地，所述第二引脚包括第二锡球或第二锡盘
。4.
根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板上的第一凹陷区域和第二凹陷区域的数量均为多个；优选地，所述芯片包括滤波芯片
。5.
根...

【专利技术属性】
技术研发人员：周衍旭，吕奎，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：