一种异质结太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术涉及的一种异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述硅衬底正面的非晶硅本征层的外侧设有

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池结构


[0001]本技术涉及光伏高效电池
，尤其涉及一种异质结太阳能电池结构
。

技术介绍

[0002]硅基异质结太阳电池基于较高的光电转换效率，被光伏行业公认为下一代可规模化量产的光伏电池技术
。
常规硅基异质结太阳电池结构包括
n
型单晶硅基片
、
非晶硅膜层
、
透明导电薄膜
、
金属电极等；其中透明导电薄膜通常采用锡掺杂
In2O3（
ITO
）
、
钨掺杂
In2O3（
IWO
）等材料制作，而为了降低成本，会选择一些无铟材料，如铝掺杂
ZnO(AZO)
，来替代含氧化铟的材料
。
[0003]现有技术中，中国专利
CN107004732A
公开了一种太阳能单电池和太阳能电池组件，采用的是受光面和背光面分别一层透明导电层；中国专利
CN113488550A
公开了一种异质结电池及异质结电池制备方法，采用的是正背面分别一层透明导电层；中国专利
CN210156406U
公开了一种具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构，采用的是一层
TCO
导电膜；存在如下问题：氧化铟透明导电薄膜成本高，而无铟材料透明导电薄膜
AZO
虽然成本低，但产品稳定性不足，现有技术中没有对异质结太阳电池的透明导电薄膜结构进一步研究和优化
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服上述不足，提供一种异质结太阳能电池结构，采用
AZO
等不含铟的透明导电薄膜作为底层，再在该膜层上沉积
ITO
或
IWO
等含铟透明导电薄膜作为外层，制备多层膜结构且性能稳定的透明导电薄膜，以更低的材料成本制造高效稳定的硅基异质结太阳电池
。
[0005]本技术的目的是这样实现的：
[0006]一种异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述硅衬底正面的非晶硅本征层的外侧设有
P
型非晶硅掺杂层，所述硅衬底背面的非晶硅本征层的外侧设有
N
型非晶硅掺杂层；所述
P
型非晶硅掺杂层和
N
型非晶硅掺杂层的外侧均透明导电膜，透明导电膜包括导电膜底层和导电膜外层，所述导电膜底层的外侧设有导电膜外层，所述导电膜外层的外侧设有若干
Ag
电极；所述导电膜底层为无铟透明导电薄膜，所述导电膜外层为含铟透明导电薄膜
。
[0007]一种异质结太阳能电池结构，所述导电膜底层为
AZO
透明导电薄膜
。
[0008]一种异质结太阳能电池结构，所述导电膜外层为
ITO
或
IWO
透明导电薄膜
。
[0009]一种异质结太阳能电池结构，所述导电膜底层的膜层厚度为
50nm~100nm。
[0010]一种异质结太阳能电池结构，所述导电膜外层的膜层厚度为
10nm~50nm。
[0011]一种异质结太阳能电池结构，所述非晶硅本征层的厚度为
5~10nm。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013]本技术的透明导电薄膜包括底层和外层，其底层采用无铟导电薄膜，如
AZO
透
明导电膜，以降低材料成本，外层采用含铟导电薄膜，如
ITO
或
IWO
透明导电膜，确保异质结太阳电池的性能稳定，在保证产品性能的同时，降低了异质结太阳电池制造的材料成本
。
附图说明
[0014]图1为现有异质结太阳能电池的结构示意图
。
[0015]图2为本技术异质结太阳能电池的结构示意图
。
[0016]其中：
[0017]硅衬底
1、
非晶硅本征层
2、P
型非晶硅掺杂层
3、N
型非晶硅掺杂层
4、
导电膜底层
5、
导电膜外层
6、Ag
电极
7。
具体实施方式
[0018]实施例1：
[0019]参见图2，本技术涉及的一种异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底1，所述硅衬底1的正面和背面均设有非晶硅本征层2；
[0020]所述硅衬底1正面的非晶硅本征层2的外侧设有
P
型非晶硅掺杂层3，所述
P
型非晶硅掺杂层3的外侧设有透明导电膜，透明导电膜包括导电膜底层5和导电膜外层6，所述导电膜底层5的外侧设有导电膜外层6，所述导电膜外层6的外侧设有若干
Ag
电极7；
[0021]所述硅衬底1背面的非晶硅本征层2的外侧设有
N
型非晶硅掺杂层4，所述
N
型非晶硅掺杂层4的外侧设有透明导电膜，透明导电膜包括导电膜底层5和导电膜外层6，所述导电膜底层5的外侧设有导电膜外层6，所述导电膜外层6的外侧设有若干
Ag
电极
7。
[0022]所述导电膜底层5为
AZO
等不含铟的透明导电薄膜，膜层厚度为
50nm~100nm
，所述导电膜外层6为
ITO
或
IWO
等含铟透明导电薄膜，膜层厚度为
10nm~50nm。
[0023]所述非晶硅本征层2的厚度为
7nm
；
P
型非晶硅掺杂层3的总厚度为
10nm
；
N
型非晶硅掺杂层4的厚度为
6nm。
[0024]本技术涉及的一种异质结太阳能电池结构的制备方法，包括以下几个步骤：
[0025]（1）选用
p
型或
n
型单晶硅片做硅衬底1；硅片厚度为
80
‑
150
微米，硅片（长
×
宽）可以是
166mm
×
166mm、182mm
×
182mm、210mm
×
210mm、210mm
×
105mm
等各种规格尺寸；
[0026]（2）采用湿法化学腐蚀方法在硅衬底双面制作金字塔绒面结构；
[0027]（3）通过等离子体化学气相沉积法在硅衬底1上表面沉积非晶硅本征层2，并在该非晶硅本征层2表面沉积
N
型非晶硅掺杂层4；
[0028]（4）并通过磁控溅射或蒸发镀膜法在
N
型非晶硅掺杂层4的外表面沉积导电膜底层5，导电膜底层5为
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（2），所述硅衬底（1）正面的非晶硅本征层（2）的外侧设有
P
型非晶硅掺杂层（3），所述硅衬底（1）背面的非晶硅本征层（2）的外侧设有
N
型非晶硅掺杂层（4）；其特征在于：所述
P
型非晶硅掺杂层（3）和
N
型非晶硅掺杂层（4）的外侧均设有透明导电膜，透明导电膜包括导电膜底层（5）和导电膜外层（6），导电膜底层（5），所述导电膜底层（5）的外侧设有导电膜外层（6），所述导电膜外层（6）的外侧设有若干
Ag
电极（7）；...

【专利技术属性】
技术研发人员：连维飞，倪志春，杨飞，
申请(专利权)人：江苏爱康能源研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：