一种纳米制造技术

技术编号:39750521 阅读:21 留言:0更新日期:2023-12-17 23:48
本发明专利技术涉及一种纳米

【技术实现步骤摘要】
一种纳米g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法


[0001]本专利技术涉及一种高效可见光光催化剂的制备方法及应用,特别是一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备用于降解罗丹明
B
的方法


技术介绍

[0002]随着全球工业的快速发展,各种有机污染物的排放导致环境问题日益严重

因此,发展高效的绿色能源和对环境的治理与保护已成为当务之急
,
在去除这些污染物的方法中,非均相光催化是一种绿色环保的重要方法,尤其是半导体作为催化剂的光催化工艺有可能解决环境污染,全球变暖,能源短缺和环境污染领域的严峻挑战,成为目前研究的热点
。Bi2O2C O3是一种优异
N
型半导体材料,具有约
3.46eV(300K)
的宽带隙

其内置电场容易促进光生载流子的分离,但由于其较宽的带隙使其只能在紫外光下起作用,同时紫外光在太阳光中所占比例少
(

5%)
,从而严重降低了其实际光催化降解效果,因此需要通过改性
Bi2O2C O3半导体来扩大光吸收范围以成功激发电子

空穴对

[0003]目前,掺杂带边调制,复合催化剂设计,形貌控制合成等多种方法已被应用于提高 Bi2O2CO3的光催化性能

通常,
Bi2O2CO3与窄带隙半导体的结合不仅可以增强可见光的吸收范围,同时可以提高电子

空穴对的分离效率
。Bi2S3作为一种金属硫属化合物,有广泛的光吸收

光催化及光电化学潜力,且其具有带隙窄
(Eg≈1.3 eV)
的特点而受到了广泛的关注

通过
Bi2O2CO3与
Bi2S3复合形成异质结来构建内建电场可望提高载流子的分离效率

[0004]g

C3N4由三嗪单元和平面氨基通过层间弱的范德华力组成,由于
g

C3N4合适的带隙,成本低

易于制备

稳定性好

环境友好,等优异性能在光催化降解污染物

光催化产氢

光催化去除
CO2
以及超级电容器等领域均有应用

[0005]本专利技术提供一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,该方法具有污染小

耗能低

副反应少

产率高等优点

该专利技术提供了一种高效

低耗能

环境友好的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi
2 S3异质结光催化剂制备的方法


技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是提供一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,主要解决
Bi2O2CO3在可见光区光响应反应差的问题

一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,是按以下步骤完成的:
[0007]一
、g

C3N4的制备方法如下:将三聚氰胺加入到坩埚中,放入马弗炉中焙烧;
[0008]二

纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3异质结光催化剂的制备方法如下:将碳酸钠溶于去离子水中至溶液呈碱性,加入十六烷基三甲基溴化铵
(CTAB)
,后加入步骤一中不同量的碳三氮四,形成溶液
A
,后将五水硝酸铋溶于盐酸中形成溶液
B
,将溶液
B
加入到溶液
A
中调节溶液呈碱性

在室温下搅拌至溶液混合均匀,用去离子水与无水乙醇离心洗涤,干燥完全得到;
[0009]三
、g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3纳米异质结光催化剂的制备方法如下:将步骤二所得的
g

C3N4/Bi2O2CO3加入到去离子水中形成溶液
A
,将五水硝酸铋与硫化钠分别加入到去离子水
中形成溶液
B、C
,将溶液
B、C
分别滴加到溶液
A
中,室温下搅拌至溶液混合均匀,去离子水与无水乙醇离心洗涤,烘箱中干燥完全得到;
[0010]本专利技术的优点
[0011]一

本专利技术提供一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂的制备方法,其制备工艺简单易操作,成本低廉

设备投资少,适合推广应用;
[0012]二

本专利技术所制备的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂具有稳定性较好

光催化材料能够重复利用

污染小

耗能低

时间短

催化降解效果高等优点,具有重要的理论和实用意义;
[0013]三

本实施方式通过
g

C3N4、Bi2S3与
Bi2O2CO3的复合有效提高了
Bi2O2CO3在可见光区的响应,制备的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结催化剂对罗丹明
B
的降解效果也十分明显,在
120 min
内的可见光照射下对染料罗丹明
B
光催化降解率达到
94%。
[0014]本专利技术可获得一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂的制备方法

附图说明
[0015]图1为实施例一制备的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂的
XRD
谱图;
[0016]图2为实施例一制备的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂的
FT

IR
图;
[0017]图3为实施例一制备的纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂的
UV

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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,其特征在于一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3复合物光催化剂制备的方法是按以下步骤完成的:一
、g

C3N4的制备方法如下:将三聚氰胺加入到坩埚中,放入马弗炉中焙烧
。2.


纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3异质结光催化剂的制备方法如下:将碳酸钠溶于去离子水中至溶液呈碱性,加入十六烷基三甲基溴化铵
(CTAB)
,后加入步骤一中不同量的碳三氮四,形成溶液
A
,后将五水硝酸铋溶于盐酸中形成溶液
B
,将溶液
B
加入到溶液
A
中调节溶液呈碱性

在室温下搅拌至溶液混合均匀,用去离子水与无水乙醇离心洗涤,干燥完全得到
。3.

、g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3纳米异质结光催化剂的制备方法如下:将步骤二所得的
g

C3N4/Bi2O2CO3加入到去离子水中形成溶液
A
,将五水硝酸铋与硫化钠分别加入到去离子水中形成溶液
B、C
,将溶液
B、C
分别滴加到溶液
A
中,室温下搅拌至溶液混合均匀,去离子水与无水乙醇离心洗涤,烘箱中干燥完全得到
。4.
根据权利要求1所述的一种纳米
g

C3N4/Bi2O2CO3/Bi2S3异质结光催化剂制备的方法,其特征在于步骤一中所述的三聚氰胺质量为
4 ...

【专利技术属性】
技术研发人员:白丽明曹宇琦潘雪丹
申请(专利权)人:齐齐哈尔大学
类型:发明
国别省市:

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