一种高频电路半导体设备保护用熔断体制造技术

本实用新型专利技术提供一种高频电路半导体设备保护用熔断体，包括熔管

【技术实现步骤摘要】
一种高频电路半导体设备保护用熔断体


[0001]本技术涉及熔断体
，尤其涉及一种高频电路半导体设备保护用熔断体
。

技术介绍

[0002]熔断体作为保护性元器件，应用范围较为广泛
。
随着船舶技术的日渐发展，船舶电力系统的要求也逐步提高，为提高电力利用率，整个电路系统以高频，高压，大电流的需求输出，一般常见的半导体设备保护用熔断体额定电压为
AC1000V
或是
AC1250V
居多，使用频率为
45Hz
～
62Hz
，并无更高的频率要求，因此已不能满足现有的要求
。
其次，由于低压元器件的设计和验证一般在
50Hz
或
60Hz
的频率下进行，在高频率的状态下，常规的熔断体不能起到应有的保护作用
。
另外，“高频率”对导电部件的温升影响较大，特别是频率越高，导电体集肤效应越强，磁滞损耗和涡流损耗越大，因此导电部件温度就越高，故低压电器在高频环境中常常需要降容使用，而一旦降容使用，其保护特性可能失效
。

技术实现思路

[0003]本技术旨在提供一种高频电路半导体设备保护用熔断体，以克服现有技术中存在的不足
。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种高频电路半导体设备保护用熔断体，包括熔管
、
接触板
、
熔体
、
石英砂填充体
、
撞击器，所述熔管的两端设有接触板，所述接触板内侧设有与熔管内腔适配的平板，两个所述接触板之间设有多个熔体，所述熔管内腔中设有填充在熔体之间的石英砂填充体，所述撞击器设于熔管外部并与设于熔管指示孔中的熔断指示器连接；所述熔体长度方向上设有多组阵列排布的排孔，所述排孔包括多个阵列排布的圆孔，相邻的所述圆孔之间设有狭径；相邻的所述排孔之间设有
V
型折弯部，所述排孔两侧设有长度与熔体等宽的硅胶层
。
[0005]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述硅胶层包括第一硅胶层
、
第二硅胶层，所述第一硅胶层设于熔体长度方向的两端，所述第二硅胶层设于折弯部
V
型开口拐角处的下端面
。
[0006]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述第一硅胶层的宽度大于第二硅胶层的宽度，所述第二硅胶层靠近圆孔但不与圆孔接触
。
[0007]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述熔管两端固定有端板，所述端板冲压成型，并通过紧固件与熔管连接，所述接触板通过与端板装配固定在熔管的两端
。
[0008]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述接触板平板的内表面设有中线对称设置的多条定位线，所述熔体的两端设有向同一方向折弯的连接部，所述连接部与定位线对齐焊接在接触板上，使得所述熔体与熔管的轴线平行的排布在熔管的内腔
。
[0009]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述石英砂填充体为石英砂与固化剂搅拌后高温固化形成
。
[0010]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述撞击器两端设有与端板连接的止动片
。
[0011]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述熔管采用高强度氧化铝陶瓷制作
。
[0012]进一步的，上述的高频电路半导体设备保护用熔断体，所述熔体采用
99.9
％纯银制作
。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]1，满足高电压，高频率
、
振动
、
高湿
、
高热等工况，对系统的保护更为可靠
。
[0015]2，熔体的结构改善了电性能和热性能，工作温升和散热能力都得到了改善；
[0016]3，采用高强度氧化铝陶瓷作为熔管，增加整体强度，使熔断体的外形更加美观
。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0018]图1为本技术高频电路半导体设备保护用熔断体的外部结构示意图；
[0019]图2为本技术高频电路半导体设备保护用熔断体的半剖图；
[0020]图3为本技术高频电路半导体设备保护用熔断体的熔体结构示意图；
[0021]图4为图3的正视结构示意图；
[0022]图5为4的
A
局部放大示意图；
[0023]图6为本技术高频电路半导体设备保护用熔断体的定位线结构示意图；
[0024]图中：
1、
熔管；
2、
接触板；
21、
定位线；
3、
熔体；
31、
排孔；
32、
圆孔；
33、
折弯部；
34、
连接部；
4、
石英砂填充体；
5、
撞击器；
6、
熔断指示器；
71、
第一硅胶层；
72、
第二硅胶层；
8、
端板；
9、
止动片
。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围
。
[0026]实施例1[0027]如图1‑6所示，一种高频电路半导体设备保护用熔断体，包括熔管
1、
接触板
2、
熔体
3、
石英砂填充体
4、
撞击器5，所述熔管1的两端设有接触板2，所述接触板2内侧设有与熔管1内腔适配的平板，所述熔体3采用
99.9
％纯银制作，两个所述接触板2之间设有多个熔体3；所述熔管1内腔中设有填充在熔体3之间的石英砂填充体4，所述撞击器5设于熔管1外部并与设于熔管1指示孔中的熔断指示器6连接，熔断指示器6包括压缩弹簧
、
康铜丝，所述压缩
弹簧设于熔管上的指示孔中，所述康铜丝与熔体并联，所述压缩弹簧与康铜丝接触式连接
。
[0028]上述结构中，如图2‑3所示，所述熔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高频电路半导体设备保护用熔断体，其特征在于：包括熔管
、
接触板
、
熔体
、
石英砂填充体
、
撞击器，所述熔管的两端设有接触板，所述接触板内侧设有与熔管内腔适配的平板，两个所述接触板之间设有多个熔体，所述熔管内腔中设有填充在熔体之间的石英砂填充体，所述撞击器设于熔管外部并与设于熔管指示孔中的熔断指示器连接；所述熔体长度方向上设有多组阵列排布的排孔，所述排孔包括多个阵列排布的圆孔，相邻的所述圆孔之间设有狭径；相邻的所述排孔之间设有
V
型折弯部，所述排孔两侧设有长度与熔体等宽的硅胶层
。2.
根据权利要求1所述的高频电路半导体设备保护用熔断体，其特征在于：所述硅胶层包括第一硅胶层
、
第二硅胶层，所述第一硅胶层设于熔体长度方向的两端，所述第二硅胶层设于折弯部
V
型开口拐角处的下端面
。3.
根据权利要求2所述的高频电路半导体设备保护用熔断体，其特征在于：所述第一硅胶层的宽度大于第二硅胶层的宽度，所述第二硅胶层靠近圆孔但不与圆孔接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：戎峰，仇利民，龚建，吴辉，
申请(专利权)人：苏州晶讯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：