【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种压阻传感器芯片，其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈绍群，王树娟，周刚，陈会林，
申请(专利权)人：无锡市纳微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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