一种射频压控振荡器及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种射频压控振荡器及电子设备，涉及电路技术领域，射频压控振荡器包括：相噪性能优化电路和频率调整电路，相噪性能优化电路和频率调整电路串联；相噪性能优化电路用于增加共模电感以减小射频压控振荡器的相位噪声；频率调整电路用于基于差模电容和变容二极管调整射频压控振荡器的频率

【技术实现步骤摘要】
一种射频压控振荡器及电子设备


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其是涉及一种射频压控振荡器及电子设备
。

技术介绍

[0002]随着无线通信的发展，对收发机中的频率综合器锁相环模块提出了更高的要求
。
压控振荡器作为锁相环中的核心模块，其单点相位噪声的性能指标也面临着更高的挑战
。
例如当前主流的
Wi
‑
Fi 6
（
802.11ax
）技术需要具备更快的速度
、
更高的带宽
、
更好的性能才能支持其数据传输
。Wi
‑
Fi 6
支持的数据传输速度最高可达
10 Gbps
，比上一代
Wi
‑
Fi 5
（
802.11ac
）快了4倍
。Wi
‑
Fi 6
可以拆分数据流，使更多的数据可以在同一时间传输，最大子带宽可达
160 MHz
，比
Wi
‑
Fi 5
高出一倍
。
这些新的应用场景迫切地需求压控振荡器具有比之前更高的工作频率和更为优异的相位噪声
。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种射频压控振荡器及电子设备，以优化射频压控振荡器的相噪性能以及对射频压控振荡器的频率进行更精确的调整
。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种射频压控振荡器，包括：相噪性能优化电路和频率调整电路，相噪性能优化电路和频率调整电路串联；相噪性能优化电路用于增加共模电感以减小射频压控振荡器的相位噪声；频率调整电路用于基于差模电容和变容二极管调整射频压控振荡器的频率
。
[0005]在本专利技术较佳的实施例中，上述相噪性能优化电路包括：第一谐振电感
、
第二谐振电感
、
第三谐振电感
、
第四谐振电感
、
第一共模电容
、
第二共模电容和电源，第一谐振电感的第一端与第二谐振电感的第二端相连，第一谐振电感的第二端与频率调整电路相连，第二谐振电感的第一端与电源相连，第三谐振电感的第一端与第四谐振电感的第二端相连，第三谐振电感的第二端与频率调整电路相连，第四谐振电感的第一端与电源相连，第一共模电容的第一端与第二谐振电感的第一端连接，第一共模电容的第二端与第一谐振电感的第二端连接，第二共模电容的第一端与第四谐振电感的第一端相连，第二共模电容的第二端与第三谐振电感的第二端相连
。
[0006]在本专利技术较佳的实施例中，上述第二谐振电感和第四谐振电感均为“8”字形结构
。
[0007]在本专利技术较佳的实施例中，上述频率调整电路包括：频率粗调电路和频率细调电路，频率粗调电路和频率细调电路并联
。
[0008]在本专利技术较佳的实施例中，上述频率粗调电路包括供能电路和差模电容调整电路，供能电路和差模电容调整电路并联；供能电路用于为射频压控振荡器的振荡提供负阻；差模电容调整电路用于通过调整差模电容调整射频压控振荡器的频率
。
[0009]在本专利技术较佳的实施例中，上述供能电路包括：叉耦合对管，叉耦合对管的第一晶体管的漏端与差模电容调整电路的第一端连接，叉耦合对管的第二晶体管的漏端与差模电容调整电路的第二端连接，叉耦合对管的第一晶体管的源端接地，叉耦合对管的第二晶体
管的源端接地
。
[0010]在本专利技术较佳的实施例中，上述差模电容调整电路为多个，多个差模电容调整电路并联
。
[0011]在本专利技术较佳的实施例中，上述差模电容调整电路包括第一差模电容
、
开关和第二差模电容，第一差模电容
、
开关和第二差模电容依次串联
。
[0012]在本专利技术较佳的实施例中，上述频率细调电路包括变容二极管，变容二极管的第一端与第一差模电容的第一端连接，变容二极管的第二端与第二差模电容的第二端连接
。
[0013]第二方面，本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括上述第一方面的射频压控振荡器
。
[0014]本专利技术实施例带来了以下有益效果：本专利技术实施例提供了一种射频压控振荡器及电子设备，通过频率调整电路基于差模电容和变容二极管调整所述射频压控振荡器的频率，通过相噪性能优化电路增加共模电感以减小所述射频压控振荡器的相位噪声，实现了相位噪声的优化以及射频压控振荡器的频率的精确调整
。
[0015]本公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开的上述技术即可得知
。
[0016]为使本公开的上述目的
、
特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下
。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0018]图1为本专利技术实施例提供的传统共模模式下电流在差分电感中的走向图；图2为本专利技术实施例提供的一种射频压控振荡器的结构图；图3为本专利技术实施例提供的另一种射频压控振荡器的结构图；图
4a
为本专利技术实施例提供的一种谐振电感的结构图；图
4b
为本专利技术实施例提供的另一种谐振电感的结构图；图
4c
为本专利技术实施例提供的差模模式下的电流走向图；图
4d
为本专利技术实施例提供的共模模式下的电流走向图；图5为本专利技术实施例提供的供能电路的结构图；图6为本专利技术实施例提供的差模电容调整电路的结构图；图7为本专利技术实施例提供的射频压控振荡器的整体结构图
。
[0019]图示：
10
‑
相噪性能优化电路；
20
‑
频率调整电路；
101
‑
第一谐振电感；
102
‑
第二谐振电感；
103
‑
第三谐振电感；
104
‑
第四谐振电感；
105
‑
第一共模电容；
106
‑
第二共模电容；
107
‑
电源；
21
‑
频率粗调电路；
22
‑
频率细调电路；
211
‑
供能电路；
212
‑
差模电容调整电路；
2111
‑
叉耦合对管；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种射频压控振荡器，其特征在于，所述射频压控振荡器包括：相噪性能优化电路和频率调整电路，所述相噪性能优化电路和所述频率调整电路串联；所述相噪性能优化电路用于增加共模电感以减小所述射频压控振荡器的相位噪声；所述频率调整电路用于基于差模电容和变容二极管调整所述射频压控振荡器的频率
。2.
根据权利要求1所述的射频压控振荡器，其特征在于，所述相噪性能优化电路包括第一谐振电感
、
第二谐振电感
、
第三谐振电感
、
第四谐振电感
、
第一共模电容
、
第二共模电容和电源，所述第一谐振电感的第一端与所述第二谐振电感的第二端相连，所述第一谐振电感的第二端与所述频率调整电路相连，所述第二谐振电感的第一端与所述电源相连，所述第三谐振电感的第一端与所述第四谐振电感的第二端相连，所述第三谐振电感的第二端与所述频率调整电路相连，所述第四谐振电感的第一端与所述电源相连，所述第一共模电容的第一端与所述第二谐振电感的第一端连接，所述第一共模电容的第二端与所述第一谐振电感的第二端连接，所述第二共模电容的第一端与所述第四谐振电感的第一端相连，所述第二共模电容的第二端与所述第三谐振电感的第二端相连
。3.
根据权利要求2所述的射频压控振荡器，其特征在于，所述第二谐振电感和所述第四谐振电感均为“8”字形结构
。4.
根据权利要求1所述的射频压控振荡器，其特征在于，所述频率调整电路包括频率粗调电路和频率细...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄晓波，龚海波，黄登祥，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：