【技术实现步骤摘要】
一种纳米g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法
[0001]本专利技术涉及一种高效可见光光催化剂的制备方法及应用,特别是一种纳米
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备用于降解罗丹明
B
的方法
。
技术介绍
[0002]随着全球工业的快速发展,各种有机污染物的排放导致环境问题日益严重
。
因此,发展高效的绿色能源和对环境的治理与保护已成为当务之急
,
在去除这些污染物的方法中,非均相光催化是一种绿色环保的重要方法,尤其是半导体作为催化剂的光催化工艺有可能解决环境污染,全球变暖,能源短缺和环境污染领域的严峻挑战,成为目前研究的热点
。Bi2O2C O3是一种优异
N
型半导体材料,具有约
3.46eV(300K)
的宽带隙
。
其内置电场容易促进光生载流子的分离,但由于其较宽的带隙使其只能在紫外光下起作用,同时紫外光在太阳光中所占比例少
(
约
5%)
,从而严重降低了其实际光催化降解效果,因此需要通过改性
Bi2O2C O3半导体来扩大光吸收范围以成功激发电子
‑
空穴对
。
[0003]目前,掺杂带边调制,复合催化剂设计,形貌控制合成等多种方法已被应用于提高 Bi2O2CO3的光催化性能
。
通常,
Bi2O2C ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种纳米
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,其特征在于一种纳米
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3复合物光催化剂制备的方法是按以下步骤完成的:一
、g
‑
C3N4的制备方法如下:将三聚氰胺加入到坩埚中,放入马弗炉中焙烧
。2.
二
、
纳米
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3异质结光催化剂的制备方法如下:将碳酸钠溶于去离子水中至溶液呈碱性,加入十六烷基三甲基溴化铵
(CTAB)
,后加入步骤一中不同量的碳三氮四,形成溶液
A
,后将五水硝酸铋溶于盐酸中形成溶液
B
,将溶液
B
加入到溶液
A
中调节溶液呈碱性
。
在室温下搅拌至溶液混合均匀,用去离子水与无水乙醇离心洗涤,干燥完全得到
。3.
三
、g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3纳米异质结光催化剂的制备方法如下:将步骤二所得的
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3加入到去离子水中形成溶液
A
,将五水硝酸铋与硫化钠分别加入到去离子水中形成溶液
B、C
,将溶液
B、C
分别滴加到溶液
A
中,室温下搅拌至溶液混合均匀,去离子水与无水乙醇离心洗涤,烘箱中干燥完全得到
。4.
根据权利要求1所述的一种纳米
g
‑
C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,其特征在于步骤一中所述的三聚氰胺质量为
4 ...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。