本实用新型专利技术公开一种硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,包含:供给泵;配送管,具有进料端及出料端,该进料端连通该供给泵;切削液供应装置,其包含:硅晶棒切削液储存装置
【技术实现步骤摘要】
硅晶棒切削液供应系统及硅晶棒切削系统
[0001]本技术涉及供应系统
、
与切削系统,尤指用于供应硅晶棒切削液的供应系统
、
与硅晶棒切削系统
。
技术介绍
[0002]芯片切割是半导体加工的重要工序,它直接影响到芯片的成本
、
质量以及各种性能
。
在目前,芯片切割依照晶棒直径尺寸的大小主要分成两种切割方法:金刚石内圆切割和线切割,其中内圆切割是在刀片内径电镀金刚石磨料作为切削刃,切割刀片由主轴带动高速旋转,同时相对工件径向进给
。
而线切割则是以钢线带动浆料进行的机械线切割为主,其原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢在线的切割刃料对硅棒进行摩擦,从而达到切割效果
。
[0003]然而,现存的硅晶棒切削装置仍存在缺陷必须克服,例如在切割工艺中常常产生大量的热,容易导致部件膨胀,且切削的硅粉会形成硅酸,而此硅酸又会形成二氧化硅并回黏到硅晶棒或其切完后的晶圆上,从而无法准确控制晶圆形状,并容易让晶圆产生厚度偏差
、
翘曲或弯曲以及表面脏污
。
[0004]为此,有必要提出一种新的硅晶棒切削系统,用以解决现有技术中的问题
。
技术实现思路
[0005]在多方尝试克服现有技术存在的缺陷,本技术提供一种硅晶棒切削液供应系统及硅晶棒切削系统,其可达到降低晶圆发生厚度偏差
、
翘曲或弯曲以及表面脏污以提高晶圆切片的良率
。
[0006]为达上述目的,本技术的一技术方案是提供一种硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,包含:供给泵;配送管,具有进料端及出料端,该进料端连通该供给泵;切削液供应装置,其包含:硅晶棒切削液储存装置
、
连接于该硅晶棒切削液储存装置的稀释装置
、
连接该稀释装置的混合装置以及连接该混合装置与该供给泵的输出管
。
[0007]更佳者,其中进一步包括:流量调整阀,设置于该输出管上
。
[0008]更佳者,其中进一步包括:
pH
值监测器,设置于该输出管上
。
[0009]更佳者,其中该稀释装置与该混合装置是合并成稀释混合装置
。
[0010]更佳者,其中该硅晶棒切削液储存装置包含:容器,围绕界定容置空间
。
[0011]更佳者,其中进一步包括:封盖,用以密封该容器
。
[0012]更佳者,进一步包括:第一结合部,设置于该容器上
、
以及第二结合部,设置于该封盖上,其中该第一结合部与该第二结合部为相对应地设置
。
[0013]本技术的另一技术方案是提供一种硅晶棒切削系统,其特征在于,包含:上述的硅晶棒切削液供应系统;及硅晶棒切削装置,耦合于该硅晶棒切削液供应系统,该硅晶棒切削装置包含:硅晶棒定位单元,配置以定位硅晶棒;及硅晶棒切削单元,配置以相对该硅晶棒移动,以使该硅晶棒切削单元切削该硅晶棒
。
[0014]更佳者,其中该硅晶棒切削单元包含内圆切割刀片
。
[0015]更佳者,其中该硅晶棒切削单元包含线锯
。
[0016]本技术所提供的技术方案能达到数种现有技术所无法达到的技术功效,且解决了硅晶棒切削的不良率,并减少制程的成本
。
[0017]其一,本技术提供的硅晶棒切削液储存装置,采用具有耐碱性的容器,令呈碱性的切削液,不会腐蚀容器而导致污染切削液的问题,而且容器的封盖还具有防止切削液吸收空气中的水气的效果,以防止切削液的
pH
值产生变异,而呈碱性的切削液有利于防止硅酸的产生
。
[0018]其二,本技术提供的硅晶棒切削液供应系统,在切削液输出至切削系统之前,经过
pH
值监测器,可实时监控切削液的
pH
值是否超过预设的范围数值,减少了切削液输出后因
pH
值不符合要求而导致切削效果变差的问题
。
[0019]其三,通过前述改良所产生的效果,本技术提供的硅晶棒切削系统,在经过切削液包装结构及供应模块严密的保护及管控的情况下,让切削液输出的
pH
值不会受到环境的影响,使得切削后的晶圆表面厚度变化量
(Total Thickness Variation
,
TTV)
小
、
弯曲度
(BOW)、
翘曲度
(WARP)
及更好的表面粗糙度
Ra
,损伤层也较小,如此可达到更好的切削效果
。
附图说明
[0020]图1是一外观示意图,其绘示本技术提供的硅晶棒切削液储存装置
。
[0021]图2是一模式图,其绘示本技术提供的硅晶棒切削液供应系统
。
[0022]图3是一装置示意图,其绘示本技术提供的硅晶棒切削系统
。
[0023]图4是一另一种装置示意图,其绘示本技术提供的另一种硅晶棒切削系统
。
具体实施方式
[0024]本技术所提供的技术方案是一种硅晶棒切削液储存装置1,请参阅图1,其包含:容器
10
,围绕界定容置空间
101
;及切削液
12
,设置于该容置空间
101
中,该切削液
12
是用于硅晶棒切削,其中切削液
12
包含冷却剂
、
分散剂
、
润滑剂以及硅酸抑制剂,该润滑剂的对硅晶棒的接触角为3度至
70
度,且切削液
12
的
pH
值超过
6。
在一些实施例中,请继续参阅图1,该硅晶棒切削液储存装置1进一步包括:封盖
14
,用以密封容器
10
,使切削液
12
无溢出容器
10
之虞以及防止该切削液
12
吸收空气中的水气,其中封盖
14
与容器
10
系具有耐碱性,以防止呈碱性的切削液
12
会腐蚀容器
10
而导致污染切削液
12
的问题,而且容器
10
的封盖
14
还具有防止切削液
12
吸收空气中的水气的效果,以防止切削液
12
的
pH
值产生变异
。
在另一些实施例中,为了使容器
10
与封盖
14
结合紧密,其中进一步包括:第一结合部
100
,设置于该容器
10
上
、
以及第二结合部
200
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,包含:供给泵;配送管,具有进料端及出料端,该进料端连通该供给泵;切削液供应装置,其包含:硅晶棒切削液储存装置
、
连接于该硅晶棒切削液储存装置的稀释装置
、
连接该稀释装置的混合装置以及连接该混合装置与该供给泵的输出管
。2.
根据权利要求1所述的硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,进一步包括:流量调整阀,设置于该输出管上
。3.
根据权利要求1所述的硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,进一步包括:
pH
值监测器,设置于该输出管上
。4.
根据权利要求1所述的硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,该稀释装置与该混合装置是合并成稀释混合装置
。5.
根据权利要求1所述的硅晶棒切削液供应系统,其特征在于,该硅晶棒切削液储存装置包含:容器,围绕界定容置空间
【专利技术属性】
技术研发人员:简利民,胡天昶,
申请(专利权)人:德久先进材料股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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